シリコンフォトダイオード　OSI Optoelectronics

シリコンフォトダイオード
OSI社は様々な性能と構成を持つシリコンPINフォトダイオードとアバランシェフォトダイオードを幅広く取り揃えています。

1064nm Nd: YAGフォトダイオード

シリコン　フォトダイオード　OSI
Nd:YAGシリーズシリコンフォトダイオードはNd:YAGレーザー光の波長である1064nmで
の高応答性に最適化されたフォトダイオードです。
低キャパシタンスで高速応答が可能です。
低ノイズで高応答なため、測距アプリケーションにおいてNd:YAGレーザービームを照射した物体からの反射光など、微弱な光の測定に適しています。
このフォトダイオードは低ノイズを必要とするアプリケーションではフォトボルティックモー
ド（非バイアス）で、高速アプリケーションではフォトコンダクティブモード（バイアス）で動
作させることができます。

アプリケーション

Nd:YAGレーザーポインティング
レーザーポインティング・ポジショニング
位置測定
表面形状測定
ガイダンスシステム

特徴

1064nmの高応答性
高ブレークダウン電圧
大面積
高速
高精度

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Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Package
PDF	PIN-5-YA G	5.1 mm²	2.54 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	5 nA	5 pF	TO-5
PDF	PIN-100-Y AG	100 mm²	11.28 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	75 nA	30 pF	Metal
PDF	SPOT-9-Y AG	19.6 mm²	10 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	20 nA	7 pF	Metal
PDF	SPOT-11- YAG-FL	26 mm²	11.5 Φ mm	1000 nm	0.42 A/W	7 nA	12 pF	Metal
PDF	SPOT-13- YAG-FL	33.7 mm²	13.1 Φ mm	1000 nm	0.42 A/W	8 nA	14 pF	Metal
PDF	SPOT-15- YAG	38.5 mm²	14.0 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	50 nA	15 pF	Metal

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アバランシェフォトダイオード (APD)

アバランシェフォトダイオード (APD)　OSI
シリコンアバランシェフォトダイオードは衝撃電離による利得を得るために、内部逓倍（internal multiplication）を利用しています。
その結果、最適化された高応答性デバイスのシリーズが生まれ、優れた感度を示します。
光ファイバーアプリケーション用にフラットウィンドウまたはボールレンズを使用した数種類のサイズのディテクターを提供しています。

アプリケーション

光ファイバー通信
レーザー距離計
高速測光

特徴

低バイアス動作
低温度係数: 0.45 V/℃
高感度、低ノイズ
高帯域幅

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Datasheet	Model Number	Active Area Diameter	Active Area	Gain	Responsivity @ Gain M	Dark Current @ Gain M	Capacitance	Bandwidth @ Gain M 800nm	Breakdown Voltage	Package
PDF	APD02-8-150-xxxxm	0.2 mm	0.3 mm2	100	50 A/W	0.05 nA	1.5 pF	1000 MHz	150 V	T-52
PDF	APD05-8-150-xxxx	0.5 mm	0.19 mm2	100	50 A/W	0.1 nA	3 pF	900 MHz	150 V	T-52
PDF	APD10-8-150-xxxx	1 mm	0.78 mm2	100	50 A/W	0.2 nA	6 pF	600 MHz	150 V	T-52
PDF	APD15-8-150-xxxx	1.5 mm	1.77 mm2	100	50 A/W	0.5 nA	10 pF	350 MHz	150 V	TO-5
PDF	APD30-8-150-xxxx	3 mm	7 mm2	60	30 A/W	1 nA	40 pF	65 MHz	150 V	TO-5
PDF	APD50-8-150-xxxx	5 mm	19.6 mm2	40	20 A/W	3 nA	105 pF	25 MHz	150 V	TO-8

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背面照射型SMTフォトダイオード

背面照射型SMTフォトダイオード OSI
BI-SMTシリーズはデバイス端のデッドエリアを最小限に抑えるように設計された1チャンネル背面照射型シリコンフォトダイオードです。
各デバイスはチップサイズそのものに近い寸法のパッケージ上に設計されています。
この設計により、複数の検出器をタイル状に配置することができ、必要に応じてシンチレータとのカップリングも容易に行えます。

アプリケーション

X線検査
コンピュータ断層撮影
一般産業用

特徴

チップサイズパッケージ
容易なシンチレータへのカップリング
パターン電極

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Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Shunt Resistancence	Capacitance	Rise time	Package
PDF	33BI-SMT	5.76 mm²	2.4 x 2.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.02 nA	500 MΩ	50 pF	10 µs	SMT
PDF	155BI-SMT	19.36 mm²	4.4 x 4.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.04 nA	250 MΩ	200 pF	20 µs	SMT
PDF	1010BI-SMT	88.36 mm²	9.4 x 9.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.16 nA	1 MΩ	900 pF	20 µs	SMT

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後方散乱フォトディテクター

後方散乱フォトディテクター　OSI

OSI社はTO-5およびTO-8メタルパッケージの環状4分割の後方散乱フォトディテクターを提供しています。
350nm～1100nmの感度を持つデバイスです。
200μmのレーザードリル穴は、LCフェルールとのカップリングに最適です。

アプリケーション

反射率測定用の後方散乱ディテクター

特徴

範囲：350～1100nm
クワドラント（4分割）ディテクター
Φ200μm レーザーカットホールオンチップ
LCフェルールとのカップリングに最適な環状パッケージ設計

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Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Element Gap	Responsivity @ 790nm	Capacitance	Dark Current	Rise Time	Package
	PDF	SPOT4D-0	1.69 mm2	1.3 x1.3 mm	0.127 mm	0.52 A/W	5 pF	0.1 nA	5 ns	TO-5
	PDF	SPOT9D-0	19.5 mm2	Ø 10	0.014 mm	0.52 A/W	60 pF	0.5 nA	6 ns	Low Profile

※表内のカタログ全て同一です。

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ブルーエンハンスドフォトダイオード

ブルーエンハンスドフォトダイオード　OSI
シリコンブルーシリーズは高感度と中程度の応答速度を必要とするアプリケーションに使用され、ブルーエンハンスドシリーズでは可視～青色領域での感度が追加されています。
スペクトル応答範囲は350～1100 nmで、可視および近赤外域のアプリケーションに最適なフォトボルティック変換デバイスです。
これらの検出器は高いシャント抵抗と低ノイズを備え、長期的な安定性を示しています。
これらの検出器の偏りのない動作により、DCまたは低速アプリケーションの広い温度変化下で安定性が得られます。
高い光量 (10mW/cm2以上) ではフォトコンダクティブシリーズがより良い線形性を発揮します。

アプリケーション

比色計
光度計
分光装置
蛍光

特徴

超低ノイズ
高シャント抵抗
広いダイナミックレンジ
ブルーエンハンスド

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Datasheet	Model Number	Active Area	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
PDF	OSD1-5T	1 mm²	0.21 A/W	250 GΩ	35 pF	7 ns	TO-18
PDF	OSD3-5T	3 mm²	0.21 A/W	100 GΩ	80 pF	9 ns	TO-18
PDF	OSD5-5T	5 mm²	0.21 A/W	100 GΩ	130 pF	9 ns	TO-5
PDF	OSD15-5T	15 mm²	0.21 A/W	50 GΩ	390 pF	12 ns	TO-5
PDF	OSD60-5T	62 mm²	0.21 A/W	3 GΩ	1800 pF	30 ns	TO-8
PDF	OSD100-5TA	100 mm²	0.21 A/W	2 GΩ	2500 pF	45 ns	Special
PDF	PIN-040DP/SB	0.81 mm²	0.20 A/W	600 GΩ	60 pF	0.02 ns	TO-18
PDF	PIN-5DP/SB	5.1 mm²	0.20 A/W	150 GΩ	450 pF	0.2 ns	TO-5
PDF	PIN-10DP/SB	100 mm²	0.20 A/W	10 GΩ	8800 pF	2 ns	BNC
PDF	PIN-10DPI/SB	100 mm²	0.20 A/W	10 GΩ	8800 pF	2 ns	Metal
PDF	PIN- 220DP/SB	200 mm²	0.20 A/W	5 GΩ	17000 pF	4 ns	Plastic

※表内のカタログ全て同一です

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BPX65-100　フォトダイオードアンプハイブリッド

BPX65-100　フォトダイオードアンプハイブリッド
BPX65-100レシーバーはBPX-65超高速フォトダイオードとNE5212(Signetics) トランスインピーダンスアンプが組み込まれています。
標準品にはSTコネクタとSMAコネクタのバージョンがあります。

アプリケーション

100Mbs光通信
ファイバーパッチコードカップリング
シリコンベースの光レシーバー

特徴

帯域幅：140MHz
差動トランスレジスタンス：14KΩ
スペクトル範囲：400nm～1000nm
トランスインピーダンスアンプ： 2.5 pA/√Hz

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Datasheet	Model Number	Power supply	Responsivity	Amplifier Gain	Data Rate Max.	Fiber Connector	Package
PDF	BPX65-100	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	None	TO-18
PDF	BPX65-100	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	ST	ST
PDF	BPX65-100SMA	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	SMA	SMA

※表内のカタログ全て同一です.

