
OSI社は様々な性能と構成を持つシリコンPINフォトダイオードとアバランシェフォトダイオードを幅広く取り揃えています。
Nd:YAGシリーズシリコンフォトダイオードはNd:YAGレーザー光の波長である1064nmで
の高応答性に最適化されたフォトダイオードです。
低キャパシタンスで高速応答が可能です。
低ノイズで高応答なため、測距アプリケーションにおいてNd:YAGレーザービームを照射した物体からの反射光など、微弱な光の測定に適しています。
このフォトダイオードは低ノイズを必要とするアプリケーションではフォトボルティックモー
ド(非バイアス)で、高速アプリケーションではフォトコンダクティブモード(バイアス)で動
作させることができます。
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Image | Datasheet | Model Number |
Active Area |
Active Area Dimensions |
Peak Wavelength |
Responsivity | Dark Current |
Capacitance | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PIN-5-YA G |
5.1 mm² | 2.54 Φ mm |
1000 nm | 0.4 A/W | 5 nA | 5 pF | TO-5 | |
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PIN-100-Y AG |
100 mm² | 11.28 Φ mm |
1000 nm | 0.4 A/W | 75 nA | 30 pF | Metal | |
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SPOT-9-Y AG |
19.6 mm² | 10 Φ mm | 1000 nm | 0.4 A/W | 20 nA | 7 pF | Metal | |
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SPOT-11- YAG-FL |
26 mm² | 11.5 Φ mm |
1000 nm | 0.42 A/W | 7 nA | 12 pF | Metal | |
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SPOT-13- YAG-FL |
33.7 mm² | 13.1 Φ mm |
1000 nm | 0.42 A/W | 8 nA | 14 pF | Metal | |
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SPOT-15- YAG |
38.5 mm² | 14.0 Φ mm |
1000 nm | 0.4 A/W | 50 nA | 15 pF | Metal |
シリコンアバランシェフォトダイオードは衝撃電離による利得を得るために、内部逓倍(internal multiplication)を利用しています。
その結果、最適化された高応答性デバイスのシリーズが生まれ、優れた感度を示します。
光ファイバーアプリケーション用にフラットウィンドウまたはボールレンズを使用した数種類のサイズのディテクターを提供しています。
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Image | Datasheet | Model Number | Active Area Diameter | Active Area | Gain | Responsivity @ Gain M | Dark Current @ Gain M | Capacitance | Bandwidth @ Gain M 800nm | Breakdown Voltage | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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APD02-8-150-xxxxm | 0.2 mm | 0.3 mm2 | 100 | 50 A/W | 0.05 nA | 1.5 pF | 1000 MHz | 150 V | T-52 | |
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APD05-8-150-xxxx | 0.5 mm | 0.19 mm2 | 100 | 50 A/W | 0.1 nA | 3 pF | 900 MHz | 150 V | T-52 | |
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APD10-8-150-xxxx | 1 mm | 0.78 mm2 | 100 | 50 A/W | 0.2 nA | 6 pF | 600 MHz | 150 V | T-52 | |
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APD15-8-150-xxxx | 1.5 mm | 1.77 mm2 | 100 | 50 A/W | 0.5 nA | 10 pF | 350 MHz | 150 V | TO-5 | |
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APD30-8-150-xxxx | 3 mm | 7 mm2 | 60 | 30 A/W | 1 nA | 40 pF | 65 MHz | 150 V | TO-5 | |
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APD50-8-150-xxxx | 5 mm | 19.6 mm2 | 40 | 20 A/W | 3 nA | 105 pF | 25 MHz | 150 V | TO-8 |
BI-SMTシリーズはデバイス端のデッドエリアを最小限に抑えるように設計された1チャンネル背面照射型シリコンフォトダイオードです。
各デバイスはチップサイズそのものに近い寸法のパッケージ上に設計されています。
この設計により、複数の検出器をタイル状に配置することができ、必要に応じてシンチレータとのカップリングも容易に行えます。
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Image | Datasheet | Model Number | Active Area | Active Area Dimensions | Peak Wavelength | Responsivity | Dark Current | Shunt Resistancence | Capacitance | Rise time | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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33BI-SMT | 5.76 mm² | 2.4 x 2.4 mm | 920 nm | 0.59 A/W | 0.02 nA | 500 MΩ | 50 pF | 10 µs | SMT | |
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155BI-SMT | 19.36 mm² | 4.4 x 4.4 mm | 920 nm | 0.59 A/W | 0.04 nA | 250 MΩ | 200 pF | 20 µs | SMT | |
