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InGaAs フォトダイオード OSI Optoelectronics

OSI Optoelectronics
OSI オプトエレクトロニクス
シリコン(Si) フォトダイオード


InGaAs フォトダイオード

高速 InGaAs フォトダイオード

FCI-InGaAs シリーズ

応用: 高速光通信、シングル/マルチモード 光ファイバー レシーバー、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET/SDH, ATM、オプティカルTaps
特徴: 高速、高感度、低ノイズ、スペクトル範囲900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model
Number
Active
Area
Diameter
Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75 75 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA 
Vr=5.0V
1.5 pF  
Vr=5.0V
0.2 ns 
Vr=5.0V
TO-18 Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75)
FCI-InGaAs-120 120 µm 0.9 A/W  0.95 A/W 0.05 nA 
Vr=5.0V
2 pF  
Vr=5.0V
0.3 ns 
Vr=5.0V
20 V max TO-18 Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120)
FCI-InGaAs-300 300 µm 0.9 A/W  0.95 A/W 0.3 nA 
Vr=5.0V
10 pF  
Vr=5.0V
1.5 ns 
Vr=5.0V
15 V max TO-18 No image found for (FCI-InGaAs-300)
FCI-InGaAs-400 400 µm 0.9 A/W  0.95 A/W 0.4 nA 
Vr=5.0V
14 pF  
Vr=5.0V
3.0 ns 
Vr=5.0V
15 V max TO-18 No image found for (FCI-InGaAs-400)
FCI-InGaAs-500 500 µm 0.9 A/W  0.95 A/W 0.5 nA 
Vr=5.0V
20 pF  
Vr=5.0V
10.0 ns 
Vr=5.0V
15 V max TO-18 No image found for (FCI-InGaAs-500)
 

ラージ アクティブ エリア フォトダイオード

アクティブ エリア 1mm 1.5mm 3mm

応用: 光学機器、パワー測定、近赤外センシング、医療機器
特徴: 高感度、ラージ アクティブ エリア、低ノイズ、900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area
Diameter
Responsivity
1310nm
Responsivity
1550nm
Shunt Resistance Capacitance Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAS-1000-X 1 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 30 MΩ 
Vr = 10m V
80 pF 
Vr = 0V
TO-18 No image found for (FCI-InGaAS-1000-X)
FCI-InGaAs-1500-X 1.5 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 200 pF 
Vr = 0V
TO-18 No image found for (FCI-InGaAs-1500-X)
FCI-InGaAs-3000-X 3 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 750 pF 
Vr = 0V
TO-5 Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-3000-X)
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAS-1000-X -55 to 125 °C  -40 to 75 °C  260 °C TO-18 No image found for (FCI-InGaAS-1000-X)
FCI-InGaAs-1500-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-18 No image found for (FCI-InGaAs-1500-X)
FCI-InGaAs-3000-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-5 Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-3000-X)

カタログ

セグメント InGaAs フォトダイオード

ラージ エリア 4分割

応用: ポジション センシング (位置決め)、ビームアライメント、ビーム プロファイリング
特徴: 高感度、低ノイズ、900nmから1700nm、低クロストーク、ワイド開口角(FOV)

電気-光学 特性 (per 1 element)
Model Number Active Area
Diameter
Element Gap Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise TIme Crosstalk Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-Q1000 1000 µm 0.045 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA 
Vr = 5.0V
25 pF 3ns 
Vr = 5.0V
1 max 
λ =1550nm Vr=5.0V
15 V max FCI-InGaAs-Q1000 Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-Q1000)
FCI-InGaAs-Q3000 3000 µm 0.045 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 2 nA 
Vr = 5.0V
225 pF 24 ns 
Vr = 5.0V
1 max 
λ =1550nm Vr=5.0V
10 V max FCI-InGaAs-Q3000 No image found for (FCI-InGaAs-Q3000)