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ディテクター光学フィルターコンビネーション

ディテクター光学フィルターコンビネーション　OSI
ディテクターフィルターコンビネーションシリーズはフィルターとフォトダイオードを組み合わせて、独自の分光感度特性を実現します。 OSI社では多くの標準品とカスタム品の組み合わせを提供しています。ご要望に応じて全てのディテクターフィルターの組み合わせに、アンペア/ワット、アンペア/ルーメン、アンペア/ルクス、アンペア/フートキャンドルの単位で指定したNISTトレーサブルキャリブレーションデータを提供することが可能です。

アプリケーション

分析化学
分光光度法
濃度計
測光/放射測定
分光放射分析
医療機器
液体クロマトグラフィー

特徴

CIEマッチ（APシリーズ）
フラットバンド応答（DF）
254ナローバンドパス
アンプハイブリッド付
BNCパッケージ

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※表内のカタログ全て同一です。

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デュアルラテラルポジションセンシングディテクター(PSD)　一次元・二次元

デュアルラテラルポジションセンシングディテクター(PSD)　一次元・二次元　OSI
スーパーリニアポジションセンサーは最新のデュオラテラル技術により、アクティブエリアの中心から光スポットのセントロイドの変位に比例した連続的なアナログ出力を提供します。
連続位置センサーとして検出エリアの64%にわたって99%の位置精度を提供する、比類のない製品です。
この精度はチップの上部と下部にそれぞれ2つの抵抗層を設けるデュオラテラル技術によって実現されました。
これらのセンサーを使用することで、一次元または二次元の位置測定が可能です。
高照度下で最適な電流直線性を得るためには、これらの検出器に逆バイアスを印加する必要があります。

アプリケーション

ビームアライメント
位置センシング
角度測定
表面形状測定
高さ測定
ターゲティング
ガイダンスシステム
モーション分析

スーパーリニア

超高精度
広いダイナミックレンジ
高信頼性
デュオラテラル構造

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Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Inter-Electrode Resistance (min)	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) ONE-DIMENSIONAL
	PDF	SL3-1	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	15 kΩ	0.4 A/W	5 nm	3 pF	0.04 µs	TO-5
	PDF	SL5-1	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	20 kΩ	0.4 A/W	10 nm	5 pF	0.10 µs	TO-8
	PDF	SL3-2	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	15 kΩ	0.4 A/W	5 nm	3 pF	0.04 µs	8-PIN DIP
	PDF	SL5-2	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	20 kΩ	0.4 A/W	10 nm	5 pF	0.10 µs	8-PIN DIP
	PDF	SL15	15 mm²	15 x 1 mm	15 µm	60 kΩ	0.4 A/W	150 nm	15 pF	0.60 µs	25-PIN DIP
	PDF	SL30	120 mm²	30 x 4 mm	30 µm	40 kΩ	0.4 A/W	150 nm	125 pF	1.00 µs	Ceramic
	PDF	SL76-1	190 mm²	76 x 2.5 mm	76 µm	120 kΩ	0.4 A/W	100 nm	190 pF	14.00 µs	Special
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) TWO-DIMENSIONAL
	PDF	DL-2	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	30 nm	10 pF	0.03 µs	TO-8
	PDF	DLS-2	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	10 nm	8 pF	0.03 µs	TO-8
	PDF	DLS-2S	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	10 nm	8 pF	0.03 µs	TO-5
	PDF	DL-4	16 mm²	4 x 4 mm	50 µm	5 kΩ	0.4 A/W	50 nm	35 pF	0.08 µs	TO-8
	PDF	DLS-4	16 mm²	4 x 4 mm	50 µm	5 kΩ	0.4 A/W	25 nm	30 pF	0.08 µs	TO-8
	PDF	DL-10	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	500 nm	175 pF	0.20 µs	Special
	PDF	DL-20	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	2000 nm	600 pF	1.00 µs	Special
	PDF	DLS-10	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	50 nm	160 pF	0.20 µs	Ceramic
	PDF	DLS-20	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	100 nm	580 pF	1.20 µs	Ceramic
	PDF	DL-10C	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	500 nm	175 pF	0.60 µs	Ceramic
	PDF	DL-20C	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	2000 nm	600 pF	1.00 µs	Ceramic

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アイレスポンスフォトダイオード

アイレスポンスフォトダイオード　OSI
OSI社のアイレスポンスディテクターは高品質の色補正フィルターを使用したブルーエンハンスドディテクターです。
その結果、人間の目に近いスペクトル応答が得られます。

アプリケーション

測光/放射測定
医療機器
分析化学

特徴

人間の目に近い反応
TO缶パッケージ

Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity @900 nm	Dark Current	Shunt Resistance	Capacitance	Package
pdf	OSD35-LR-A*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	3 GΩ	1300 pF	Ceramic
pdf	OSD35-LR-D*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	0.3 GΩ	1300 pF	Ceramic
pdf	PIN-RD07	7.1 mm²	900 nm	0.55 A/W	0.2 nA	–	8.0 pF	TO-8
pdf	PIN-RD15	14.9 mm²	900 nm	0.58 A/W	1.0 nA	–	14 pF	TO-8
pdf	PIN-RD100	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	50 pF	Ceramic
pdf	PIN-RD100A	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	40 pF	Ceramic

完全空乏型放射線フォトダイオード

完全空乏型放射線フォトダイオード　OSI
大面積の高速ディテクターは高速応答のために可能な限り低いジャンクション容量を達成するため、完全に空乏化することができます。
また、最大許容値まで高い逆バイアスで動作させ、ナノ秒単位の高速応答を実現することも可能です。
この時の高い逆バイアスにより、接合部の有効電界が増加し、空乏領域での電荷収集時間が長くなります。
これは高応答性とアクティブ領域を犠牲にすることなく達成されます。

大面積放射線ディテクターは高エネルギーX線、Y線、電子、アルファ線、重イオンなどの高エネルギー粒子を測定するアプリケーションのために、完全に空乏化することも可能です。
これらの放射線は間接的な方法と直接的な方法の2つの異なる方法で測定することができます。

アプリケーション

1）大面積高速ディテクター

レーザー誘導ミサイル
レーザー警告• レーザー距離計
レーザーアライメント
制御システム

2）大面積放射線ディテクター

電子検出
医療機器
高エネルギー分光法
荷電粒子検出
高エネルギー物理学
核物理学

特徴

1）大面積高速ディテクター

広いアクティブエリア
完全空乏型
早い反応
超低暗電流
低容量

2）大面積放射線ディテクター

広いアクティブエリア
シンチレータ搭載可能
完全空乏型
超低暗電流
低容量
高耐圧

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Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity @900 nm	Dark Current	Shunt Resistance	Capacitance	Package
pdf	OSD35-LR-A*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	3 GΩ	1300 pF	Ceramic
pdf	OSD35-LR-D*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	0.3 GΩ	1300 pF	Ceramic
pdf	PIN-RD07	7.1 mm²	900 nm	0.55 A/W	0.2 nA	–	8.0 pF	TO-8
pdf	PIN-RD15	14.9 mm²	900 nm	0.58 A/W	1.0 nA	–	14 pF	TO-8
pdf	PIN-RD100	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	50 pF	Ceramic
pdf	PIN-RD100A	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	40 pF	Ceramic

※表内のカタログ全て同一です。

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高速フォトダイオード

高速フォトダイオード　OSI
OSI社の高速シリコンシリーズは高速応答や高帯域幅のアプリケーションに最適化された小面積デバイスです。
BPX-65は他のハイスピードシリーズを補完する、業界標準のデバイスです。
これらのデバイスのスペクトル範囲は350nm～1100nmまでです。
応答性と応答時間は最適化されており、HRシリーズは800nmで0.50 A/Wのピーク応答性と-5Vで数百ピコ秒の標準応答時間を実現しています。

アプリケーション

ビデオシステム
コンピューターと周辺機器
工業用制御
ガイダンスシステム
レーザー監視

特徴

低暗電流
低容量
TO-46パッケージ
レンズキャップ付
サブナノ秒応答

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Datasheet	Model Number	Active Area Dimensions	Responsivity @830nm (Typ)	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
pdf	FCI-HR005	0.127 Φ mm	0.5 A/W	0.03 nA	0.8 pF	0.75 ns	TO-18
pdf	FCI-HR008	0.203 Φ mm	0.5 A/W	0.03 nA	0.8 pF	0.75 ns	TO-18
pdf	FCI-HR020	0.508 Φ mm	0.5 A/W	0.06 nA	1.8 pF	1 ns	TO-18
pdf	FCI-HR026	0.66 Φ mm	0.5 A/W	0.01 nA	2.6 pF	1.1 ns	TO-18
pdf	FCI-HR040	0.991 Φ mm	0.5 A/W	0.3 nA	4.9 pF	1.2 ns	TO-18
pdf	BPX-65	1.0 sq mm	0.5 A/W	0.5 nA	3 pF	2 ns	TO-18

※表内のカタログ全て同一です。

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リニアアレイ

リニアアレイ　OSI
マルチチャンネルアレイフォトディテクターは複数の単体フォトダイオードを隣接して配置し、共通のカソード基板上に一次元の受光領域を形成したものです。
移動ビームや多波長ビームの同時計測が可能です。
また、電気的クロストークが少なく、隣接する素子間の均一性が非常に高いため、高精度な測定が可能です。
アレイは多数のディテクターが必要な場合に低コストで使用できる代替手段です。
ディテクターは紫外、可視、近赤外域のいずれかに最適化されています。

応答時間を短縮するためにフォトコンダクティブモード（逆バイアス）、または低ドリフトのアプリケーションのためにフォトボルティックモード（非バイアス）で動作させることができます。
A2V-16はX線およびガンマ線領域の高エネルギーフォトンを測定するために、あらゆるシンチレータ結晶と結合することができます。
また、機械的に設計されているため、16個以上の素子が必要なアプリケーションでは複数個を互いに端から端まで装着することができます。

アプリケーション

レベルメーター
光学分光法
医療機器
高速測光
コンピューター断層撮影スキャナー
位置センサー

特徴

共通基板アレイ
超低クロストーク
UVエンハンスド（A5V-35UV）
低暗電流
低容量
はんだ付け可能

Datasheet	Model Number	Active Area Diameter Per Element	Number of Elements	Pitch	Responsivity at 1550 nm	Dark Current	Capacitance
PDF	A2V-16	75µm	16	1.59 mm	0.60 A/W	–	170 pF
PDF	A5C-35	75µm	35	0.99 mm	0.65 A/W	0.05 nA	12 pF
PDF	A5C-35	75µm	35	0.99 mm	0.60 A/W	–	340 pF
PDF	A5V-35UV	75µm	35	0.99 mm	0.06 A/W @ 254nm	–	340 pF
PDF	A5C-38	75µm	38	0.99 mm	0.65 A/W	0.05 nA	12 pF
PDF	A5C-38	75µm	38	0.99 mm	0.60 A/W	–	340 pF
PDF	A5C-76	75µm	76	0.31 mm	0.50 A/W	–	160 pF

