赤外検出器 PC フォトコンダクター HgCdTe Vigo

PCシリーズ 1-12μm HgCdTe常温光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PCシリーズは、HgCdTeヘテロ構造の非冷却赤外光導電素子で、高性能と安定性を備えています。λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。また,最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作するように設計されています。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/fノイズのコーナー周波数は,カットオフ波長が長くなるほど高くなります。

仕様

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PC-2TEシリーズ 1-14μm HgCdTe 2段熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PC-2TEシリーズは、高性能で安定したHgCdTeヘテロ構造の2段式熱電冷却赤外光導電素子です。このデバイスは、λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。このデバイスは 最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/f ノイズのコーナー周波数は,カットオフ波長が長くなるほど高くなります。3°ウェッジドサファイヤ(wAl2O3)またはセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)の窓は、不要な反射を防ぎます。

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PC-3TEシリーズ 1-15μm HgCdTe 3段熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PC-3TEシリーズは、3段の熱電冷却式赤外光導電素子を採用しています。ヘテロ構造を採用した3段の熱電冷却型赤外光導電素子です。このデバイスは、λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。このデバイスは 最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/f ノイズのコーナー周波数は,カットオフ波長が長くなるほど高くなります。3°ウェッジドセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)窓は、不要な干渉効果を防ぎます。不要な干渉の影響を防ぎます。

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PC-4TEシリーズ 1-16μm HgCdTe 4段式熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PC-4TEシリーズは、最高の性能と安定性を備えたHgCdTeヘテロ構造を採用し、最高の性能と安定性を実現しています。このデバイスは、λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/fノイズのコーナー周波数は,カットオフ波長が長くなるほど高くなります。3°ウェッジドセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)窓は、不要な干渉効果を防ぎます。

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PCIシリーズ 1-12μm 浸漬(エマージョン)レンズ付きHgCdTe 常温光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PCIシリーズは、最高の性能と安定性を備えた洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却の赤外光導電性検出器です。 また、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸されています。この検出器は、λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長は、GaAsの透過率によって制限されます(~0.9 µm)。デバイスは、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズの影響で低下します。1/fノイズのコーナー周波数は、カットオフ波長が長いほど高くなります。

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PCI-2TEシリーズ 1-15μm 浸漬(エマージョン)レンズ付きHgCdTe 2段熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PCI-2TEシリーズは、性能と安定性に優れたHgCdTeヘテロ構造を採用した、2段式の熱電冷却式赤外光導電素子です。検出器は λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長は、GaAsの透過率によって制限されます(~0.9 µm)。デバイスは、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/fノイズ コーナー周波数は、カットオフ波長が長くなるほど高くなります。 3°ウェッジドサファイヤ(wAl2O3)またはセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)を使用しています。ウィンドウは、不要な干渉の影響を防ぎます。

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PCI-3TEシリーズ 1-15μm 浸漬(エマージョン)レンズ付きHgCdTe 3段熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PCI-3TEシリーズは、性能と安定性に優れたHgCdTeヘテロ構造を採用した3段の熱電冷却式赤外光導電素子です。検出器は λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長は、GaAsの透過率によって制限されます(~0.9 µm)。デバイスは、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/fノイズ コーナー周波数は、カットオフ波長が長くなるほど高くなります。3°ウェッジドセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)ウィンドウにより、不要な干渉の影響を防ぎます。

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PCI-4TEシリーズ 1-16μm 浸漬(エマージョン)レンズ付きHgCdTe 4段熱電冷却光導電素子(フォトコンダクティブ)検出器

PCI-4TEシリーズは、性能と安定性に優れたHgCdTe ヘテロ構造を採用した4段の熱電冷却式赤外光導電素子で、素子のパラメータを向上させるために光学的に浸漬しています。検出器は λoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。カットオン波長は、GaAsの透過率によって制限されます(~0.9 µm)。デバイスは デバイスは、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。1/fノイズ コーナー周波数は、カットオフ波長が長くなるほど高くなります。3°ウェッジドセレン化亜鉛反射防止膜(wZnSeAR)ウィンドウにより、不要な干渉の影響を防ぎます。

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