カタログ

フォトダイオード アレイ

高速InGaAsアレイ 4, 8, 12, 16チャンネル

応用: 高速光通信、シングル/マルチモード光ファイバー レシーバー、ギガビット イーサネット/ファイバーチャンネル、SONET/SDH, ATM、光テープ
特徴: 高速、高感度、低ノイズ、900nmから1700nm

電気-光学 特性 (per 1 element)
Model Number Active Area
Diameter
Pitch Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Forward Current Bandwidth Breakdown Voltage Reverse Voltage Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-4M 75 µm 250 µm 0.95 A/W 0.03 nA 0.65 pF 5 mA max 2 GHz 50 V Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-4M)
FCI-InGaAs-8M 75 µm 250 µm 0.95 A/W 0.03 nA 0.65 pF 5 mA max 2 GHz 50 V Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-8M)
FCI-InGaAs-12M 70 µm 250 µm 0.95 A/W 0.03 nA 0.65 pF 5 mA max 2 GHz 50 V 20 V max Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-12M)
FCI-InGaAs-16M 75 µm 250 µm 0.95 A/W 0.03 nA 0.65 pF 5 mA max 2 GHz 50 V Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-16M)
 
電気-光学 特性 (per 1 element)
Model Number Storage Temp Operating Temp Click Image to Zoom
FCI-InGaAs-4M -40 to +85 °C 0 to +70 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-4M)
FCI-InGaAs-8M -40 to +85 °C 0 to +70 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-8M)
FCI-InGaAs-12M -40 to +85 °C 0 to +70 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-12M)
FCI-InGaAs-16M -40 to +85 °C 0 to +70 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-16M)

カタログ

フォトダイオード アンプ ハイブリッド

1.25Gbps / 2.5Gbps フォトダイオード アンプ ハイブリッド

InGaAs フォトディテクター/トランスインピーダンス アンプ
FCI-H125/250G-InGaAs-XX シリーズ

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット、ファイバー チャンネル、ATM、SONET/ OC-48 / SDH STM-16
特徴: InGaAs フォトディテクター/低ノイズ トランスインピーダンス アンプ、広帯域/ワイド ダイナミック レンジ、4ピン密封TO-46パッケージ、+3.3Vから+5V電源、1100nmから1650nm、差動出力

Model Number Active Area Diameter Supply Voltage Supply Current Operating Wavelength Responsivity Transimpedence Sensitivity Bandwidth Low Frequency Cutoff Differential Output Output Impedence Transimpedence Linear Range Click Image to Zoom
FCI-H125G-InGaAs-75 75 µm +3 to +5.5 V 55 mA 1100-1650 nm 2500 V/W 
at -17dBm; Differential
2800 Ω 
-17dBm; Differential
-28 dBm 
at BER 10-10; PRBS2-7-1
900 MHz 
at -3dB; Small Signal
45 kHZ 
at -3dB
250 mV p-p 
-3dBm
50 Ω 30 µW p-p min Click to View Larger Image of (FCI-H125G-InGaAs-75)
FCI-H250G-InGaAs-75 75 µm +3 to +5.5 V 35 mA 1100-1650 nm 2500 V/W 
at -17dBm; Differential
2800 Ω 
-17dBm; Differential
-24 dBm 
at BER 10-10; PRBS2-7-1
1750 MHz 
at -3dB; Small Signal
30 kHZ 
at -3dB
400 mV p-p 
-3dBm
50 Ω 40 µW p-p min Click to View Larger Image of (FCI-H250G-InGaAs-75)
 
電気-光学 特性
Model Number Optical Overload
(min)
Storage Temp Operating Temp SupplyVoltage2 Input Optical Power Click Image
to Zoom
FCI-H125G-InGaAs-75 -3 dBm From -40 to 125 °C From -40 to 85 °C From 0 to 5.5 V From — to -3 dBm Click to View Larger Image of (FCI-H125G-InGaAs-75)
FCI-H250G-InGaAs-75 0 dBm From -40 to 125 °C From -40 to 85 °C From 0 to 5.5 V From — to -3 dBm Click to View Larger Image of (FCI-H250G-InGaAs-75)