※表内のカタログ全て同一です。

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マルチエレメントX線アレイフォトダイオード

マルチエレメントX線アレイフォトダイオード　OSI
このシリーズは16素子アレイで構成されており、個々の素子はグループ化され、PCBにマウントされています。

X線またはガンマ線アプリケーションのために、これらのマルチチャンネルディテクターはシンチレータマウントのオプション（BGO、CdWO4、CsI(TI)）を提供します。

BGO (Bismuth Germanate) ：理想的なエネルギー吸収体として、高エネルギー検出アプリケーションに広く受け入れられています。

CdWO4 (Cadmium Tungstate) ：十分な光量を示し、スペクトロメトリの結果を向上させることができます。

CsI (Cesium Iodide) ：高いエネルギー吸収能を持ち、機械的衝撃や熱ストレスに対して十分な耐性を備えています。

このシリコンアレイはシンチレータと組み合わせることで、中・高エネルギーの放射線を散乱効果により可視光に変換することができます。
また、特殊設計のプリント基板により、エンド・ツー・エンドの接続が可能です。複数のアレイを使用することで、より大規模なアセンブリが必要な場合にも対応できます。

アプリケーション

位置センサー
マルチチャンネルガンマカウント
X線セキュリティシステム

特徴

シンチレータプラットフォーム
バイアス5V
チャネル間隔の多様性

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多目的シリコン(Si)　フォトダイオード　フォトコンダクティブ（光伝導デバイス）

カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

フォトコンダクティブ　ディテクター(光伝導検出器）シリーズは高速、高感度の応用に最適です。スペクトル範囲は350nmから1100nmまでの可視から近赤外まで。連続、パルスレーザー、LED、チョッピング光の検出。高速検出のために、逆バイアスをかけます。典型的なレスポンス時間10nsec.から250nsec.は10Vの逆バイアスで達成します。逆バイアスはキャパシタンスは減少し、スピードが増します。逆バイアスは30V を超えないようにしてください。高いバイアスは検出器に損傷を与えます。逆バイアスは暗電流を生成します。デバイス内のバイアスも増加します。低ノイズのために、フォトボルテイック　シリーズを考慮してください。

フォトコンダクティブ　モード(PC)の説明 Photodiode Characteristics and Applications
アプリケーションノート Application Notes

フォトコンダクティブ　シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Reverse Bias	Package
OSD1-0	1 mm²	1.0 mm²	900 nm	0.54 A/W	1 nA	3 pF	10 ns	50 V	7 / TO-18
OSD5-0	5 mm²	2.5 Φ mm	900 nm	0.54 A/W	5 nA	8 pF	8 ns	50 V	5 / TO-5
OSD15-0	15 mm²	3.8 mm²	900 nm	0.54 A/W	8 nA	20 pF	9 ns	50 V	5 / TO-5
OSD35-0	35 mm²	5.9 mm²	900 nm	0.54 A/W	12 nA	46 pF	12 ns	50 V	3 / TO-8
OSD60-0	58 mm²	7.6 mm²	900 nm	0.54 A/W	15 nA	75 pF	14 ns	50 V	72 / TO-8
OSD100-0A	100 mm²	11.3 Φ mm	900 nm	0.54 A/W	30 nA	130 pF	19 ns	50 V	74 / Special
PIN-020A	0.20 mm²	0.51 F mm	970 nm	0.65 A/W	0.01 nA	1 pF	6 ns	30 V	1/TO-18
PIN-040A	0.81 mm²	1.02 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	0.05 nA	2 pF	8 ns	30 V	4 / TO-18
PIN-2DI ‡	1.1 mm²	0.81×1.37 mm	970 nm	0.65 A/W	0.10 nA	5 pF	10 ns	30 V	4 / TO-18
PIN-3CD	3.2 mm²	1.27 X 2.54 mm	970 nm	0.65 A/W	0.15 nA	12 pF	10 ns	30 V	7 / TO-18
PIN-3CDI	3.2 mm²	1.27 X 2.54 mm	970 nm	0.65 A/W	0.15 nA	12 pF	10 ns	30 V	4 / TO-18
PIN-5D	5.1 mm²	2.54 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	0.25 nA	15 pF	12 ns	30 V	2 / TO-5
PIN-5DI	5.1 mm²	2.54 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	0.25 nA	15 pF	12 ns	30 V	5 / TO-5
PIN-13D	13 mm²	3.6 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.35 nA	40 pF	14 ns	30 V	2 / TO-5
PIN-13DI	13 mm²	3.6 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.35 nA	40 pF	14 ns	30 V	5 / TO-5
PIN-6D	16.4 mm²	4.57 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	17 ns	30 V	3 / TO-8
PIN-6DI	16.4 mm²	4.57 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	17 ns	30 V	8 / TO-8
PIN-44D	44 mm²	6.6 mm²	970 nm	0.65 A/W	1 nA	130 pF	24 ns	30 V	3 / TO-8
PIN-44DI	44 mm²	6.6 mm²	970 nm	0.65 A/W	1 nA	130 pF	24 ns	30 V	6 / TO-8
PIN-10D	100 mm²	11.28 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	2 nA	300 pF	43 ns	30 V	11 / BNC
PIN-10DI	100 mm²	11.28 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	2 nA	300 pF	43 ns	30 V	10 / Lo-Prof
PIN-25D	613 mm²	27.9 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	15 nA	1800 pF	250 ns	30 V	12 / BNC

プラスチック　パッケージ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Reverse Bias	Package
FIL-5C	5.1 mm²	2.54 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	1 nA	15 pF	12 ns	30 V	14 / Plastic
FIL-20C	16.4 mm²	4.57 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	5 nA	60 pF	17 ns	30 V	14 / Plastic
FIL-44C	44 mm²	6.6 mm²	970 nm	0.65 A/W	8 nA	130 pF	24 ns	30 V	15 / Plastic
FIL-100C	100 mm²	11.28 Φ mm	970 nm	0.65 A/W	12 nA	300 pF	43 ns	30 V	15 / Plastic
PIN-220D	200 mm²	10 x 20 mm	970 nm	0.65 A/W	15 nA	600 pF	75 ns	30 V	27 / Plastic

‡ The ‘I’ suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case. § The photodiode chips in “FIL” series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as “in line” pins.

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多目的Siフォトダイオード　フォトボルテイック　デバイス　(光起電力デバイス)

カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

フォトボルテイック　ディテクター(光起電力検出器）は高感度、中程度の応答時間の応用に使用します。波長感度は可視から近赤外、350nmから1100nmまで、350nmから550nmまでのブルー領域の感度を上げたブルーエンハンス　デバイスがあります。これらは高シャント抵抗、低ノイズ、長時間安定です。バイアス無しで、広範囲の温度変動下でDC、低速度の応用に安定して動作します。
10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、より良い直線性のためにフォトコンダクティブ　ディテクター(光伝導検出器）をおすすめします。
フォトボルテイック　ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。3V以上で検出器が損傷します。高速の応用のためにフォトコンダクティブ　ディテクター(光伝導検出器）をおすすめします。

フォトボルテイック(PV)の説明　Photodiode Characteristics and Applications
応用　Application Notes

フォトボルテイック　シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise TIme	Package
CD-1705	0.88 mm²	.93 mm²	850 nm	0.60 A/W	10 GO	70 pF	2000 ns	71/Plastic
PIN-2DPI ‡	1.1 mm²	0.81 x 1.37 mm	970 nm	0.60 A/W	10 GO	150 pF	30 ns	4 /TO-18
PIN-125DPL	1.6 mm²	1.27 mm²	970 nm	0.60 A/W	10 GO	160 pF	30 ns	8 / TO-18
PIN-3CDP	3.2 mm²	1.27 x 2.54 mm	970 nm	0.60 A/W	5.0 GO	320 pF	50 ns	7 / TO-18
PIN-3CDPI	3.2 mm²	1.27 x 2.54 mm	970 nm	0.60 A/W	5.0 GO	320 pF	50 ns	4 / TO-18
PIN-5DP	5.1 mm²	2.54 F mm	970 nm	0.60 A/W	4 GO	500 pF	60 ns	5 / TO-5
PIN-5DPI	5.1 mm²	2.54 F mm	970 nm	0.60 A/W	4 GO	500 pF	60 ns	5 / TO-5
PIN-13DP	13 mm²	3.6 mm²	970 nm	0.60 A/W	3.5 GO	1200 pF	150 ns	5 / TO-5
PIN-13DPI	13 mm²	3.6 mm²	970 nm	0.60 A/W	3.5 GΩ	1200 pF	150 ns	5 / TO-5
PIN-6DP	16.4 mm²	4.57 F mm	970 nm	0.60 A/W	2 GO	2000 pF	220 ns	6 / TO-8
PIN-6DPI	16.4 mm²	4.57 F mm	970 nm	0.60 A/W	2 GO	2000 pF	220 ns	3 / TO-8
PIN-44DP	44 mm²	6.6 mm²	970 nm	0.60 A/W	1.0 GO	4300 pF	475 ns	6 / TO-8
PIN-44DPI	44 mm²	6.6 mm²	970 nm	0.60 A/W	1.0 GO	4300 pF	475 ns	3 / TO-8
PIN-10DP	100 mm²	11.28 F mm	970 nm	0.60 A/W	0.20 GO	9800 pF	1000 ns	11 / BNC
PIN-10DPI	100 mm²	11.28 F mm	970 nm	0.60 A/W	0.20 GO	9800 pF	1000 ns	10 / Lo-Prof
PIN-25DP	613 mm²	27.9 F mm	970 nm	0.60 A/W	0.1 GO	60000 pF	6600 ns	12 / BNC

