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赤外検出器 PV フォトボルテイック HgCdTe Vigo system

Vigo Sytem社は1987年に設立された非冷却赤外検出器の世界的メーカーです。

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弊社はVigo System社の正規代理店です。

PV シリーズ 3 - 8μm フォトボルテイック(光起電力型)HgCdTe 赤外検出器 室温動作

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

· PVデータシート
· TO39技術的図面
· BNC 技術的図面
· オーダーコード

説明

PV-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、IRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
このシリーズは、使い方が簡単で冷却やヒートシンクは必要ありません。

デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。

最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。スタンダードのHgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
TO39またはBNCパッケージで提供します。他のウィンドウ、他のパッケージおよびコネクターは、ご要望に応じて提供可能です

Vigo system PVシリーズ HgCdTe赤外検出器 特長

  • 周囲環境温度(室温)動作
  • バイアス不要
  • 短い時定数
  • フリッカ雑音なし
  • DC~VHF動作
  • 高速電子機器に完全にマッチ
  • 広いダイナミック・レンジ
  • 低価格
  • 要求に応じてカスタム設計
Parameter Symbol Unit PV-3 PV-3.4 PV-4 PV-5 PV-6 PV-8
Optimal
Wavelength
λopt µm 3 3.4 4 5 6 8
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D* cm⋅Hz1/2⋅W-1   ≥8.0×109
≥6.5×109
  ≥7.0×109
≥5.0×109
  ≥5.0×109
≥3.0×109
  ≥2.0×109
≥1.0×109
  ≥1.0×109
≥5.0×108
  ≥8.0×107
≥4.0×107
Current
Responsivity
@ λopt
Ri A⋅W-1 ≥0.5 ≥0.8 ≥1 ≥1 ≥1 ≥0.3
Time Constant τ ns ≤350 ≤260 ≤150 ≤120 ≤80 ≤4
Time Constant**) τ ns  ≤3  ≤2  ≤1  ≤0.7  ≤0.7  ≤0.7
Resistance
– Optical Area Product
R⋅A Ω⋅cm2 ≥1 ≥0.5 ≥0.1 ≥0.01 ≥0.002 ≥0.0001
Operating Temperature T K ~300
Acceptance Angle, F/# Φ, – deg, – >90, 0.71
*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PV-3 O X X O   O O      
PV-3.4 O X X O   O O      
PV-4 O X X O   O O      
PV-5 O X X O   O O      
PV-6 O X X**) O   O        
PV-8 X X**) P              
*) 円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV カタログ ダウンロード
TO39 図面 ダウンロード
BNC 図面 ダウンロード

計測器専用サイトでご覧ください。

PV-2TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力)TE冷却 HgCdTe赤外検出器

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

· PV-2TEデータシート
· TO8技術的図面
· オーダーコード

説明

PV-2TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、2ステージのTEを備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
このシリーズは、使い方が簡単で冷却やヒートシンクは必要ありません。

デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。

最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。

四分割セル、マルチエレメントアレイ、カスタムでもご要望を承ります。HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。

PV-2TE シリーズ HgCdTe赤外検出器 特長

  • スペクトル域2~12μmで高性能
  • 高速応答
  • フリッカ雑音なし
  • 取扱い容易
  • 広いダイナミック・レンジ
  • コンパクトで頑丈、高い信頼性
  • 低価格
  • 短納品
  • 要求に応じてカスタム設計
仕様
Parameter Symbol Unit PV-2TE-3 PV-2TE-3.4 PV-2TE-4 PV-2TE-5 PV-2TE-6 PV-2TE-8 PV-2TE-10.6
Optimal
Wavelength
λopt µm 3 3.4 4 5 6 8 10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D* cm⋅Hz1/2⋅W-1  
≥1.0×1011
≥7.0×1010
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥4.0×1010
≥3.0×1010
 