622Mbps フォトダイオード アンプ ハイブリッド

InGaAs フォトディテクター/トランスインピーダンス アンプ

FCI-H622M-InGaAs-75 シリーズ

応用: 高速光通信、ATM、SONET OC-3 / OC-12、SDH STM-1 / STM-4、光レシーバー
特徴: 低ノイズ トランスインピーダンス アンプ、広帯域 / ワイド ダイナミック レンジ、+3.3V 電源、1100nmから1700nm、差動出力
密封4ピンTO-46パッケージ スタンダード (オプション端子FC, SC, ST, SMA)

電気-光学 特性
Model Number Active Area
Diameter
Supply Voltage Supply Current Operating Wavelength Responsivity Transimpedence Sensitivity Bandwidth Differential Output Output Impedence Package Click Image to Zoom
FCI-H622M-InGaAs-75 75 µm +3 to +3.6 V 22 mA 
0 to 70°C
1100 to 1650 nm 16 V/mW 
-37dBm;-28dBm 
differential
18 kΩ 
V/mW 
-37dBm;-28dBm 
differential
-32 dBm 
BER 10-10; PRBS2-7-1 with noise filter
520 MHz 
-3dB; Small Signal
240 mV p-p 
0dBm
75 Ω 
Single-ended
FCI-H622M-InGaAs-75 No image found for (FCI-H622M-InGaAs-75)
 
電気-光学 特性
Model Number Optical Overload (min) Storage Temp Operating Temp SupplyVoltage2 Input Optical Power Package Click Image
to Zoom
FCI-H622M-InGaAs-75 0 dBm From -40 to 125 °C From -40 to 85 °C From 0 to 5.5 V From — to -3 dBm FCI-H622M-InGaAs-75 No image found for (FCI-H622M-InGaAs-75)

カタログ

背面照射 InGaAs フォトダイオード

背面照射InGaAs フォトダイオード/アレイ

FCI-InGaAs-300B1XX シリーズ
シングルまたは4または8素子アレイ

応用: 高速光通信、マルチチャンネル 光ファイバー レシーバー、パワーモニタリング、シングル/マルチモード光ファイバー レシーバー、高速イーサネット、SONET/SDH OC-3/STM-1 ATM、計測器 アナログ レシーバー
特徴: 背面照射、前面背面の両面で高感度、低ノイズ、900nmから1700nm

Model Number Active Area Diameter Pitch Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Reverse Current Forward Current Bandwidth Breakdown Voltage Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-300B1 300 µm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF 
Vr=-5V
5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1µm Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1)
FCI-InGaAs-300B1x4 300 µm 500 µm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF 
Vr=-5V
5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1µm Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1x4)
FCI-InGaAs-300B1x8 300 µm 500 µm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF 
Vr=-5V
5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1µm Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1x8)
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Click Image to Zoom
FCI-InGaAs-300B1 From -40 to 85 °C From -40 to 85 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1)
FCI-InGaAs-300B1x4 From -40 to 85 °C From -40 to 85 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1x4)
FCI-InGaAs-300B1x8 From -40 to 85 °C From -40 to 85 °C Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300B1x8)

カタログ

フォトダイオード セラミック アセンブリー

ブロードバンド ARコート InGaAs フォトダイオード

広帯域反射防止コーティング InGaAs フォトダイオード

応用: 波長ロッカー/ 波長モニタリング、レーザーモニタリング、DWDM、計測器
特徴: 反射06%以下、 低ノイズ、高感度、高速、900nm から1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Capacitance Dark Current Max Reverse Voltage Max Reverse Current MAx Forward Current Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-WCER-LR 0.85 A/W 0.90 A/W 15 pF Vr=5.0V 1 nA Vr=5.0V 20 V 2 mA 5 mA No image found for (FCI-InGaAs-WCER-LR)
 