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1010BI-SMT | 88.36 mm² | 9.4 x 9.4 mm | 920 nm | 0.59 A/W | 0.16 nA | 1 MΩ | 900 pF | 20 µs | SMT |
OSI社はTO-5およびTO-8メタルパッケージの環状4分割の後方散乱フォトディテクターを提供しています。
350nm~1100nmの感度を持つデバイスです。
200μmのレーザードリル穴は、LCフェルールとのカップリングに最適です。
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Image | Datasheet | Model Number | Active Area | Active Area Dimensions | Element Gap | Responsivity @ 790nm | Capacitance | Dark Current | Rise Time | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SPOT4D-0 | 1.69 mm2 | 1.3 x1.3 mm | 0.127 mm | 0.52 A/W | 5 pF | 0.1 nA | 5 ns | TO-5 | |
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SPOT9D-0 | 19.5 mm2 | Ø 10 | 0.014 mm | 0.52 A/W | 60 pF | 0.5 nA | 6 ns | Low Profile |
※表内のカタログ全て同一です。
シリコンブルーシリーズは高感度と中程度の応答速度を必要とするアプリケーションに使用され、ブルーエンハンスドシリーズでは可視~青色領域での感度が追加されています。
スペクトル応答範囲は350~1100 nmで、可視および近赤外域のアプリケーションに最適なフォトボルティック変換デバイスです。
これらの検出器は高いシャント抵抗と低ノイズを備え、長期的な安定性を示しています。
これらの検出器の偏りのない動作により、DCまたは低速アプリケーションの広い温度変化下で安定性が得られます。
高い光量 (10mW/cm2以上) ではフォトコンダクティブシリーズがより良い線形性を発揮します。
(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます)
Image | Datasheet | Model Number | Active Area | Responsivity | Shunt Resistance | Capacitance | Rise Time | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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OSD1-5T | 1 mm² | 0.21 A/W | 250 GΩ | 35 pF | 7 ns | TO-18 | |
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OSD3-5T | 3 mm² | 0.21 A/W | 100 GΩ | 80 pF | 9 ns | TO-18 | |
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OSD5-5T | 5 mm² | 0.21 A/W | 100 GΩ | 130 pF | 9 ns | TO-5 | |
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OSD15-5T | 15 mm² | 0.21 A/W | 50 GΩ | 390 pF | 12 ns | TO-5 | |
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OSD60-5T | 62 mm² | 0.21 A/W | 3 GΩ | 1800 pF | 30 ns | TO-8 | |
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OSD100-5TA | 100 mm² | 0.21 A/W | 2 GΩ | 2500 pF | 45 ns | Special | |
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PIN-040DP/SB | 0.81 mm² | 0.20 A/W | 600 GΩ | 60 pF | 0.02 ns | TO-18 | |
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PIN-5DP/SB | 5.1 mm² | 0.20 A/W | 150 GΩ | 450 pF | 0.2 ns | TO-5 | |
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PIN-10DP/SB | 100 mm² | 0.20 A/W | 10 GΩ | 8800 pF | 2 ns | BNC | |
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PIN-10DPI/SB | 100 mm² | 0.20 A/W | 10 GΩ | 8800 pF | 2 ns | Metal | |
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PIN- 220DP/SB | 200 mm² | 0.20 A/W | 5 GΩ | 17000 pF | 4 ns | Plastic |
※表内のカタログ全て同一です
BPX65-100レシーバーはBPX-65超高速フォトダイオードとNE5212(Signetics) トランスインピーダンスアンプが組み込まれています。
標準品にはSTコネクタとSMAコネクタのバージョンがあります。
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Image | Datasheet | Model Number | Power supply | Responsivity | Amplifier Gain | Data Rate Max. | Fiber Connector | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BPX65-100 | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps | None | TO-18 | |
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BPX65-100 | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps | ST | ST | |
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BPX65-100SMA | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps | SMA | SMA |
※表内のカタログ全て同一です.