プラスチック　パッケージ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package	Click Image to Zoom
PIN-220DP	200 mm²	10 x 20 mm	970 nm	0.60 A/W	0.25 GΩ	20000 pF	2200 ns	27 / Plastic

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高速　シリコン(Si)　フォトダイオード

100Mbps / 155Mbps / 622Mbps フォトダイオード

大きなアクティブ　エリア、高速シリコン　フォトディテクター

短距離データ通信のためにデザインされた、ラージエリア、高速シリコン　ディテクター。3.3Vバイアスで低暗電流、低キャパシタンス。ベースユニットはマイクロレンズまたはARコート　フラットウインドウ付きの3ピン　TO-46パッケージ。

高速応答　シリーズ

Model Number	Storage Temp	Operating Temp	Soldering Temp	Package
FCI-HR005	-55 to +125 °C	-40 to +75 °C	260 °C	FCI-HR005
FCI-HR008	-55 to +125 °C	-40 to +75 °C	260 °C	FCI-HR008
FCI-HR020	-55 to +125 °C	-40 to +75 °C	260 °C	FCI-HR020
FCI-HR026	-55 to +125 °C	-40 to +75 °C	260 °C	FCI-HR026
FCI-HR040	-55 to +125 °C	-40 to +75 °C	260 °C	FCI-HR040

BPX-65

Model Number	Storage Temp	Operating Temp	Soldering Temp	Package	Click Image to Zoom
BPX-65	-40 to +100 °C	-25 to +85 °C	260 °C	BPX-65

1.25Gbps　フォトダイオード

ラージエリア　高速シリコンPINフォトダイオード
850nm 短距離光データ通信応用に最適化
3.3Vで高感度、ワイド帯域、低暗電流、低キャパシタンス

850nm トランシーバー、GBICs 1.25Gbpsまで　Gigabit イーサネットとファイバーチャンネルなどの応用
3ピンTO-46パッケージ　オプションでマイクロレンズ　キャップ　またはARコート　フラット　ウインドウ
オプションでFC, ST, SC, SMAファイバー端子が可能です。

電気-光学特性

Model Number	Active Area Diameter	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Fall Time	Reverse Voltage	Package
FCI-125G-006HRL	150 µm	0.36 A/W 850nm	20 pA Vr=3.3V	0.66 pF Vr=3.3V	38 ps Vr=3.3V	313 ps Vr=3.3V	—	FCI-125G-006HRL
FCI-125G-010HRL	250 µm	0.36 A/W 850nm	25 pA Vr=3.3V	0.96 pF Vr=3.3V	50 ps Vr=3.3V	429 ps Vr=3.3V	—	FCI-125G-010HRL
FCI-125G-012HRL	300 µm	0.36 A/W 850nm	30 pA Vr=3.3V	1.16 pF Vr=3.3V	69 ps Vr=3.3V	436 ps Vr=3.3V	—	FCI-125G-012HRL
FCI-125G-016HRL	400 µm	0.36 A/W 850nm	40 pA Vr=3.3V	1.73 pF Vr=3.3V	100 ps Vr=3.3V	449 ps Vr=3.3V	—	FCI-125G-016HRL

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UV エンハンス　フォトダイオード

200nmから1100nm
石英またはUV透過ウインドウ付き

反転層フォトダイオード

2種類のUV強化シリコン　フォトダイオードがあります。反転チャンネルシリーズと平面拡散シリーズです。
電磁スペクトルのUV領域において、低ノイズ検出のためにデザインされました。
反転層構造UV強化フォトダイオードは100%内部量子効率、低密度光の計測に適しています。高シャント抵抗、低ノイズ、高絶縁破壊電圧を有します。5Vから10Vの逆バイアス電圧で、均一性と量子効率は改善されます。

平面拡散構造(UV-Dシリーズ）UV強化フォトダイオードは低いキャパシタンスと高い応答時間で優位な点があります。これらは高い応答時間まで光電流の直線性があります。

平面拡散構造(UV-Dシリーズ）UV強化フォトダイオードには2種類のUVDとUVEがあります。
低キャパシタンス、高速応答、ワイド　ダイナミック　レンジのために、バイアスをかけてもいいです。または、温度変化で低ドリフトの応用ではフォトボルテイック(バイアス無し）モードで動作させます。

Inversion Layer, 金属パッケージ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity @ 254nm	Capacitance	Shunt Resistance	Rise Time	Package
UV-001	0.8 mm²	1.0 F mm	0.14 A/W	60 pF	500 MΩ	0.2 µs	5 / TO-5
UV-005	5.1 mm²	2.54 Φ mm	0.14 A/W	300 pF	200 MΩ	0.9 µs	5 / TO-5
UV-015	15 mm²	3.05 x 3.81 mm	0.14 A/W	800 pF	100 MΩ	2 µs	5 / TO-5
UV-20	20 mm²	5.08 Φ mm	0.14 A/W	1000 pF	50 MΩ	2 µs	6 / TO-8
UV-35	35 mm²	6.60 x 5.33 mm	0.14 A/W	1600 pF	30 MΩ	3 µs	6 / TO-8
UV-50	50 mm²	7.87 F mm	0.14 A/W	2500 pF	20 MΩ	3.5 µs	11 / BNC
UV-50L‡	50 mm²	7.87 F mm	0.14 A/W	2500 pF	20 MΩ	3.5 µs	10 / Lo-Prof
UV-100	100 mm²	11.28 Φ mm	0.14 A/W	0 4500 pF	10 MΩ	5.9 µs	11 / BNC
UV-100L	100 mm²	11.28 Φ mm	0.14 A/W	4500 pF	10 MΩ	5.9 µs	10 / Lo-Prof

Inversion Layer, プラスチック　パッケージ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity @ 254nm	Capacitance	Shunt Resistance	Rise Time	Package
FIL-UV005	5.1 mm²	2.54 Φ mm	0.14 A/W	300 pF	200 MΩ	0.9 µs	14 / Plastic
UV-35P	35 mm²	6.60 x 5.33 mm	0.14 A/W	1600 pF	—	3 µs	25 / Plastic
FIL-UV50	50 mm²	7.87 Φ mm	0.14 A/W	2500 pF	20 MΩ	3.5 µs	15 / Plastic

‡ The ‘I’ suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case.
§ The photdiode chips in “FIL” series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as “in line” pins.

平面拡散　フォトダイオード

応用：　汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴：　超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答

(New Product) UVDK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimension	Peak Wavelength	Responsivity @ 254nm	Capacitance	Shunt Resistance	Rise Time	Package
UV-005DK	5.7 mm²	2.4 sq	980 nm	0.33 A/W	65 pF	1 GΩ	0.2 µs	2 / TO-5
UV-013DK	13 mm²	3.6 sq	980 nm	0.33 A/W	150 pF	0.8 GΩ	0.5 µs	2 / TO-5
UV-035DK	34 mm²	5.8 sq	980 nm	0.33 A/W	380 pF	0.4 GΩ	1 µs	3 / TO-8
UV-100DK	100 mm²	10 sq	980 nm	0.33 A/W	1100 pF	0.2 GΩ	3 µs	10 / BNC

(New Product) UVDQ, 金属パッケージ, 石英ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity @ 254nm	Capacitance	Shunt Resistance	Rise Time	Package
UV-005DQ	5.7 mm²	2.4 sq	980 nm	0.12 A/W	65 pF	1 GΩ	0.2 µs	2 / TO-5
UV-013DQ	13 mm²	3.6 sq	980 nm	0.12 A/W	150 pF	0.8 GΩ	0.5 µs	2 / TO-5
UV-035DQ	34 mm²	5.8 sq	980 nm	0.12 A/W	380 pF	0.1 GΩ	1 µs	3 / TO-8
UV-100DQ	100 mm²	10 sq	980 nm	0.12 A/W	1100 pF	0.2 GΩ	3 µs	10 / BNC

(New Product) UVDQC, セラミック　パッケージ　石英ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimension	Peak Wavelength	Responsivity @ 200nm	Capacitance	Shunt Resistance	Rise Time	Package
UV-005DQC	5.7 mm²	2.4 sq	980 nm	0.12 A/W	65 pF	1 GΩ	0.2 µs	4 / Ceramic
UV-035DQC	34 mm²	5.8 sq	980 nm	0.12 A/W	380 pF	0.4 GΩ	1 µs	4 / Ceramic
UV-100DQC	100 mm²	10 sq	980 nm	0.12 A/W	1100 pF	0.2 GΩ	3 µs	4 / Ceramic

¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window
U) UV Transmitting Glass

平面拡散赤外抑制　フォトダイオード

応用：　汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴：　超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答

(New Product) UVEQ, 金属パッケージ　石英ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity @ 254nm	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
UV-005EQ	5.7 mm²	2.4 sq	720 nm	0.12 A/W	20 GΩ	140 pF	0.5 µs	2 / TO-5
UV-013EQ	13 mm²	3.6 sq	720 nm	0.12 A/W	10 GΩ	280 pF	1 µs	2 / TO-5
UV-035EQ	34 mm²	5.8 sq	720 nm	0.12 A/W	5 GΩ	800 pF	2 µs	3 / TO-8
UV-100EQ	100 mm²	10 sq	720 nm	0.12 A/W	2 GΩ	2500 pF	7 µs	10 / BNC

(New Product) UVEQC, セラミック　パッケージ　石英ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity @254nm	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
UV-005EQC	5.7 mm²	2.4 sq	720 nm	0.12 A/W	—	140 pF	0.5 µs	4 / Ceramic
UV-035EQC	34 mm²	5.8 sq	720 nm	0.12 A/W	—	800 pF	2 µs	4 / Ceramic
UV-100EQC	100 mm²	10 sq	720 nm	0.12 A/W	—	2500 pF	7 µs	4 / Ceramic