カタログ

セラミック サブマウント 高速InGaAs フォトダイオード

FCI-InGaAs-XXX-WCER アクティブ エリア 70μm 120μm 300μm 400μm 500μm

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET / SDH / ATM、ダイオード レーザー モニター、計測器
特徴: 低ノイズ、高感度、高速、900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area Diameter Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75WCER 75 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75WCER)
FCI-InGaAs-120WCER 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120WCER)
FCI-InGaAs-300WCER 300 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA 
Vr=5.0V
10 pF 
Vr=5.0V
1.5 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300WCER)
FCI-InGaAs-400WCER 400 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA 
Vr=5.0V
14 pF 
Vr=5.0V
3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400WCER)
FCI-InGaAs-500WCER 500 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA 
Vr=5.0V
20 pF 
Vr=5.0V
10 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500WCER)
 
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75WCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75WCER)
FCI-InGaAs-120WCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120WCER)
FCI-InGaAs-300WCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300WCER)
FCI-InGaAs-400WCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400WCER)
FCI-InGaAs-500WCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-WCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500WCER)

カタログ

角度付きセラミック サブマウント InGaAs フォトダイオード

5°の傾斜で後方反射を低減
FCI-InGaAs-XXX-ACER アクティブ エリア 70μm 120μm 300μm 400μm 500μm

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET / SDH / ATM、ダイオード レーザー モニター、計測器
特徴: 5°傾斜セラミック、低ノイズ、高感度、高速、900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area Diameter Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75ACER 75 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75ACER)
FCI-InGaAs-120ACER 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120ACER)
FCI-InGaAs-300ACER 300 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA 
Vr=5.0V
10 pF 
Vr=5.0V
1.5 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300ACER)
FCI-InGaAs-400ACER 400 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA 
Vr=5.0V
14 pF 
Vr=5.0V
3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400ACER)
FCI-InGaAs-500ACER 500 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA 
Vr=5.0V
20 pF 
Vr=5.0V
10 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500ACER)
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75ACER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75ACER)
FCI-InGaAs-120ACER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120ACER)
FCI-InGaAs-300ACER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300ACER)
FCI-InGaAs-400ACER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400ACER)
FCI-InGaAs-500ACER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-ACER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500ACER)

カタログ

リード セラミック サブマウント 高速 InGaAs フォトダイオード

FCI-InGaAs-XXX-LCER  アクティブ エリア 70μm 120μm 300μm 400μm 500μm

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET / SDH / ATM、ダイオード レーザー モニター、計測器
特徴: 低ノイズ、高感度、高速、900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area Diameter Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75LCER 75 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75LCER)
FCI-InGaAs-120LCER 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120LCER)
FCI-InGaAs-300LCER 300 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA 
Vr=5.0V
10 pF 
Vr=5.0V
1.5 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300LCER)
FCI-InGaAs-400LCER 400 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA 
Vr=5.0V
14 pF 
Vr=5.0V
3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400LCER)
FCI-InGaAs-500LCER 500 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA 
Vr=5.0V
20 pF 
Vr=5.0V
10 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500LCER)
 
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75LCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75LCER)
FCI-InGaAs-120LCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120LCER)
FCI-InGaAs-300LCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300LCER)
FCI-InGaAs-400LCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400LCER)
FCI-InGaAs-500LCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-LCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500LCER)

カタログ

キャビティー セラミック サブマウント高速InGaAs フォトダイオード

FCI-InGaAs-XXX-CCER  アクティブ エリア 70μm 120μm 300μm 400μm 500μm

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET / SDH / ATM、ダイオード レーザー モニター、計測器
特徴: 低ノイズ、高感度、高速、900nmから1700nm