ディテクターフィルターコンビネーションシリーズはフィルターとフォトダイオードを組み合わせて、独自の分光感度特性を実現します。 OSI社では多くの標準品とカスタム品の組み合わせを提供しています。 ご要望に応じて全てのディテクターフィルターの組み合わせに、アンペア/ワット、アンペア/ルーメン、アンペア/ルクス、アンペア/フートキャンドルの単位で指定したNISTトレーサブルキャリブレーションデータを提供することが可能です。
(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます)
※表内のカタログ全て同一です。
スーパーリニアポジションセンサーは最新のデュオラテラル技術により、アクティブエリアの中心から光スポットのセントロイドの変位に比例した連続的なアナログ出力を提供します。
連続位置センサーとして検出エリアの64%にわたって99%の位置精度を提供する、比類のない製品です。
この精度はチップの上部と下部にそれぞれ2つの抵抗層を設けるデュオラテラル技術によって実現されました。
これらのセンサーを使用することで、一次元または二次元の位置測定が可能です。
高照度下で最適な電流直線性を得るためには、これらの検出器に逆バイアスを印加する必要があります。
(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます)
Image | Datasheet | Model Number |
Active Area |
Active Area Dimensions |
Position Detector Error |
Inter-Electrode Resistance (min) | Responsivity | Dark Current | Capacitance | Rise Time | Package |
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) ONE-DIMENSIONAL | |||||||||||
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SL3-1 | 3 mm² | 3 x 1 mm | 3 µm | 15 kΩ | 0.4 A/W | 5 nm | 3 pF | 0.04 µs | TO-5 | |
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SL5-1 | 5 mm² | 5 x 1 mm | 5 µm | 20 kΩ | 0.4 A/W | 10 nm | 5 pF | 0.10 µs | TO-8 | |
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SL3-2 | 3 mm² | 3 x 1 mm | 3 µm | 15 kΩ | 0.4 A/W | 5 nm | 3 pF | 0.04 µs | 8-PIN DIP | |
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SL5-2 | 5 mm² | 5 x 1 mm | 5 µm | 20 kΩ | 0.4 A/W | 10 nm | 5 pF | 0.10 µs | 8-PIN DIP | |
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SL15 | 15 mm² | 15 x 1 mm | 15 µm | 60 kΩ | 0.4 A/W | 150 nm | 15 pF | 0.60 µs | 25-PIN DIP | |
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SL30 | 120 mm² | 30 x 4 mm | 30 µm | 40 kΩ | 0.4 A/W | 150 nm | 125 pF | 1.00 µs | Ceramic | |
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SL76-1 | 190 mm² | 76 x 2.5 mm | 76 µm | 120 kΩ | 0.4 A/W | 100 nm | 190 pF | 14.00 µs | Special | |
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) TWO-DIMENSIONAL | |||||||||||
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DL-2 | 4 mm² | 2 x 2 mm | 30 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 30 nm | 10 pF | 0.03 µs | TO-8 | |
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DLS-2 | 4 mm² | 2 x 2 mm | 30 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 10 nm | 8 pF | 0.03 µs | TO-8 | |
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DLS-2S | 4 mm² | 2 x 2 mm | 30 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 10 nm | 8 pF | 0.03 µs | TO-5 | |
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DL-4 | 16 mm² | 4 x 4 mm | 50 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 50 nm | 35 pF | 0.08 µs | TO-8 | |
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DLS-4 | 16 mm² | 4 x 4 mm | 50 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 25 nm | 30 pF | 0.08 µs | TO-8 | |
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DL-10 | 100 mm² | 10 x 10 mm | 100 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 500 nm | 175 pF | 0.20 µs | Special | |