≥1.5×1010
≥9.0×109
 
≥5.0×109
≥2.0×109
 
≥4.0×108
≥2.0×108
 
≥2.0×108
≥1.0×108
Current Responsivity
@ λopt
Ri A⋅W-1 ≥0.5 ≥0.8 ≥1 ≥1.3 ≥1.5 ≥0.8 ≥0.4
Time Constant τ ns ≤280 ≤200 ≤100 ≤80 ≤50 ≤30 ≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance
– Optical Area Product
R⋅A Ω⋅cm2 ≥150 ≥3 ≥2 ≥0.1 ≥0.02 ≥0.0002 ≥0.0001
Operating
Temperature
T K ~230
Acceptance Angle,
F/#
Φ, – deg, – 70, 0.87
*)円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
フォーマット
Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PV-2TE-3 O X X O   O O O    
PV-2TE-3.4 O X X O   O O O    
PV-2TE-4 O X X O   O O O    
PV-2TE-5 O X X O   O O      
PV-2TE-6 O X X O   O O      
PV-2TE-8 X X**) P              
PV-2TE-10.6 X X**) P              
*) 円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-2TE カタログ ダウンロード
TO8 図面 ダウンロード

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PV-3TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力) TE冷却 HgCdTe赤外検出器

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· PV-3TEデータシート
· TO8技術的図面
· オーダーコード

説明

PV-3TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、3ステージのTE冷却を備えた光起電力型赤外検出器です。

デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。

最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。

四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。

PV-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器 特長

  • スペクトル域2~12μmで高性能
  • 高速応答
  • フリッカ雑音なし
  • 取扱い容易
  • 広いダイナミック・レンジ
  • コンパクトで頑丈、高い信頼性
  • 低価格
  • 要求に応じてカスタム設計
仕様
Parameter Symbol Unit PV-3TE-3 PV-3TE-3.4 PV-3TE-4 PV-3TE-5 PV-3TE-6 PV-3TE-8 PV-3TE-10.6
Optimal Wavelength λopt µm 3 3.4 4 5 6 8 10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D* cm⋅Hz1/2⋅W-1  
≥3.0×1011
≥1.0×1011
 
≥9.0×1010
≥7.0×1010
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥4.0×1010
≥1.0×1010
 
≥7.0×109
≥4.0×109
 
≥5.0×108
≥3.0×108
 
≥3.0×108
≥1.5×108
Current Responsivity
@ λopt
Ri A⋅W-1 ≥0.5 ≥0.8 ≥1 ≥1.3 ≥1.5 ≥1 ≥0.7
Time Constant τ ns ≤280 ≤200 ≤100 ≤80 ≤50 ≤30 ≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance –
Optical Area Product
R⋅A Ω⋅cm2 ≥240 ≥15 ≥6 ≥0.3 ≥0.025 ≥0.0004 ≥0.0002
Operating
Temperature
T K ~210
Acceptance Angle,
F/#
Φ, – deg, – 70, 0.87
*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
フォーマット
Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PV-3TE-3 O X X O   O O      
PV-3TE-3.4 O X X O   O O      
PV-3TE-4 O X X O   O O      
PV-3TE-5 O X X O   O O      
PV-3TE-6 O X X O   O O      
PV-3TE-8 X X**) P              
PV-3TE-10.6 X X**) P              
*) 円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-3TE カタログ ダウンロード
TO8 図面 ダウンロード

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PV-4TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力) TE冷却 HgCdTe赤外検出器

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· PV-4TEデータシート
· TO8技術的図面
· オーダーコード

説明

PV-4TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、4ステージのTE冷却を備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。

デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。

最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。

四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。

PC-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器 特長

  • 波長域2~12μmで高性能
  • 高速応答
  • フリッカ雑音なし
  • 取扱い容易
  • 広いダイナミック・レンジ
  • コンパクトで頑丈、高い信頼性
  • 低価格
  • 短納期
  • 要求に応じてカスタム設計
仕様
Parameter Symbol Unit PV-4TE-3 PV-4TE-3.4 PV-4TE-4 PV-4TE-5 PV-4TE-6 PV-4TE-8 PV-4TE-10.6
Optimal Wavelength λopt µm 3 3.4 4 5 6 8 10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D* cm⋅Hz1/2⋅W-1  
≥3.0×1011
≥1.5×1011
 