電気-光学 特性
Model Number Active Area Diameter Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75CCER 75 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75CCER)
FCI-InGaAs-120CCER 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120CCER)
FCI-InGaAs-300CCER 300 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.3 nA 
Vr=5.0V
10 pF 
Vr=5.0V
1.5 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300CCER)
FCI-InGaAs-400CCER 400 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.4 nA 
Vr=5.0V
14 pF 
Vr=5.0V
3 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400CCER)
FCI-InGaAs-500CCER 500 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 0.5 nA 
Vr=5.0V
20 pF 
Vr=5.0V
10 ns 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500CCER)
 
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-75CCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-75CCER)
FCI-InGaAs-120CCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120CCER)
FCI-InGaAs-300CCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-300CCER)
FCI-InGaAs-400CCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-400CCER)
FCI-InGaAs-500CCER -40 to 85 °C 0 to 70 °C 260 °C FCI-InGaAs-XXX-CCER Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-500CCER)

カタログ

10Gbps InGaAs フォトダイオード

FCI-InGaAs-36C

応用: 高速光通信、OC-92、オプティカル ネットワーク、光計測
特徴: 高速 10Gbps データレート、低暗電流、前面照射、高感度、代表値0.8A/W@1550nm、受光エリア直径36μm、低キャパシタンス

電気-光学 特性
Model Number Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Dark Current Capacitance Bandwidth Breakdown Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-36C 0.85 A/W 0.8 A/W 0.5 nA 0.16 pF 9 GHz 20 V FCI-InGaAs-36C No image found for (FCI-InGaAs-36C)

カタログ

フォトダイオード ピッグテール アセンブリー

FCI-InGaAs-XX-XX-XX アクティブ エリア 70μm 120μm

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット/ファイバー チャンネル、SONET / SDH / ATM、オプティカル パワー モニター、計測器
特徴: 低ノイズ、高感度、高速、900nmから1700nm、低バック リフレクション

電気-光学 特性
Model Number Active Area
Diameter
Responsivity 1310nm Responsivity 1550nm Back Reflection Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Voltage Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-70-XX-XX 70 µm 0.85 A/W 0.9 A/W -40 dB at SMF 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns max 
Vr=5.0V
FCI-InGaAS-70-XX-XX Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-70-XX-XX)
FCI-InGaAs-120-XX-XX 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W -40 dB at SMF 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns max 
Vr=5.0V
FCI-InGaAs-120-XX-XX Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120-XX-XX)
FCI-InGaAs-70C-XX-XX 70 µm 0.9 A/W 0.95 A/W -40 dB at SMF 0.03 nA 
Vr=5.0V
0.65 pF 
Vr=5.0V
0.2 ns max 
Vr=5.0V
FCI-InGaAS-70C-XX-XX No image found for (FCI-InGaAs-70C-XX-XX)
FCI-InGaAs-120C-XX-XX 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W -40 dB at SMF 0.05 nA 
Vr=5.0V
1 pF 
Vr=5.0V
0.3 ns max
Vr=5.0V
FCI-InGaAS-120C-XX-XX No image found for (FCI-InGaAs-120C-XX-XX)
電気-光学 特性
Model Number Storage Temp Operating Temp Package Click Image
to Zoom
FCI-InGaAs-70-XX-XX -20 to +90 °C 0 to +75 °C FCI-InGaAS-70-XX-XX Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-70-XX-XX)
FCI-InGaAs-120-XX-XX -20 to +90 °C 0 to +75 °C FCI-InGaAs-120-XX-XX Click to View Larger Image of (FCI-InGaAs-120-XX-XX)
FCI-InGaAs-70C-XX-XX -20 to +90 °C 0 to +75 °C FCI-InGaAS-70C-XX-XX No image found for (FCI-InGaAs-70C-XX-XX)
FCI-InGaAs-120C-XX-XX -20 to +90 °C 0 to +75 °C FCI-InGaAS-120C-XX-XX No image found for (FCI-InGaAs-120C-XX-XX)

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