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DL-20 | 400 mm² | 20 x 20 mm | 200 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 2000 nm | 600 pF | 1.00 µs | Special | |
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DLS-10 | 100 mm² | 10 x 10 mm | 100 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 50 nm | 160 pF | 0.20 µs | Ceramic | |
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DLS-20 | 400 mm² | 20 x 20 mm | 200 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 100 nm | 580 pF | 1.20 µs | Ceramic | |
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DL-10C | 100 mm² | 10 x 10 mm | 100 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 500 nm | 175 pF | 0.60 µs | Ceramic | |
![]() |
DL-20C | 400 mm² | 20 x 20 mm | 200 µm | 5 kΩ | 0.4 A/W | 2000 nm | 600 pF | 1.00 µs | Ceramic |
OSI社のアイレスポンスディテクターは高品質の色補正フィルターを使用したブルーエンハンスドディテクターです。
その結果、人間の目に近いスペクトル応答が得られます。
Image | Datasheet | Model Number | Active Area | Peak Wavelength | Responsivity @900 nm | Dark Current | Shunt Resistance | Capacitance | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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OSD35-LR-A* | 34.2 mm² | 830 nm | 0.54 A/W | – | 3 GΩ | 1300 pF | Ceramic | |
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OSD35-LR-D* | 34.2 mm² | 830 nm | 0.54 A/W | – | 0.3 GΩ | 1300 pF | Ceramic | |
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PIN-RD07 | 7.1 mm² | 900 nm | 0.55 A/W | 0.2 nA | – | 8.0 pF | TO-8 | |
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PIN-RD15 | 14.9 mm² | 900 nm | 0.58 A/W | 1.0 nA | – | 14 pF | TO-8 | |
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PIN-RD100 | 100 mm² | 950 nm | 0.60 A/W | 2 nA | – | 50 pF | Ceramic | |
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PIN-RD100A | 100 mm² | 950 nm | 0.60 A/W | 2 nA | – | 40 pF | Ceramic |
大面積の高速ディテクターは高速応答のために可能な限り低いジャンクション容量を達成するため、完全に空乏化することができます。
また、最大許容値まで高い逆バイアスで動作させ、ナノ秒単位の高速応答を実現することも可能です。
この時の高い逆バイアスにより、接合部の有効電界が増加し、空乏領域での電荷収集時間が長くなります。
これは高応答性とアクティブ領域を犠牲にすることなく達成されます。
大面積放射線ディテクターは高エネルギーX線、Y線、電子、アルファ線、重イオンなどの高エネルギー粒子を測定するアプリケーションのために、完全に空乏化することも可能です。
これらの放射線は間接的な方法と直接的な方法の2つの異なる方法で測定することができます。
1)大面積高速ディテクター
2)大面積放射線ディテクター
1)大面積高速ディテクター
2)大面積放射線ディテクター
(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます)
Image | Datasheet | Model Number | Active Area | Peak Wavelength | Responsivity @900 nm | Dark Current | Shunt Resistance | Capacitance | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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OSD35-LR-A* | 34.2 mm² | 830 nm | 0.54 A/W | – | 3 GΩ | 1300 pF | Ceramic | |
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OSD35-LR-D* | 34.2 mm² | 830 nm | 0.54 A/W | – | 0.3 GΩ | 1300 pF | Ceramic | |
![]() |
PIN-RD07 | 7.1 mm² | 900 nm | 0.55 A/W | 0.2 nA | – | 8.0 pF | TO-8 | |
![]() |
PIN-RD15 | 14.9 mm² | 900 nm | 0.58 A/W | 1.0 nA | – | 14 pF | TO-8 | |
![]() |
PIN-RD100 | 100 mm² | 950 nm | 0.60 A/W | 2 nA | – | 50 pF | Ceramic | |
