半導体層にInAsやInAsSbなどの材料を用いたフォトボルティック検出器（フォトダイオード）。
吸収された光子は電荷キャリアを生成し、ダイオードに集められ、複雑な電流電圧特性を持ちます。このデバイスはちらつき（フリッカー）の無いゼロバイアスでも逆電圧でも動作することができます。この検出器はカドミウムと水銀を使用していません。その結果、RoHS指令に適合し、民生用として使用することができます。
フォトボルティックInAs / InAsSb赤外検出器 VIGO Photonics
PVAシリーズ 2.4 - 5.3µm 室温動作・フォトボルティックInAs / InAsSb赤外検出器
PVAシリーズは、InAs1-xSbx合金を使用した非冷却型のフォトボルティック（光起電力）赤外検出器です。
水銀、カドミウムを含まず、RoHS指令に対応しています。
特徴
・室温動作
・RoHS指令に対応
・バイアス不要
・1/fノイズ無し
専用プリアンプ
・SIP-TO39シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）
仕様
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PVA-2TEシリーズ 2.4 - 5.3 µm 2ステージTE冷却フォトボルティックInAs / InAsSb赤外検出器
PVA-2TEシリーズは、InAs1-xSbx合金を用いた2ステージのTE冷却フォトボルティック（光起電力）赤外検出器です。
水銀、カドミウムを含まず、RoHS指令に対応しています。
3°のウェッジ付きサファイア（wAl2O3）ウィンドウにより、不要な干渉効果を防ぎます。
特徴
・RoHS指令に対応
・バイアス不要
・1/fノイズ無し
専用プリアンプ
・AIPシリーズ
・PIPシリーズ
・MIPシリーズ
・SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）
仕様
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PVIAシリーズ 2.4 - 5.3µm 室温動作・光学的浸漬フォトボルティックInAs / InAsSb赤外検出器
PVIAシリーズは、InAs1-xSbx合金をベースに、デバイスの性能を向上させるために光学的に浸漬させた非冷却型のフォトボルティック（光起電力）赤外検出器です。
水銀、カドミウムを含まず、RoHS指令に対応しています。
特徴
・室温動作
・RoHS指令に対応
・超半球マイクロレンズ技術採用
・バイアス不要
・1/fノイズ無し
専用プリアンプ
・SIP-TO39シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）
仕様
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PVIA-2TEシリーズ 2.4 - 5.3µm 2ステージTE冷却・光学的浸漬フォトボルティックInAs / InAsSb検出器
PVIA-2TEシリーズは、InAs1-xSbx合金を用いた2ステージのTE冷却フォトボルティック（光起電力）赤外検出器です。
水銀、カドミウムを含まず、RoHS指令に対応しています。
3°のウェッジ付きサファイア（wAl2O3）ウィンドウにより、不要な干渉効果を防ぎます。
特徴
・RoHS指令に対応
・バイアス不要
・1/fノイズ無し
専用プリアンプ
・AIPシリーズ
・PIPシリーズ
・MIPシリーズ
・SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C, Vb = 0 mV）
仕様
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