(New Product) UVEK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number	Active Area	Active Area Dimension	Peak Responsivity	Responsivity @ 200 nm	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
UV-005EK	5.7 mm²	2.4 sq	720 nm	0.34 A/W	20 GΩ	140 pF	0.5 µs	2/ TO-5
UV-013EK	13 mm²	3.6 sq	720 nm	0.34 A/W	10 GΩ	280 pF	1 µs	2 / TO-5
UV-035EK	34 mm²	5.8 sq	720 nm	0.34 A/W	5 GΩ	800 pF	2 µs	3 / TO-8
UV-100EK	100 mm²	10 sq	720 nm	0.34 A/w	2 GΩ	2500 pF	7 µs	10 / BNC

¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window
U) UV Transmitting Glass

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X線及び放射線検出器

このシリコン　フォトダイオードはシンチレーターやスクリーンを使用せずにX線領域で感度があります。
感度範囲　200nmから0.07nm (6eV から17.6keV)または17.6keV以上
取り外し可能なウインドウ、真空対応

ソフトX線、遠UV強化フォトダイオード

応用：　電子検出、医療機器、線量測定、放射線モニタリング、X線分光、荷電粒子検出
特徴：　直接検出、バイアス不要、高量子効率、低ノイズ、高真空/極低温対応、波長範囲0.070nmから1100nm

金属

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Shunt Resistance	Capacitance	NEP	Package
XUV-005	5 mm²	2.57 Φ mm	2000 MΩ	0.3 nF	2.9 e -15 W/√Hz	22 / TO-5
XUV-020	20 mm²	5.00 Φ mm	500 MΩ	1.2 nF	5.8 e – 15 W/√Hz	23 / TO-8
XUV-035	35 mm²	6.78 x 5.59 mm	300 MΩ	2 nF	7.4 e – 15 W/√Hz	23 / TO-8
XUV-100	100 mm²	11.33 Φ mm	100 MΩ	6 nF	1.3 e – 14 W/√Hz	28 / BNC

セラミック

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Shunt Resistance	Capacitance	NEP	Package	Click Image to Zoom
XUV-50C	50 mm²	8.02 Φ mm	200 MΩ	2 nF	9.1 e – 15 W/√Hz	25 / Ceramic
XUV-100C	100 mm²	10.00 mm²	100 MΩ	6 nF	1.3 e – 14 W/√Hz	25 / Ceramic

All XUV devices are supplied with removable windows.

完全に空乏化したフォトダイオード

ハイ　ブレイクダウン、ラージエリア完全空乏シリコン　フォトダイオード高エネルギーX線、X線と高エネルギー粒子、電子、アルファ線、重イオンの計測間接、直接測定

応用：レーザー応用、制御装置、電子検出、高エネルギー物理、医療機器
特徴：ラージ　アクティブ　エリア、完全な空乏、高速応答、超低暗電流、低キャパシタンス、高耐電圧、シンチレーターマウント可

超低ノイズ大口径シリコン(Si) フォトダイオード

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	NEP	Package	Click Image to Zoom
OSD35-LR-A	34.2 mm²	5.8 x 5.9 mm	830 nm	0.54 A/W at 900nm	3 GΩ	1300 pF	5.6 e-15 W/√Hz	25 / Ceramic
OSD35-LR-D	34.2 mm²	5.8 x 5.9 mm	830 nm	0.54 A/W at 900nm	0.3 GΩ	1300 pF	1.8 e-14 W/√Hz	25 / Ceramic

大口径　高速

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Depletion Voltage	Dark Current	Capacitance	Rise Time	NEP	Reverse Voltage	Package
PIN-RD07	7.1 mm²	3.00 Φ mm	900 nm	0.55 A/W at 900nm	48 V	0.2 nA	8.0 pF	1.5 ns	1.2 e-14 W/√Hz	—	26/TO-8
PIN-RD15	14.9 mm²	4.35 Φ mm	900 nm	0.58 A/W at 900nm	55 V	1.0 nA	14 pF	3.0 ns	2.5 e-14 W/√Hz	140 V	26 / TO-8
PIN-RD100	100 mm²	10 Sq mm	950 nm	0.60 A/W at 900nm	75 V	2 nA	50 pF	40 ns	3.2 e-14 W/√Hz	—	25 / Ceramic
PIN-RD100A	100 mm²	10 Sq mm	950 nm	0.60 A/W at 900nm	35 V	2 nA	40 pF	6 ns	3.4 e-14 W/√Hz	—	25 / Ceramic

Optically clear epoxy is used instead of glass window

マルチ　チャンネル　X線ディテクター

16素子アレイ：独立した素子はPCB上にグループ化してマウントされています。 X線またはガンマ線応用

応用：　ポジション　センサー、マルチチャンネル　ガンマ　カウンティング、X線セキュリティー装置
特徴：　シンチレーター　プラットフォーム、5V バイアス、チャンネル　スペース

フォトコンダクティブ　アレイ

Model Number	Number of Elements	Pitch	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Terminal Capacitance	Rise TIme	Reverse Bias	Package	Click Image to Zoom
A2C-16-1.57	16	1.57 mm	2.35 mm²	2.00 x 1.18 mm	0.59 A/W	28 pF	0.1 µs	5 V	A200C

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フォトダイオード　アレイ

応用：　レベル　メーター、分光、ポジション　センサー、コンピューター　トモグラフィー(断層撮影）スキャナー、、医療機器、高速測光
特徴：　共通基板アレイ、超低クロストーク、UV強化(A5V-35UV)、低暗電流、低キャパシタンス、はんだ付け可

フォトコンダクティブ　アレイ

Model Number	Number of Elements	Active Area per Element	Element Size	Pitch	Responsivity	Shunt Resistance	Dark Current	Capacitance	Open Circuit Voltage	Package	Click Image to Zoom
A5C-35	35	3.9 mm²	4.39 x 0.89 mm	0.99 mm	0.65 A/W	—	0.05 nA	12 pF (-10V)	—	54 / 40 PIN DIP
A5C-38	38	3.9 mm²	4.39 x 0.89 mm	0.99 mm	0.65 A/W	—	0.05 nA	12 pF (-10V)	—	54 / 40 PIN DIP

フォトボルテイック　アレイ

Model Number	Number of Elements	Active Area per Element	Element Size	Pitch	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package
A2V-16	16	1.92 mm²	1.57 x 1.22 mm	1.59 mm	0.60 A/W	—	170 pF (0V)	53 / PCB
A5V-35	35	3.9 mm²	4.39 x 0.89 mm	0.99 mm	0.60 A/W	—	340 pF (0V)	54 / 40 PIN DIP
A5V-38	38	3.9 mm²	4.39 x 0.89 mm	0.99 mm	0.60 A/W	—	340 pF (0V)	54 / 40 PIN DIP
A2V-76	76	1.8 mm²	6.45 x 0.28 mm	0.31 mm	0.50 A/W	—	160 pF (0V)	52 / Ceramic

UV エンハンス　アレイ

Model Number	Number of Elements	Active Area per Element	Element Size	Pitch	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package	Click Image to Zoom
A5V-35UV	35	3.9 mm²	4.39 x 0.89 mm	0.99 mm	0.06 A/W (254nm)	500 MΩ	340 pF	54 / 40 PIN DIP

The chips are equipped with 2″ long bare tinned leads soldered to all anodes and the common cathode.

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2色(二重）サンドイッチ　ディテクター

応用：　火炎温度センシング、分光光度計、デュアル波長検出、赤外温度計(熱処理、誘導加熱、金属部品加工）
特徴：　コンパクト、密閉シール、低ノイズ、ワイド波長範囲、リモート測定、w/TEC

冷却なし

Model Number	Detector Element	Active Area	Spectral Range	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise TIme	Dat Peak	Reverse Voltage	Package
PIN-DSIn	Si (top)	2.54 mm²	400 – 1100 nm	950 nm	0.55 A/W at 870nm	150 MΩ	450 pF	4 µs	1.2 e -+13 cm√Hz/W (870nm)	5 V	17 / TO-5
PIN-DSIn	InGaAs	1.50 mm²	1000 – 1800 nm	1300 nm	0.6 A/W	1 MΩ	300 pF	4 µs	8.4 e +11 cm√Hz/W	2 V	17 / TO-5
PIN-DSS	Si (top)	2.54 mm²	400 – 1100 nm	950 nm	0.45 A/W	500 MΩ	70 pF	10 µs	1.7 e +13 cm√Hz/W	5 V	17 / TO-5
PIN-DSS	Si	2.54 mm²	950 1100 nm	1060 nm	0.12 A/W	500 MΩ	70 pF	150 µs	4.7 e +12 cm√Hz/W	5 V	17 / TO-5

2ステージ　サーモエレクトリック(TE)冷却

Model Number	Detector Element	Active Area	Spectral Range	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Dat Peak	Reverse Voltage	Package	Click Image to Zoom
PIN-DSIN-TEC	Si (top)	2.54 mm²	—	950 nm	0.55 A/W at 870nm	—	450 pF	4 µs	1.2 e +13 cm√Hz/W (870nm)	—	24 / TO-8
PIN-DSIN-TEC	InGaAs	1.50 mm²	1000 – 1800 nm	1300 nm	0.6 A/W	1 MΩ	300 pF	4 µs	8.4 e +11 cm√Hz/W	2 V	24 / TO-8

§ @ 870 nm
‡ Thermo-Electric Cooler and Thermistor Specifications are specified in the tables below.