≥2.0×1011
≥1.0×1011
 
≥1.0×1011
≥6.0×1010
 
≥4.0×1010
≥1.5×1010
 
≥9.0×109
≥5.0×109
 
≥5.0×108
≥4.0×108
 
≥4.0×108
≥2.0×108
Current Responsivity
@ λopt
Ri A⋅W-1 ≥0.5 ≥0.8 ≥1 ≥1.3 ≥1.5 ≥1.5 ≥0.7
Time Constant τ ns ≤280 ≤200 ≤100 ≤80 ≤50 ≤30 ≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance
-Optical Area Product
R⋅A Ω⋅cm2 ≥300 ≥20 ≥8 ≥0.4 ≥0.03 ≥0.0006 ≥0.0005
Operating
Temperature
T K ~195
Acceptance Angle,
F/#
Φ, – deg, – 70, 0.87
*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
フォーマット
Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PV-4TE-3 O X X O   O O      
PV-4TE-3.4 O X X O   O O      
PV-4TE-4 O X X O   O O      
PV-4TE-5 O X X O   O O      
PV-4TE-6 O X X O   O O      
PV-4TE-8 X X**) P              
PV-4TE-10.6 X X**) P              
*) 円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-4TE カタログ ダウンロード
TO8 図面 ダウンロード
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レンズ組み込み フォトボルティック(光起電力)HgCdTe 赤外検出器

型番:PVIシリーズ 2-8μm

PVI-λopt   HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は
、異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)または半球状
または中間レンズ(オプションとして)付のIRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
このシリーズは、使いやすく、冷却やヒートシンクは必要ありません。
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。
カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。
逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。
これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる
1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、
洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、
レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
スタンダード検出器は、TO39またはBNCパッケージで提供されます。
各種ウィンドウ、その他のパッケージ、およびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVIシリーズ HgCdTe赤外検出器
・周囲環境温度(室温)動作
・バイアス不要
・短時定数
・フリッカ雑音なし
・DC~VHFで動作
・高速電子機器と完全マッチ
・広いダイナミック・レンジ
・低価格
・要求に応じてカスタム設計
 

Parameter Symbol Unit PVI-3 PVI-3.4 PVI-4 PVI-5 PVI-6 PVI-8
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥5.0×1010
≥5.0×1010
 
≥5.0×1010
≥4.5×1010
 
≥3.0×1010
≥2.0×1010
 
≥1.5×1010
≥9.0×109
 
≥8.0×109
≥4.0×109
 
≥8.0×108
≥4.0×108
Current Responsivity @ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1
≥1
≥0.3
Time Constant
τ
ns
≤350
≤260
≤150
≤120
≤80
≤4
Time Constant**)  τ  ns  ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤ 0.7
Resistance – Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥100
≥50
≥6
≥1
≥0.2
≥0.01
Operating Temperature
T
K
~300
Acceptance Angle, F/#
Φ, –
deg, –
36, 1.62

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。 

Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PVI-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-8
 
 
 
X
X
X**)
P
 
 
 

 *)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – 標準赤外検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。 

2ステージTE冷却 レンズ組み込みフォトボルティック(光起電力) HgCdTe赤外検出器

型番:PVIO-2TEシリーズ

異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)
または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の
2ステージのTE冷却付のIRフォトボルテイック(光起電力型)検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。
カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。
逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。
これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる
1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、
最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたは
ARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。
その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVI-2TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い便利
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・ 低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計

 

Parameter Symbol Unit PVI-2TE-3 PVI-2TE-3.4 PVI-2TE-4 PVI-2TE-5 PVI-2TE-6 PVI-2TE-8 PVI-2TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥8.0×1011
≥5.5×1011
 
