赤外検出器 HgCdTe(MCT)光起電検出器 Vigo

HgCdTe(MCT) 光起電検出器
2.9-5.5μm, 環境温度, 固浸レンズ

型番:PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36は、最高の性能と安定性を実現するために洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした、2段階の熱電冷却式IR光起電力検出器です。この素子は、λopt=5.0 µmで最大の性能を発揮するように最適化されています。検出器の性能を向上させるために、超半球状のGaAsマイクロレンズとモノリシックに統合されています。逆バイアスVbは、応答速度とダイナミックレンジを大幅に向上させます。また、高周波数での性能も向上しますが、バイアスのかかった素子に現れる1/fノイズが低周波数での性能を低下させる可能性があります。3°ウェッジドサファイヤ(wAl2O3)窓は、不要な干渉効果を防ぎます。


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スペクトル応答 (Ta=20℃, Vb=0mV)

特徴

・2.9~5.5 µmのスペクトル領域で高い性能を発揮
・2段の熱電対による冷却方式
・超ヘミシンク・マイクロレンズ技術を採用
・バイアス不要
・1/fノイズなし
・同型の非冷却型検出器と比較して、D*が1桁向上
・広いダイナミックレンジ


仕様(Ta=20℃, Vb=0mV)

パラメーター
PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
能動素子材料
エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
カットオン波長λcut-on(10%)μm
2.9±1.0
ピーク波長λpeak, μm
4.2±0.5
最適波長λopt, μm
5.0
カットオフ波長λcut-off(10%)μm
5.5±0.3
検出感度D*(λpeak),cm・Hz1/2/W
≥2.0×1011
検出感度D*(λopt),cm・Hz1/2/W
≥9.0×1010
電流応答性 Ripeak), A/W
≥2.0
電流応答性Riopt)、A/W
≥1.3
時定数τ, ns
≤80
抵抗R, Ω
≥1000
能動素子温度 Tdet, K
~230
光学領域AO, mm×mm
1×1
パッケージ
TO8
受入角,Φ
~36°
ウィンドウ
wAl2O3


外観図

2TE-T08 パッケージ

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