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PIN-RD100A | 100 mm² | 950 nm | 0.60 A/W | 2 nA | – | 40 pF | Ceramic |
※表内のカタログ全て同一です。
OSI社の高速シリコンシリーズは高速応答や高帯域幅のアプリケーションに最適化された小面積デバイスです。
BPX-65は他のハイスピードシリーズを補完する、業界標準のデバイスです。
これらのデバイスのスペクトル範囲は350nm~1100nmまでです。
応答性と応答時間は最適化されており、HRシリーズは800nmで0.50 A/Wのピーク応答性と-5Vで数百ピコ秒の標準応答時間を実現しています。
(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます)
Image | Datasheet | Model Number | Active Area Dimensions | Responsivity @830nm (Typ) | Dark Current | Capacitance | Rise Time | Package |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FCI-HR005 | 0.127 Φ mm | 0.5 A/W | 0.03 nA | 0.8 pF | 0.75 ns | TO-18 | |
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FCI-HR008 | 0.203 Φ mm | 0.5 A/W | 0.03 nA | 0.8 pF | 0.75 ns | TO-18 | |
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FCI-HR020 | 0.508 Φ mm | 0.5 A/W | 0.06 nA | 1.8 pF | 1 ns | TO-18 | |
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FCI-HR026 | 0.66 Φ mm | 0.5 A/W | 0.01 nA | 2.6 pF | 1.1 ns | TO-18 | |
![]() |
FCI-HR040 | 0.991 Φ mm | 0.5 A/W | 0.3 nA | 4.9 pF | 1.2 ns | TO-18 | |
![]() |
BPX-65 | 1.0 sq mm | 0.5 A/W | 0.5 nA | 3 pF | 2 ns | TO-18 |
※表内のカタログ全て同一です。
マルチチャンネルアレイフォトディテクターは複数の単体フォトダイオードを隣接して配置し、共通のカソード基板上に一次元の受光領域を形成したものです。
移動ビームや多波長ビームの同時計測が可能です。
また、電気的クロストークが少なく、隣接する素子間の均一性が非常に高いため、高精度な測定が可能です。
アレイは多数のディテクターが必要な場合に低コストで使用できる代替手段です。
ディテクターは紫外、可視、近赤外域のいずれかに最適化されています。
応答時間を短縮するためにフォトコンダクティブモード(逆バイアス)、または低ドリフトのアプリケーションのためにフォトボルティックモード(非バイアス)で動作させることができます。
A2V-16はX線およびガンマ線領域の高エネルギーフォトンを測定するために、あらゆるシンチレータ結晶と結合することができます。
また、機械的に設計されているため、16個以上の素子が必要なアプリケーションでは複数個を互いに端から端まで装着することができます。
Image | Datasheet | Model Number | Active Area Diameter Per Element | Number of Elements | Pitch | Responsivity at 1550 nm | Dark Current | Capacitance |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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A2V-16 | 75µm | 16 | 1.59 mm | 0.60 A/W | – | 170 pF | |
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A5C-35 | 75µm | 35 | 0.99 mm | 0.65 A/W | 0.05 nA | 12 pF | |
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A5C-35 | 75µm | 35 | 0.99 mm | 0.60 A/W | – | 340 pF | |
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A5V-35UV | 75µm | 35 | 0.99 mm | 0.06 A/W @ 254nm | – | 340 pF | |
![]() |
A5C-38 | 75µm | 38 | 0.99 mm | 0.65 A/W | 0.05 nA | 12 pF | |
![]() |
A5C-38 | 75µm | 38 | 0.99 mm | 0.60 A/W | – | 340 pF | |
![]() |
A5C-76 | 75µm | 76 | 0.31 mm | 0.50 A/W | – | 160 pF |
※表内のカタログ全て同一です。
このシリーズは16素子アレイで構成されており、個々の素子はグループ化され、PCBにマウントされています。
X線またはガンマ線アプリケーションのために、これらのマルチチャンネルディテクターはシンチレータマウントのオプション(BGO、CdWO4、CsI(TI))を提供します。
BGO (Bismuth Germanate) :理想的なエネルギー吸収体として、高エネルギー検出アプリケーションに広く受け入れられています。
CdWO4 (Cadmium Tungstate) :十分な光量を示し、スペクトロメトリの結果を向上させることができます。
CsI (Cesium Iodide) :高いエネルギー吸収能を持ち、機械的衝撃や熱ストレスに対して十分な耐性を備えています。
このシリコンアレイはシンチレータと組み合わせることで、中・高エネルギーの放射線を散乱効果により可視光に変換することができます。
また、特殊設計のプリント基板により、エンド・ツー・エンドの接続が可能です。複数のアレイを使用することで、より大規模なアセンブリが必要な場合にも対応できます。
カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。
フォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)シリーズは高速、高感度の応用に最適です。スペクトル範囲は350nmから1100nmまでの可視から近赤外まで。連続、パルスレーザー、LED、チョッピング光の検出。 高速検出のために、逆バイアスをかけます。典型的なレスポンス時間10nsec.から250nsec.は10Vの逆バイアスで達成します。逆バイアスはキャパシタンスは減少し、スピードが増します。逆バイアスは30V を超えないようにしてください。高いバイアスは検出器に損傷を与えます。 逆バイアスは暗電流を生成します。デバイス内のバイアスも増加します。低ノイズのために、フォトボルテイック シリーズを考慮してください。
フォトコンダクティブ モード(PC)の説明 Photodiode Characteristics and Applications
アプリケーションノート Application Notes
フォトボルテイック ディテクター(光起電力検出器)は高感度、中程度の応答時間の応用に使用します。波長感度は可視から近赤外、350nmから1100nmまで、350nmから550nmまでのブルー領域の感度を上げたブルーエンハンス デバイスがあります。これらは高シャント抵抗、低ノイズ、長時間安定です。バイアス無しで、広範囲の温度変動下でDC、低速度の応用に安定して動作します。
10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、より良い直線性のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。3V以上で検出器が損傷します。高速の応用のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック(PV)の説明 Photodiode Characteristics and Applications
応用 Application Notes
大きなアクティブ エリア、高速シリコン フォトディテクター
短距離データ通信のためにデザインされた、ラージエリア、高速シリコン ディテクター。3.3Vバイアスで低暗電流、低キャパシタンス。ベースユニットはマイクロレンズまたはARコート フラットウインドウ付きの3ピン TO-46パッケージ。
ラージエリア 高速シリコンPINフォトダイオード
850nm 短距離光データ通信応用に最適化
3.3Vで高感度、ワイド帯域、低暗電流、低キャパシタンス
850nm トランシーバー、GBICs 1.25Gbpsまで Gigabit イーサネットとファイバーチャンネルなどの応用
3ピンTO-46パッケージ オプションでマイクロレンズ キャップ またはARコート フラット ウインドウ
オプションでFC, ST, SC, SMAファイバー端子が可能です。
200nmから1100nm
石英またはUV透過ウインドウ付き
2種類のUV強化シリコン フォトダイオードがあります。反転チャンネルシリーズと平面拡散シリーズです。
電磁スペクトルのUV領域において、低ノイズ検出のためにデザインされました。
反転層構造UV強化フォトダイオードは100%内部量子効率、低密度光の計測に適しています。高シャント抵抗、低ノイズ、高絶縁破壊電圧を有します。5Vから10Vの逆バイアス電圧で、均一性と量子効率は改善されます。
平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードは低いキャパシタンスと高い応答時間で優位な点があります。 これらは高い応答時間まで光電流の直線性があります。
平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードには2種類のUVDとUVEがあります。
低キャパシタンス、高速応答、ワイド ダイナミック レンジのために、バイアスをかけてもいいです。または、温度変化で低ドリフトの応用ではフォトボルテイック(バイアス無し)モードで動作させます。
このシリコン フォトダイオードはシンチレーターやスクリーンを使用せずにX線領域で感度があります。
感度範囲 200nmから0.07nm (6eV から17.6keV)または17.6keV以上
取り外し可能なウインドウ、真空対応
応用: 電子検出、医療機器、線量測定、放射線モニタリング、X線分光、荷電粒子検出
特徴: 直接検出、バイアス不要、高量子効率、低ノイズ、高真空/極低温対応、波長範囲0.070nmから1100nm
ハイ ブレイクダウン、ラージエリア完全空乏シリコン フォトダイオード 高エネルギーX線、X線と高エネルギー粒子、電子、アルファ線、重イオンの計測 間接、直接測定
応用:レーザー応用、制御装置、電子検出、高エネルギー物理、医療機器
特徴:ラージ アクティブ エリア、完全な空乏、高速応答、超低暗電流、低キャパシタンス、高耐電圧、シンチレーターマウント可
16素子アレイ:独立した素子はPCB上にグループ化してマウントされています。 X線またはガンマ線応用
応用: ポジション センサー、マルチチャンネル ガンマ カウンティング、X線セキュリティー装置
特徴: シンチレーター プラットフォーム、5V バイアス、チャンネル スペース
応用: レベル メーター、分光、ポジション センサー、コンピューター トモグラフィー(断層撮影)スキャナー、、医療機器、高速測光
特徴: 共通基板アレイ、超低クロストーク、UV強化(A5V-35UV)、低暗電流、低キャパシタンス、はんだ付け可
応用: 火炎温度センシング、分光光度計、デュアル波長検出、赤外温度計(熱処理、誘導加熱、金属部品加工)
特徴: コンパクト、密閉シール、低ノイズ、ワイド波長範囲、リモート測定、w/TEC
Model Number | Detector Element | Active Area | Spectral Range | Peak Wavelength | Responsivity | Shunt Resistance | Capacitance | Rise TIme | Dat Peak | Reverse Voltage | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PIN-DSIn | Si (top) | 2.54 mm² | 400 – 1100 nm | 950 nm | 0.55 A/W at 870nm | 150 MΩ | 450 pF | 4 µs | 1.2 e -+13 cm√Hz/W (870nm) | 5 V | 17 / TO-5 | ![]() |
PIN-DSIn | InGaAs | 1.50 mm² | 1000 – 1800 nm | 1300 nm | 0.6 A/W | 1 MΩ | 300 pF | 4 µs | 8.4 e +11 cm√Hz/W | 2 V | 17 / TO-5 | ![]() |