≥6.0×1011
≥3.0×1011
 
≥3.0×1011
≥2.0×1011
 
≥1.0×1011
≥6.0×1010
 
≥5.0×1010
≥2.0×1010
 
≥4.0×109
≥2.0×109
 
≥2.0×109
≥1.0×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥0.8
≥0.4
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance – Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥15000
≥300
≥200
≥10
≥2
≥0.02
≥0.01
Operating Temperature
T
K
~230
Acceptance Angle, F/#
Φ, –
deg, –
36, 1.62

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。

 

Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PVI-2TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-2TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-2TE-8
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 
PVI-2TE-10.6
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード赤外検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。 

3ステージTE冷却 レンズ組み込み フォトボルティック(光起電力)HgCdTe赤外検出器

型番:PVI-3TEシリーズ

異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)
または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の
3ステージのTE付のIRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。
カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。
逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。
これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる
1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、
洗練された表面処理によって達成されます。
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウ
またはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。
その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PVI-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計
 

Parameter Symbol Unit PVI-3TE-3 PVI-3TE-3.4 PVI-3TE-4 PVI-3TE-5 PVI-3TE-6 PVI-3TE-8 PVI-3TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥9.0×1011
≥7.0×1011
 
≥7.0×1011
≥5.0×1011
 
≥5.0×1011
≥3.0×1011
 
≥1.0×1011
≥8.0×1010
 
≥6.0×1010
≥3.0×1010
 
≥5.0×109
≥3.0×109
 
≥3.0×109
≥1.5×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**)
τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance – Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥24000
≥1500
≥600
≥30
≥2.5
≥0.04
≥0.02
Operating Temperature
T
K
~210
Acceptance Angle, F/#
Φ, –
deg, –
36, 1.62

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。

 

Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PVI-3TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-3TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-3TE-8
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 
PVI-3TE-10.6
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード赤外検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。 

4ステージTE冷却 レンズ組み込み フォトボルティック(光起電力) HgCdTe赤外検出器

型番:PVI-4TEシリーズ 2-12μm

異なる受容角度と飽和レベルのために、高屈折率GaAsハイパー半球状(標準)
または半球状または中間レンズ(オプションとして)付の4ステージのTE付IRフォトボルテイック(光起電力型)検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。
カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。
逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。
これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる
1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、
洗練された表面処理によって達成されます。四分割セル、マルチエレメントアレイ、
異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
 
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたは
ARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供します。
その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。

【特徴】PVI-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクト、頑丈で高い信頼性
・低価格
・短納期
・要求に応じてカスタム設計
 

Parameter Symbol Unit PVI-4TE-3 PVI-4TE-3.4 PVI-4TE-4 PVI-4TE-5 PVI-4TE-6 PVI-4TE-8 PVI-4TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
peak
opt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥1.0×1012
≥8.0×1011
 
≥8.0×1011
≥7.0×1011
 
≥6.0×1011
≥4.0×1011
 
≥3.0×1011
≥1.0×1011
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥5.0×109
≥4.0×109
 
≥4.0×109
≥2.0×109
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1.5
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**)
τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance – Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥30000
≥2000
≥800
≥40
≥3
≥0.06
≥0.05
Operating Temperature
T
K
~195
Acceptance Angle, F/#
Φ, –
deg, –
36, 1.62

*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。

Type Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025 0.05×0.05 0.1×0.1 0.2×0.2 0.25×0.25 0.5×0.5 1×1 2×2 3×3 4×4
PVI-4TE-3
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-3.4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-4
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-5
 
 
 
 
O
X
X
O
 
 
PVI-4TE-6
 
 
 
 
O
X
X
 
 
 
PVI-4TE-8
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 
PVI-4TE-10.6
 
 
 
 
X
X**)
P
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X – スタンダード赤外検出器
P – 逆バイアスでデフォルト
O – ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。 

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