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Nd:YAG 最適化　フォトダイオード

Nd:YAGレーザー　1064 nm　高速、低ノイズ

応用：　Nd:YAGレーザー　ポインティング、レーザーポインティングとポジショニング、位置測定、表面プロファイニング、ガイダンス　システム
特徴：　Nd:YAG感度、高ブレイクダウン電圧、ラージ　アクティブ　エリア、高速、高精度/p>

単素子　フォトダイオード

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Capacitance	Rise Time	Reverse Bias	Package	Click Image to Zoom
PIN-5-YAG	5.1 mm²	2.54 Φ mm	1000 nm	0.60 A/W	5 pF	10 ns	200 V	2 / TO-5
PIN-100-YAG	100 mm²	11.28 Φ mm	1000 nm	0.60 A/W	25 pF	30 ns	200 V	20 / Metal

クオードラント　フォトダイオード

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Capacitance	Rise Time	Reverse Bias	Package
SPOT-9-YAG	19.6 mm²	10 Φ mm	1000 nm	0.40 A/W	8 pF	18 ns	200 V	20 / Metal
SPOT-11-YAG-FL	26 mm²	11.5 Φ mm	1000 nm	0.40 A/W	30 pF	15 ns	200 V	20 / Metal
SPOT-13-YAG-FL	38.5 mm²	13.1 Φ mm	1000 nm	0.40 A/W	15 pF	15 ns	300 V	29 / Metal
SPOT-15-YAG	38.5 mm²	14.0 Φ mm	1000 nm	0.60 A/W	15 pF	36 ns	300 V	20 / Metal

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アバランシェ　ダイオード　(APD)

ウルトラ　ハイ　ゲイン　シリコン　フォトダイオード

応用：　高速光通信、レーザー　レンジファインダー、バーコード　リーダー、光リモート　コントロール、医療機器、高速測光
特徴：　高速応答/QE、帯域幅/高速応答、低ノイズ、低バイアス電圧、密封TO-パッケージ

コンテンツ等

シリコン(Si) アバランシェ　フォトダイオード (APD)

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current (Max)	Terminal Capacitance	Breakdown Voltage Typ. (100µA)	Temperature Coefficient of Breakdown Voltage	Gain (800 nm)	Package
APD02-8-150-T52	.03 mm²	0.2 Φ mm	800 nm	50 A/W	1 nA	1.5 pF	150 V	.45 V/℃	100	65 / TO-52 or 66 / TO-52L
APD05-8-150-T52	.19 mm²	.5 Φ mm	800 nm	50 A/W	1 nA	3 pF	150 V	.45 V/℃	100	65 / TO-52 or 66 / TO-52L
APD10-8-150-T52	.78 mm²	1 Φ mm	800 nm	50 A/W	2 nA	6 pF	150 V	.45 V/℃	100	65 / TO-52 or 66 / TO-52L
APD15-8-150-TO5	1.77 mm²	1.5 Φ mm	800 nm	50 A/W	5 nA	10 pF	150 V	.45 V/℃	100	67 / TO-5
APD30-8-150-TO5	7 mm²	3 Φ mm	800 nm	30 A/W	10 nA	40 pF	150 V	.45 V/℃	60	67 / TO-5
APD50-8-150-TO8	19.6 mm²	5 Φ mm	800 nm	20 A/W	30 nA	105 pF	150 V	.45 V/℃	40	3 / TO-8

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フォトダイオード　アンプ　ハイブリッド

フォトダイオード　アンプ　ハイブリッド (動作アンプ内蔵検出器）

応用：　多目的光検出、レーザーパワー　モニタリング、医学分析、公害監視、ガイダンス装置、比色計
特徴：　アンプ内蔵検出器、可変ゲイン/バンド幅、低ノイズ、DIPパッケージ

波長範囲　350 – 1100 nm

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Max Reverse Bias	Input Bias Current	Package
UDT-451	5.1 mm²	2.54 Φ mm	0.65 A/W	0.25 nA	15 pF	30 V **	30 pA	29 / DIP
UDT-455	5.1 mm²	2.54 F mm	0.65 A/W	0.25 nA	15 pF	30 V **	±80 pA	30 / TO-5
OSI-515	5.1 mm²	2.54 Φ mm	0.65 A/W	0.25 nA	60 pF	30 V **	±80 pA	30 / TO-5
UDT-020D	16 mm²	4.57 Φ mm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	30 V **	±80 pA	31 / TO-8
UDT-555D	100 mm²	11.3 Φ mm	0.65 A/W	2 nA	300 pF	30 V **	±40 pA	32 / Special

波長範囲　200 – 1100 nm

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Max Reverse Bias	Package
UDT-455UV	5.1 mm²	2.54 Φ mm	0.14 A/W	5 V **	30 / TO-5
UDT-020UV	16 mm²	4.57 Φ mm	0.14 A/W	5 V **	31 / TO-8
UDT-055UV	50 mm²	7.98 Φ mm	0.14 A/W	5 V **	32 / Special
UDT-555UV	100 mm²	11.3 Φ mm	0.14 A/W	5 V **	32 / Special
UDT-555UV / LN**	100 mm²	11.3 Φ mm	0.14 A/W	5 V **	32 / Special

** LN – Series Devices are to be used with a 0V Bias. * Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment.

1.25Gbps フォトダイオード　アンプ　ハイブリッド

シリコン　フォトディテクター/トランスインピーダンス　アンプ

応用：　高速光通信、ギガビット　イーサネット、ファイバー　チャンネル
特徴：　シリコン　フォトディテクター/低ノイズ　トランスインピーダンス　アンプ

電気-光学特性

Model Number	Active Area Diameter	Supply Voltage	Supply Current	Operating Wavelength	Responsivity	Transimpedence	Sensitivity	Bandwidth	Differential Output	Output Impedence	Package	Click Image to Zoom
FCI-H125G-010	250 µm	+3 to +5.5 V	38 mA	850 nm	3000 V/W -19dBm; Differential	8300 Ω -19dBm; Differential	-23 dBm BER 10-10; PRBS27-1	1000 MHz -3dBm; Small Signal	200 mVp-p	50 Ω	TO-18
FCI-H125G-010L	250 µm	+3 to +5.5 V	38 mA	850 nm	3000 V/W -19dBm; Differential	8300 Ω -19dBm; Differential	-23 dBm BER 10-10; PRBS27-1	1000 MHz -3dBm; Small Signal	200 mVp-p	50 Ω	TO-18

電気-光学特性

Model Number	Optical Overload (min)	Storage Temp	Operating Temp	SupplyVoltage2	Input Optical Power	Package	Click Image to Zoom
FCI-H125G-010	-3 dBm	-55 to 125 °C	-40 to +75 °C	— to +6 V	— to +5 dBm	TO-18
FCI-H125G-010L	-3 dBm	-55 to 125 °C	-40 to +75 °C	— to +6 V	— to +5 dBm	TO-18

BPX65-100　光ファイバー　レシーバー

BPX65-100レシーバーはBPX65ウルトラ　ハイスピード　ダイオードとNE5212(Signetics)トランスインピーダンス　アンプが組み込まれています。スタンダード端子はSTとSMAです。

応用：　100Mbps 光通信、ファイバー　パッチコードのカップリング、シリコン　ベース　光レシーバー
特徴：　バンド幅 140MHz、14kΩ差動トランスレジスタンス、スペクトル範囲400nmから1000nm、2.5pA トランスインピーダンス √Hz

電気-光学特性

Model Number	Fiber Connector	Power Supply	Detector Responsivity	Amplifier Gain	Max Data Rate	Package
BPX65-100	—	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps max	BPX65-100
BPX65-100ST	ST	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps max	BPX65-100ST
BPX65-100SMA	SMA	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps max	BPX65-100SMA

Model Number

Fiber Connector

Power Supply

Detector Responsivity

Amplifier Gain

Max Data Rate

Package

Click Image to Zoom

BPX65-100

—

5 V

0.5 A/W

14 KΩ

100 Mbps max

BPX65-100

BPX65-100ST

ST

5 V

0.5 A/W

14 KΩ

100 Mbps max

BPX65-100ST

BPX65-100SMA

SMA

5 V

0.5 A/W

14 KΩ

100 Mbps max

BPX65-100SMA

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フォトダイオード　フィルター　アセンブリー　(フィルター付き検出器）

ディテクター　フィルター　コンビネーション　シリーズ

応用：　分析化学、分光光度計、濃度計、フォトメトリー/ラジオメトリー(測光/放射測定）、医療機器、液体クロマトグラフィー
特徴：　CIE (APシリーズ）、フラット　バンド応答(DF)、254ナローバンドパス、アンプ付きハイブリッド、BNCパッケージ

検出器-フィルター　コンビネーション　シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Spectral Match	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package
PIN-005D-254F	5.7 mm²	2.4 mm²	—	0.025 A/W at 254nm	300 MΩ	100 pF	18 / TO-5
PIN-005E-550F	5.7 mm²	2.4 mm²	—	0.23 A/W at 550 nm	500 MΩ	200 pF	5 / TO-5
PIN-10AP	100 mm²	11.28 Φ mm	4% ***	0.27 A/W at 550 nm	—	1500 pF	13 / BNC
PIN-10DF	100 mm²	11.28 Φ mm	± 7%	0.15 A/W at 550 nm	20 MΩ	1500 pF	13 / BNC
PIN-555AP	100 mm²	11.28 Φ mm	8%***	0.27 A/W at 550 nm	—	1500 pF	33 / Special

OSD-E シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package
OSD15-E	15 mm²	3.8 x 3.8 mm	33 nA /Lux	80 MΩ	390 pF	5 / TO-5
OSD1-E	1 mm²	1.0 x 1.0 mm	2.2 nA /Lux	1000 MΩ	35 pF	7 / TO-18
OSD3-E	3 mm²	2.5 x 1.2 mm	6.6 nA /Lux	700 MΩ	80 pF	7 / TO-18
OSD5-E	5 mm²	2.5 dia. mm	11 nA /Lux	600 MΩ	130 pF	5 / TO-5
OSD60-E	100 mm²	11.3 dia. mm	56 nA /Lux	10 MÎ©	2500 pF	72 / TO-8

* ?=254nm * Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. *** Area within CIE curve　