PIN-DSS | Si (top) | 2.54 mm² | 400 – 1100 nm | 950 nm | 0.45 A/W | 500 MΩ | 70 pF | 10 µs | 1.7 e +13 cm√Hz/W | 5 V | 17 / TO-5 | ![]() |
PIN-DSS | Si | 2.54 mm² | 950 1100 nm | 1060 nm | 0.12 A/W | 500 MΩ | 70 pF | 150 µs | 4.7 e +12 cm√Hz/W | 5 V | 17 / TO-5 | ![]() |
Model Number | Detector Element | Active Area | Spectral Range | Peak Wavelength | Responsivity | Shunt Resistance | Capacitance | Rise Time | Dat Peak | Reverse Voltage | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PIN-DSIN-TEC | Si (top) | 2.54 mm² | — | 950 nm | 0.55 A/W at 870nm | — | 450 pF | 4 µs | 1.2 e +13 cm√Hz/W (870nm) | — | 24 / TO-8 | ![]() |
PIN-DSIN-TEC | InGaAs | 1.50 mm² | 1000 – 1800 nm | 1300 nm | 0.6 A/W | 1 MΩ | 300 pF | 4 µs | 8.4 e +11 cm√Hz/W | 2 V | 24 / TO-8 | ![]() |
Nd:YAGレーザー 1064 nm 高速、低ノイズ
応用: Nd:YAGレーザー ポインティング、レーザーポインティングとポジショニング、位置測定、表面プロファイニング、ガイダンス システム
特徴: Nd:YAG感度、高ブレイクダウン電圧、ラージ アクティブ エリア、高速、高精度/p>
ウルトラ ハイ ゲイン シリコン フォトダイオード
応用: 高速光通信、レーザー レンジファインダー、バーコード リーダー、光リモート コントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答/QE、帯域幅/高速応答、低ノイズ、低バイアス電圧、密封TO-パッケージ
コンテンツ等
Model Number | Active Area | Active Area Dimensions | Peak Wavelength | Responsivity | Dark Current (Max) | Terminal Capacitance | Breakdown Voltage Typ. (100µA) | Temperature Coefficient of Breakdown Voltage | Gain (800 nm) | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
APD02-8-150-T52 | .03 mm² | 0.2 Φ mm | 800 nm | 50 A/W | 1 nA | 1.5 pF | 150 V | .45 V/℃ | 100 | 65 / TO-52 or 66 / TO-52L | ![]() |
APD05-8-150-T52 | .19 mm² | .5 Φ mm | 800 nm | 50 A/W | 1 nA | 3 pF | 150 V | .45 V/℃ | 100 | 65 / TO-52 or 66 / TO-52L | ![]() |
APD10-8-150-T52 | .78 mm² | 1 Φ mm | 800 nm | 50 A/W | 2 nA | 6 pF | 150 V | .45 V/℃ | 100 | 65 / TO-52 or 66 / TO-52L | ![]() |
APD15-8-150-TO5 | 1.77 mm² | 1.5 Φ mm | 800 nm | 50 A/W | 5 nA | 10 pF | 150 V | .45 V/℃ | 100 | 67 / TO-5 | ![]() |
APD30-8-150-TO5 | 7 mm² | 3 Φ mm | 800 nm | 30 A/W | 10 nA | 40 pF | 150 V | .45 V/℃ | 60 | 67 / TO-5 | ![]() |
APD50-8-150-TO8 | 19.6 mm² | 5 Φ mm | 800 nm | 20 A/W | 30 nA | 105 pF | 150 V | .45 V/℃ | 40 | 3 / TO-8 | ![]() |
フォトダイオード アンプ ハイブリッド (動作アンプ内蔵検出器)
応用: 多目的光検出、レーザーパワー モニタリング、医学分析、公害監視、ガイダンス装置、比色計
特徴: アンプ内蔵検出器、可変ゲイン/バンド幅、低ノイズ、DIPパッケージ
Model Number | Active Area | Active Area Dimensions | Responsivity | Max Reverse Bias | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|
UDT-455UV | 5.1 mm² | 2.54 Φ mm | 0.14 A/W | 5 V ** | 30 / TO-5 | ![]() |
UDT-020UV | 16 mm² | 4.57 Φ mm | 0.14 A/W | 5 V ** | 31 / TO-8 | ![]() |
UDT-055UV | 50 mm² | 7.98 Φ mm | 0.14 A/W | 5 V ** | 32 / Special | ![]() |
UDT-555UV | 100 mm² | 11.3 Φ mm | 0.14 A/W | 5 V ** | 32 / Special | ![]() |
UDT-555UV / LN** | 100 mm² | 11.3 Φ mm | 0.14 A/W | 5 V ** | 32 / Special | ![]() |
シリコン フォトディテクター/トランスインピーダンス アンプ
応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット、ファイバー チャンネル
特徴: シリコン フォトディテクター/低ノイズ トランスインピーダンス アンプ
