フォトコンダクティブHgCdTe (MCT)赤外検出器 VIGO Photonics

PCシリーズ 1.0 – 12.0 µm 室温動作・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PCシリーズ 1.0 – 12.0 µm 

PCシリーズは最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトコンダクティブ(光伝導)赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。


特徴

  • 1.0~5.4µmの波長域で高い性能を実現
  • 室温動作
  • 50×50 µm^2 から 4×4 mm^2 までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

・SIP-TO39シリーズ


スペクトル応答(Ta = 20°C)

スペクトル応答(Ta = 20°C)



仕様

仕様 フォトコンダクティブ

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PC-2TEシリーズ 1.0 – 14.0 µm 2ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PC-2TEシリーズ 1.0 – 14.0 µm

PC-2TEシリーズは最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージのTE冷却フォトコンダクティブ(光伝導)赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°ウェッジサファイア (wAl2O3) またはセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓は不要な干渉効果を防止します。


特徴

  • 2ステージTE冷却
  • 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PC-2TEシリーズ 1.0 – 14.0 µm



仕様

PC-2TEシリーズ

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PC-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 3ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PC-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm

PC-3TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした3ステージのTE冷却フォトコンダクティブ(光伝導)赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止膜 (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防ぎます。


特徴

  • 3ステージTE冷却
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PC-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm



仕様

PC-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm

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PC-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm 4ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PC-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm

PC-4TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした4ステージのTE冷却フォトコンダクティブ(光伝導)赤外検出器です。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数は、カットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止膜 (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防ぎます。


特徴

  • 4ステージTE冷却
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PC-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm



仕様

PC-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm

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PCIシリーズ 1.0 – 12.0 µm 室温動作・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PCIシリーズ 1.0 – 12.0 µm

PCIシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトコンダクティブ(光伝導)赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率(~0.9µm)により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。


特徴

  • 室温動作
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性と信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

・SIP-TO39シリーズ


スペクトル応答(Ta = 20°C)

PCIシリーズ 1.0 – 12.0 µm



仕様

PCIシリーズ 1.0 – 12.0 µm

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PCI-2TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 2ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PCI-2TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm

PCI-2TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを改善するために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率(~0.9µm)により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°ウェッジサファイア (wAl2O3) またはセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。


特徴

  • 2ステージTE冷却
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性と信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PCI-2TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm



仕様

PCI-2TEseries

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PCI-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 3ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PCI-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm

PCI-3TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした3ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率(~0.9µm)により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加する。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。


特徴

  • 3ステージTE冷却
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PCI-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm



仕様

PCI-3TEseries

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PCI-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm 4ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器

PCI-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm

PCI-4TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした4ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率(~0.9µm)により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。


特徴

  • 4ステージTE冷却
  • 超半球マイクロレンズ技術採用
  • 長寿命とMTBF(平均故障間隔)
  • 安定性・信頼性
  • 1/fノイズ



専用プリアンプ

  • AIPシリーズ
  • PIPシリーズ
  • MIPシリーズ
  • SIP-TO8シリーズ



スペクトル応答(Ta = 20°C)

PCI-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm



仕様

PCI-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm

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VIGO Photonics社は1987年に設立された赤外検出器の世界的メーカーです。
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