ヒューマン　アイ　レスポンス　ディテクター

特徴：　フォトメトリー(測光）、ラジオメトリー(放射測定）、医療機器、分析化学
特徴：　ヒューマン　アイ　レスポンス、TO- パッケージ

検出器-フィルター　コンビネーション　シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Spectral Match	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package
PIN-005D-254F	5.7 mm²	2.4 mm²	—	0.025 A/W at 254nm	300 MΩ	100 pF	18 / TO-5
PIN-005E-550F	5.7 mm²	2.4 mm²	—	0.23 A/W at 550 nm	500 MΩ	200 pF	5 / TO-5
PIN-10AP	100 mm²	11.28 Φ mm	4% ***	0.27 A/W at 550 nm	—	1500 pF	13 / BNC
PIN-10DF	100 mm²	11.28 Φ mm	± 7%	0.15 A/W at 550 nm	20 MΩ	1500 pF	13 / BNC
PIN-555AP	100 mm²	11.28 Φ mm	8%***	0.27 A/W at 550 nm	—	1500 pF	33 / Special

OSD-E シリーズ

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Package
OSD15-E	15 mm²	3.8 x 3.8 mm	33 nA /Lux	80 MΩ	390 pF	5 / TO-5
OSD1-E	1 mm²	1.0 x 1.0 mm	2.2 nA /Lux	1000 MΩ	35 pF	7 / TO-18
OSD3-E	3 mm²	2.5 x 1.2 mm	6.6 nA /Lux	700 MΩ	80 pF	7 / TO-18
OSD5-E	5 mm²	2.5 dia. mm	11 nA /Lux	600 MΩ	130 pF	5 / TO-5
OSD60-E	100 mm²	11.3 dia. mm	56 nA /Lux	10 MÎ©	2500 pF	72 / TO-8

* ?=254nm * Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. *** Area within CIE curve

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半田付け可能なチップ　フォトダイオード

半田付け可能なフォトコンダクティブ　チップ

応用：　ソーラーセル(太陽電池）、低価格光モニタリング、ダイオード　レーザー　モニタリング、低キャパシタンス
特徴：　ラージ　アクティブ　エリア、豊富なサイズ、高いシャント抵抗、リード線無し/付き

フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Chip Size	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance
S-4CL	4.7 mm² (0.007 in²)	1.7 x 2.8 mm (0.07 x 0.11 in)	1.9 x 4.1 mm (0.08 x 0.16 in)	970 nm	0.65 A/W	20 nA	15 pF @-5V
S-10CL	9.6 mm² (0.015 in²)	2.3 x 4.2 mm (0.09 x 0.17 in)	2.5 x 5.1 mm (0.10 x 0.20 in)	970 nm	0.65 A/W	40 nA	30 pF @-5V
S-25CL	25.8 mm² (0.04 in²)	5.1 x 5.1 mm (0.20 x 0.20 in)	5.5 x 6.0 mm (0.22 x 0.24 in)	970 nm	0.65 A/W	100 nA	95 pF @-5V
S-25CRL	25.4 mm² (0.039 in²)	2.5 x 10.1 mm (0.10 x 0.40 in)	3.4 x 10.5 mm (0.13 x 0.41 in)	970 nm	0.65 A/W	100 nA	95 pF @-5V
S-50CL	51.0 mm² (0.079 in²)	2.5 x 20.3 mm (0.10 x 0.80 in)	3.4 x 20.6 mm (0.13 x 0.81 in)	970 nm	0.65 A/W	300 nA	200 pF @-5V
S-80CL	82.6 mm² (0.128 in²)	4.1 x 20.1 mm (0.16 x 0.79 in)	5.2 x 20.4 mm (0.21 x 0.80 in)	970 nm	0.65 A/W	500 nA	300 pF @-5V
S-100CL	93.4 mm² (0.145 in²)	9.7 x 9.7 mm (0.38 x 0.38 in)	10.5 x 11.00 mm (0.42 x 0.43 in)	970 nm	0.65 A/W	600 nA	375 pF @-5V
S-120CL	105.7 mm² (0.164 in²)	4.5 x 23.5 mm (0.18 x 0.93 in)	5.5 x 23.9 mm (0.22 x 0.94 in)	970 nm	0.65 A/W	800 nA	450 pF @-5V
S-200CL	189.0 mm² (0.293 in²)	9.2 x 20.7 mm (0.36 x 0.81 in)	10.2 x 21.0 mm (0.40 x 0.83 in)	970 nm	0.65 A/W	1200 nA	750 pF @-5V

フォトボルテイック, VBIAS = 0V

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Chip Size	Peak Wavelength	Responsivity	Capacitance
S-4VL	4.7 mm² (0.007 in²)	1.7 x 2.8 mm (0.07 x 0.11 in)	1.9 x 4.1 mm (0.08 x 0.16 in)	970 nm	0.65 A/W	370 pF @0V
S-10VL	9.6 mm² (0.015 in²)	2.3 x 4.2 mm (0.09 x 0.17 in)	2.5 x 5.1 mm (0.10 x 0.20 in)	970 nm	0.65 A/W	750 pF @0V
S-25VL	25.8 mm² (0.04 in²)	5.1 x 5.1 mm (0.20 x 0.20 in)	5.5 x 6.0 mm (0.22 x 0.24 in)	970 nm	0.65 A/W	2100 pF @0V
S-25VRL	25.4 mm² (0.039 in²)	2.5 x 10.1 mm (0.10 x 0.40 in)	3.4 x 10.5 mm (0.13 x 0.41 in)	970 nm	0.65 A/W	2100 pF @0V
S-50VL	51.0 mm² (0.079 in²)	2.5 x 20.3 mm (0.10 x 0.80 in)	3.4 x 20.6 mm (0.13 x 0.81 in)	970 nm	0.65 A/W	4000 pF @0V
S-80VL	82.6 mm² (0.128 in²)	4.1 x 20.1 mm (0.16 x 0.79 in)	5.2 x 20.4 mm (0.21 x 0.80 in)	970 nm	0.65 A/W	6000 pF @0V
S-100VL	93.4 mm² (0.145 in²)	9.7 x 9.7 mm (0.38 x 0.38 in)	10.5 x 11.00 mm (0.42 x 0.43 in)	970 nm	0.65 A/W	8500 pF @0V
S-120VL	105.7 mm² (0.164 in²)	4.5 x 23.5 mm (0.18 x 0.93 in)	5.5 x 23.9 mm (0.22 x 0.94 in)	970 nm	0.65 A/W	10000 pF @0V
S-200VL	189.0 mm² (0.293 in²)	9.2 x 20.7 mm (0.36 x 0.81 in)	10.2 x 21.0 mm (0.40 x 0.83 in)	970 nm	0.65 A/W	17000 pF @0V

§ All of the above bare chips are provided with two 3″ long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). They are also available without leads. For Ordering subtract suffix ‘L’ from the model number, i.e. S-100C.

半田付け可能なフォトボルテイック(光起電力）　チップ

フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Chip Size	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance
S-4CL	4.7 mm² (0.007 in²)	1.7 x 2.8 mm (0.07 x 0.11 in)	1.9 x 4.1 mm (0.08 x 0.16 in)	970 nm	0.65 A/W	20 nA	15 pF @-5V
S-10CL	9.6 mm² (0.015 in²)	2.3 x 4.2 mm (0.09 x 0.17 in)	2.5 x 5.1 mm (0.10 x 0.20 in)	970 nm	0.65 A/W	40 nA	30 pF @-5V
S-25CL	25.8 mm² (0.04 in²)	5.1 x 5.1 mm (0.20 x 0.20 in)	5.5 x 6.0 mm (0.22 x 0.24 in)	970 nm	0.65 A/W	100 nA	95 pF @-5V
S-25CRL	25.4 mm² (0.039 in²)	2.5 x 10.1 mm (0.10 x 0.40 in)	3.4 x 10.5 mm (0.13 x 0.41 in)	970 nm	0.65 A/W	100 nA	95 pF @-5V
S-50CL	51.0 mm² (0.079 in&ssup2;)	2.5 x 20.3 mm (0.10 x 0.80 in)	3.4 x 20.6 mm (0.13 x 0.81 in)	970 nm	0.65 A/W	300 nA	200 pF @-5V
S-80CL	82.6 mm² (0.128 in²)	4.1 x 20.1 mm (0.16 x 0.79 in)	5.2 x 20.4 mm (0.21 x 0.80 in)	970 nm	0.65 A/W	500 nA	300 pF @-5V
S-100CL	93.4 mm² (0.145 in²)	9.7 x 9.7 mm (0.38 x 0.38 in)	10.5 x 11.00 mm (0.42 x 0.43 in)	970 nm	0.65 A/W	600 nA	375 pF @-5V
S-120CL	105.7 mm² (0.164 in²)	4.5 x 23.5 mm (0.18 x 0.93 in)	5.5 x 23.9 mm (0.22 x 0.94 in)	970 nm	0.65 A/W	800 nA	450 pF @-5V
S-200CL	189.0 mm² (0.293 in²)	9.2 x 20.7 mm (0.36 x 0.81 in)	10.2 x 21.0 mm (0.40 x 0.83 in)	970 nm	0.65 A/W	1200 nA	750 pF @-5V

フォトボルテイック V_BIAS = 0V

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Chip Size	Peak Wavelength	Responsivity	Capacitance
S-4VL	4.7 mm² (0.007 in²)	1.7 x 2.8 mm (0.07 x 0.11 in)	1.9 x 4.1 mm (0.08 x 0.16 in)	970 nm	0.65 A/W	370 pF @0V
S-10VL	9.6 mm² (0.015 in²)	2.3 x 4.2 mm (0.09 x 0.17 in)	2.5 x 5.1 mm (0.10 x 0.20 in)	970 nm	0.65 A/W	750 pF @0V
S-25VL	25.8 mm² (0.04 in²)	5.1 x 5.1 mm (0.20 x 0.20 in)	5.5 x 6.0 mm (0.22 x 0.24 in)	970 nm	0.65 A/W	2100 pF @0V
S-25VRL	25.4 mm² (0.039 in²)	2.5 x 10.1 mm (0.10 x 0.40 in)	3.4 x 10.5 mm (0.13 x 0.41 in)	970 nm	0.65 A/W	2100 pF @0V
S-50VL	51.0 mm² (0.079 in²)	2.5 x 20.3 mm (0.10 x 0.80 in)	3.4 x 20.6 mm (0.13 x 0.81 in)	970 nm	0.65 A/W	4000 pF @0V
S-80VL	82.6 mm² (0.128 in²)	4.1 x 20.1 mm (0.16 x 0.79 in)	5.2 x 20.4 mm (0.21 x 0.80 in)	970 nm	0.65 A/W	6000 pF @0V
S-100VL	93.4 mm² (0.145 in²)	9.7 x 9.7 mm (0.38 x 0.38 in)	10.5 x 11.00 mm (0.42 x 0.43 in)	970 nm	0.65 A/W	8500 pF @0V
S-120VL	105.7 mm² (0.164 in²)	4.5 x 23.5 mm (0.18 x 0.93 in)	5.5 x 23.9 mm (0.22 x 0.94 in)	970 nm	0.65 A/W	10000 pF @0V
S-200VL	189.0 mm² (0.293 in²)	9.2 x 20.7 mm (0.36 x 0.81 in)	10.2 x 21.0 mm (0.40 x 0.83 in)	970 nm	0.65 A/W	17000 pF @0V

§ All of the above bare chips are provided with two 3″ long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). They are also available without leads. For Ordering subtract suffix ‘L’ from the model number, i.e. S-100C.