Model Number | Active Area Diameter | Supply Voltage | Supply Current | Operating Wavelength | Responsivity | Transimpedence | Sensitivity | Bandwidth | Differential Output | Output Impedence | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCI-H125G-010 | 250 µm | +3 to +5.5 V | 38 mA | 850 nm | 3000 V/W -19dBm; Differential |
8300 Ω -19dBm; Differential |
-23 dBm BER 10-10; PRBS27-1 |
1000 MHz -3dBm; Small Signal |
200 mVp-p | 50 Ω | TO-18 | ![]() |
FCI-H125G-010L | 250 µm | +3 to +5.5 V | 38 mA | 850 nm | 3000 V/W -19dBm; Differential | 8300 Ω -19dBm; Differential | -23 dBm BER 10-10; PRBS27-1 | 1000 MHz -3dBm; Small Signal | 200 mVp-p | 50 Ω | TO-18 | ![]() |
Model Number | Optical Overload (min) | Storage Temp | Operating Temp | SupplyVoltage2 | Input Optical Power | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FCI-H125G-010 | -3 dBm | -55 to 125 °C | -40 to +75 °C | — to +6 V | — to +5 dBm | TO-18 | ![]() |
FCI-H125G-010L | -3 dBm | -55 to 125 °C | -40 to +75 °C | — to +6 V | — to +5 dBm | TO-18 | ![]() |
BPX65-100レシーバーはBPX65ウルトラ ハイスピード ダイオードとNE5212(Signetics)トランスインピーダンス アンプが組み込まれています。スタンダード端子はSTとSMAです。
応用: 100Mbps 光通信、ファイバー パッチコードのカップリング、シリコン ベース 光レシーバー
特徴: バンド幅 140MHz、14kΩ差動トランスレジスタンス、スペクトル範囲400nmから1000nm、2.5pA トランスインピーダンス √Hz
Model Number | Fiber Connector | Power Supply | Detector Responsivity | Amplifier Gain | Max Data Rate | Package | Click Image to Zoom |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BPX65-100 | — | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps max | BPX65-100 | ![]() |
BPX65-100ST | ST | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps max | BPX65-100ST | ![]() |
BPX65-100SMA | SMA | 5 V | 0.5 A/W | 14 KΩ | 100 Mbps max | BPX65-100SMA | ![]()
|
応用: 分析化学、分光光度計、濃度計、フォトメトリー/ラジオメトリー(測光/放射測定)、医療機器、液体クロマトグラフィー
特徴: CIE (APシリーズ)、フラット バンド応答(DF)、254ナローバンドパス、アンプ付きハイブリッド、BNCパッケージ
特徴: フォトメトリー(測光)、ラジオメトリー(放射測定)、医療機器、分析化学
特徴: ヒューマン アイ レスポンス、TO- パッケージ
応用: ソーラーセル(太陽電池)、低価格光モニタリング、ダイオード レーザー モニタリング、低キャパシタンス
特徴: ラージ アクティブ エリア、豊富なサイズ、高いシャント抵抗、リード線無し/付き
2分割と4分割 フォトダイオード
特徴: パルス検出、光通信、バーコード リーダー、光リモート コントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答、低キャパシタンス、低暗電流、ワイド ダイナミック レンジ
ポジション センシング モジュール
応用: 位置測定、ビーム センタリング、ガイダンス システム
特徴: 10μm ギャップ可能 QD50-SD モジュール、QD7-XX またはQD50-XX のリクエストを承ります。
Model Number | Active Area | Active Area Dimensions | Element Gap | Responsivity | Capacitance | Dark Current | NEP | Reverse Voltage | Rise Time | Package | Click Image to Zoom |
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QD7-0 | 7 mm² | 3.0 Φ mm ‡ | 0.2 mm | 0.54 A/W | 20 pF | 4 nA | 9.0 e-14 | 30 V | 10 ns | 41 / TO-5 | ![]() |
QD50-0 | 50 mm² | 8.0 Φ mm ‡ | 0.2 mm | 0.54 A/W | 125 pF | 15 nA | 1.3 e-13 | 30 V | 10 ns | 73 / TO-8 | ![]() |
Model Number | Operating Temp | Storage Temp | Package | Click Image to Zoom |
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QD7-0 | -40 ~ +100 | -55 ~ +125 | 41 / TO-5 | ![]() |
QD50-0 | -40 ~ +100 | -55 ~ +125 | 73 / TO-8 | ![]() |
Duo-Lateral, スーパー リニア PSDs
ポジション センシング ディテクター (PSD)
応用: ビーム アライメント、ポジション センシング、角度測定、表面プロファイル、高さ測定、ターゲット、ガイダンス システム、モーション分析
特徴: スーパーリニア、超高精度、ワイド ダイナミック レンジ、高信頼、デュオ ラテラル構造