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ポジション　センシング　ディテクター　

セグメント　フォトダイオード

2分割と4分割　フォトダイオード

特徴：　パルス検出、光通信、バーコード　リーダー、光リモート　コントロール、医療機器、高速測光
特徴：　高速応答、低キャパシタンス、低暗電流、ワイド　ダイナミック　レンジ

デュアル　セル　フォトダイオード　Dual Cell Photodiodes

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Element Gap	Responsivity	Shunt Resistance	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
CD-25T	2.3 mm²	4.6 x 0.5 mm	0.2 mm	0.65 A/W	—	20 nA @-15V	50 pF @-15V	300 ns @-15V	2 / TO-5
SPOT-2DMI	0.7 mm²	0.6 x 1.2 mm	0.013 mm	0.65 A/W	—	0.05 nA	3 pF	11 ns	40 / TO-18
SPOT-2D	3.3 mm²	1.3 x 2.5 mm	0.127 mm	0.65 A/W	—	0.15 nA	11 pF	22 ns	41 / TO-5
SPOT-3D	2.8 mm²	0.6 x 4.6 mm	0.025 mm	0.65 A/W	—	0.13 nA	7 pF	25 ns	41 / TO-5

Quadrant フォトダイオード

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Element Gap	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
SPOT-4D	1.61 mm²	1.3 mm²	0.127 mm	0.65 A/W	1 nA	5 pF	22 ns	41 / TO-5
SPOT-4DMI	0.25 mm²	0.5 mm²	0.013 mm	0.65 A/W	0.01 nA	1 pF	9 ns	41 / TO-5
SPOT-9D	19.6 mm²	10 Φ mm ‡	0.102 mm	0.65 A/W	.5 nA	60 pF	28 ns	43 / Lo-Prof
SPOT-9DMI	19.6 mm²	10 Φ mm ‡	0.01 mm	0.65 A/W	10 nA	60 pF	28 ns	43 / Lo-Prof

‡ Overall Diameter (All four Quads). Chip centering within ± 0.010″.

和と差　アンプ　モジュール

ポジション　センシング　モジュール

応用：　位置測定、ビーム　センタリング、ガイダンス　システム
特徴：　10μm ギャップ可能　QD50-SD モジュール、QD7-XX またはQD50-XX のリクエストを承ります。

ポジション　センシング　モジュール　Position Sensing Modules

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Element Gap	Responsivity	Capacitance	Dark Current	NEP	Reverse Voltage	Rise Time	Package	Click Image to Zoom
QD7-0	7 mm²	3.0 Φ mm ‡	0.2 mm	0.54 A/W	20 pF	4 nA	9.0 e-14	30 V	10 ns	41 / TO-5
QD50-0	50 mm²	8.0 Φ mm ‡	0.2 mm	0.54 A/W	125 pF	15 nA	1.3 e-13	30 V	10 ns	73 / TO-8

ポジション　センシング　モジュール　Position Sensing Modules

Model Number	Operating Temp	Storage Temp	Package	Click Image to Zoom
QD7-0	-40 ~ +100	-55 ~ +125	41 / TO-5
QD50-0	-40 ~ +100	-55 ~ +125	73 / TO-8

Duo Latral PSDs　スーパー　リニア　ポジション　センサー

Duo-Lateral, スーパー　リニア　PSDs

ポジション　センシング　ディテクター　(PSD)
応用：　ビーム　アライメント、ポジション　センシング、角度測定、表面プロファイル、高さ測定、ターゲット、ガイダンス　システム、モーション分析
特徴：　スーパーリニア、超高精度、ワイド　ダイナミック　レンジ、高信頼、デュオ　ラテラル構造

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Metal Package

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Responsivity	Position Detection Drift	Dark Current	Capacitance	Inter-Electrode Resistance Min	Inter-Electrode Resistance Max	Package	Click Image to Zoom
SL3-1	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	0.4 A/W	0.06 µm / °C	5 nA	3 pF	15 kΩ	80 kΩ	41 / TO-5
SL5-1	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	0.4 A/W	0.1 µm / °C	10 nA	5 pF	20 kΩ	100 kΩ	42 / TO-8

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Ceramic Package

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Responsivity	Position Detection Drift	Dark Current	Capacitance	Inter-Electrode Resistance Min	Inter-Electrode Resistance Max	Package
SL3-2	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	0.4 A/W	0.06 µm / °C	5 nA	3 pF	15 kΩ	80 kΩ	48 / 8-PIN DIP
SL5-2	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	0.4 A/W	0.1 µm / °C	10 nA	5 pF	20 kΩ	100 kΩ	48 / 8-PIN DIP
SL15	15 mm²	15 x 1 mm	15 µm	0.4 A/W	0.1 µm / °C	150 nA	15 pF	60 kΩ	300 kΩ	49 / 25-PIN DIP
SL30	120 mm²	30 x 4 mm	30 µm	0.4 A/W	0.6 µm / °C	150 nA	125 pF	40 kΩ	80 kΩ	51 / Ceramic
SL76-1	190 mm²	76 x 2.5 mm	76 µm	0.4 A/W	1.4 µm / °C	100 nA	190 pF	120 kΩ	600 kΩ	50 / Special

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Metal Package

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Responsivity	Position Detection Drift	Dark Current	Capacitance	Inter-Electrode Resistance Min	Inter-Electrode Resistance Max	Package
DL-10	100 mm²	10 mm²	100 µm	0.4 A/W	0.6 µm / °C	500 nA	175 pF	5 kΩ	25 kΩ	34 / Special
DL-2	4 mm²	2 mm²	30 µm	0.4 A/W	0.2 µm / °C	30 nA	10 pF	5 kΩ	25 kΩ	37 / TO-8
DL-20	400 mm²	20 mm²	200 µm	0.4 A/W	1 µm / °C	2000 nA	600 pF	5 kΩ	25 kΩ	35 / Special
DL-4	16 mm²	4 mm²	50 µm	0.4 A/W	0.25 µm / °C	50 nA	35 pF	5 kΩ	25 kΩ	37 / TO-8
DLS-2	4 mm²	2 mm²	30 µm	0.4 A/W	0.4 µm / °C	10 nA	8 pF	5 kΩ	25 kΩ	37 / TO-8
DLS-2S	4 mm²	2 mm²	30 µm	0.4 A/W	0.4 µm / °C	10 nA	8 pF	5 kΩ	25 kΩ	75 / TO-25
DLS-4	16 mm²	4 mm²	50 µm	0.4 A/W	0.3 µm / °C	25 nA	30 pF	5 kΩ	25 kΩ	37 / TO-8

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Ceramic Package

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Responsivity	Position Detection Drift	Dark Current	Capacitance	Inter-Electrode Resistance Min	Inter-Electrode Resistance Max	Package	Click Image to Zoom
DLS-10	100 mm²	10 mm²	100 µm	0.4 A/W	0.7 µm / °C	50 nA	160 pF	5 kΩ	25 kΩ	36 / Ceramic
DLS-20	400 mm²	20 mm²	200 µm	0.4 A/W	1.2 µm / °C	100 nA	580 pF	5 kΩ	25 kΩ	36 / Ceramic

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Low Cost Ceramic Package

Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Position Detector Error	Responsivity	Position Detection Drift	Dark Current	Capacitance	Inter-Electrode Resistance Min	Inter-Electrode Resistance Max	Package	Click Image to Zoom
DL-10C	100 mm²	10 mm²	100 µm	0.4 A/W	0.6 µm / °C	500 nA	175 pF	5 kΩ	25 kΩ	38 / Ceramic
DL-20C	400 mm²	20 mm²	200 µm	0.4 A/W	1 µm / °C	2000 nA	600 pF	5 kΩ	25 kΩ	39 / Ceramic

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OSI社はオプトエレクトロニクスの分野での30年以上の経験から大量生産の要件を満たす効率的な製造に合わせた優れたエンジニアリングソリューションを提供し続けています。
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Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Spectral Match	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	PIN-10DF	100 mm²	11.28 Φ mm	0.15 A/W	± 7%	20 MΩ	1500 pF	0 µs	BNC
	PDF	PIN-10AP-1	100 mm²	11.28 Φ mm	0.27 A/W	4% (CIE Curve)	20 MΩ	1500 pF	0.15 µs	BNC
	PDF	PIN-555AP-1	100 mm²	11.28 Φ mm	0.27 A/W	4% (CIE Curve)	20 MΩ	1500 pF	0.1 µs	Special
	PDF	PIN-005E-550F	5.7 mm²	2.4 Φ mm	0.23 A/W	–	500 MΩ	200 pF	0.1 µs	TO-5
	PDF	PIN-005D-254F	5.7 mm²	2.4 Φ mm	0.025 A/W ( λ = 254 nm)	–	300 MΩ	100 pF	0.1 µs ( λ = 254 nm)	TO-5

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