InGaAsフォトダイオード
OSI社のInGaAsフォトダイオードは、800nm～1700nmの近赤外～赤外スペクトルで優れた感度を提供します。また、可視光、近赤外、近赤外の各波長域で、450nm～1700nmの感度を持つ、拡張型InGaAsフォトダイオードを提供しています。
InGaAs フォトダイオード OSI Optoelectronics
InGaAsフォトダイオード
OSI社のInGaAsフォトダイオードは、800nm～1700nmの近赤外～赤外スペクトルで優れた感度を提供します。また、可視光、近赤外、近赤外の各波長域で、450nm～1700nmの感度を持つ、拡張型InGaAsフォトダイオードを提供しています。
10Gbpsフォトダイオード
OSI社のFCI-InGaAs-36CはOC-192（SONET/SDH）対応の感光素子で、低暗電流と優れた性能安定性を示します。 陽極（アノード）と陰極（カソード）の両方の接点がチップの上面に表示されます。 また、910nm～1650nmの波長域に対応し、10Gbpsの高速光データ伝送アプリケーションに最適なコンポーネントです。
アプリケーション
- 高速光通信
- OC-192
- 光ネットワーキング
- 光学測定
特徴
- 高速・10Gbpsのデータレート
- 低暗電流
- フロントイルミネーション
- 高い応答性・Typ. 0.8 A/W @1550nm
- 光感知領域の直径：36μm
- 低容量
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Dark Current |
Capacitance |
Package |
Responsivity at 1310 nm |
Responsivity at 1550 nm |
Bandwidth |
Breakdown Voltage |
Chip Size |
Active Area Diameter |
 |
FCI-InGaAs-36C |
0.5 nA |
0.16 pF |
Bare Die |
0.85 A/W |
0.8 A/W |
9 GHz |
20 V |
450 x 250 µm |
36 µm |
背面照射型アレイ
FCI-InGaAs-300B1XXシリーズは多機能の背面照射型フォトダイオード/アレイです。
これらは単一素子ダイオードと4素子または8素子アレイで標準装備されており、アクティブエリアは300μmです。
これらの背面照射型InGaAsフォトダイオード/アレイは、前面または背面照射用の光学面にフリップチップがマウントするように設計されています。
従来の方法で取り付けることも (アクティブ エリアを上に向ける)、または全体の寸法を最小限に抑えて下向きに組み立てることもできます。
これらの低インダクタンス、低暗電流、および低キャパシタンスの背面照射型フォトダイオード/アレイは、セラミック基板の有無にかかわらず提供されます。
アプリケーション
- 高速光通信
- マルチチャンネル光ファイバー受信機
- 電力監視
- シングル/マルチモード光ファイバー受信機
- 高速イーサネット・SONET/SDH OC-3/STM-1・ATM
- 計測器・アナログ受信機
特徴
- 背面照射
- 表裏ともに高い応答性
- 低ノイズ
- 波長範囲：900nm～1700nm
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Number of Elements |
Active Area Diameter |
Pitch |
Responsivity at 1310 nm |
Responsivity at 1550 nm |
Dark Current |
Capacitance |
Bandwidth |
Package |
 |
FCI-InGaAs-300B1 |
1 |
300 µm |
NA |
0.8 A/W |
0.85 A/W |
0.05 nA |
8 pF |
100 MHz |
Wraparound Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-300B1x4 |
4 |
300 µm |
500 µm |
0.8 A/W |
0.85 A/W |
0.05 nA |
8 pF |
100 MHz |
Wraparound Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-300B1x8 |
8 |
300 µm |
500 µm |
0.8 A/W |
0.85 A/W |
0.05 nA |
8 pF |
100 MHz |
Wraparound Ceramic |
ブロードバンドARコーティングフォトダイオード
OSI社の最新の製品ラインには、非常に低い反射率のフォトダイオードが含まれています。
通信アプリケーション向けに設計されたこのInGaAs/InPフォトダイオードは、1520nm～1620nmまでの光反射率が0.6%未満という代表的なものです。
この広波長域での超低反射率は、独自の多層反射防止コーティングをInGaAs/InPフォトダイオードの表面に直接蒸着することで実現しました。
アプリケーション
- 波長ロッカー / 波長モニタリング
- レーザーバックファセットモニタリング
- DWDM（高密度波長分割多重）
- 計装
特徴
- 反射率：0.6%未満
- 低ノイズ
- 高い応答性
- 高速
- スペクトル範囲：900nm～1700nm
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Active Area |
Responsivity at 1310 nm |
Responsivity at 1550 nm |
Reflectance at 1550nm |
Dark Current |
Capacitance |
Package |
 |
FCI-InGaAs-WCER-LR |
250 x 500 µm |
0.85 A/W |
0.90 A/W |
0.5 % |
1 nA |
15 pF |
Wraparound Leadless Ceramic |
ディテクターアンプ ハイブリッド
FCI-H125/250G-InGaAs-XXシリーズは高速InGaAsフォトディテクターと広ダイナミックレンジトランスインピーダンスアンプをコンパクトに一体化した製品です。
検出器とTIAを4ピンTO-46パッケージで密閉し、高速信号増幅のための理想的な条件を提供します。
高速かつ高感度であるため、LAN、MAN、WANなどの高速通信システムで使用される高ビットレート受信機に最適なデバイスです。
TOパッケージはカップリング効率を高めるレンズ付きキャップ、または広帯域両面ARコーティングフラットウィンドウを標準装備しています。
FCI-H125/250G-InGaAs-XXシリーズは、FC、SC、STおよびSMAレセプタクルも提供しています。
アプリケーション
- 高速光通信
- ギガビットイーサネット
- ファイバーチャネル
- ATM
- SONET OC-48 / SDH STM-16
特徴
- InGaAsフォトディテクター / 低ノイズトランスインピーダンスアンプ
- 高帯域幅 / 広いダイナミックレンジ
- 密封型TO-46パッケージ
- +3.3～+5Vの単一電源
- スペクトル範囲：1100nm～1650nm
- 差動出力
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Active Area Diameter |
Supply Voltage |
Supply Current |
Operating Wavelength |
Responsivity -17dBm (Differential) |
Transimpedence -17dBm (Differential) |
Sensitivity BER 10-10 (PRBS2-7-1) |
Bandwdith -3dB |
Low Frequency Cutoff -3dB |
Differential Output -3dBm |
Output Impedence |
Transimpedence Linear Range |
Package |
 |
FCI-H125G-InGaAs-75 |
75 µm |
+3 to +5.5 V |
26 mA |
1100 – 1650 nm |
2500 V/W |
2800 Ω |
-28 dBm |
900 MHz |
45 kHz |
250 mV p-p |
50 Ω |
30 µW p-p |
TO-46 |
|
 |
FCI-H250G-InGaAs-75 |
75 µm |
+3 to +5.5 V |
35 mA |
1100 – 1650 nm |
2500 V/W |
2800 Ω |
-24 dBm |
1750 MHz |
30 kHz |
400 mV p-p |
50 Ω |
40 µW p-p |
TO-46 |
|
|
FCI-H622M-InGaAs-75 |
75 µm |
+3 to +3.6 V |
22 mA |
1100 – 1650 nm |
16V/mW@-23dBm |
1800 Ω |
-32 dBm |
520 MHz |
30KHz |
240 mV p-p |
75 Ω |
TO-46 |
高速フォトダイオード （1.25Gbps）
OSI社の大アクティブエリアと高速シリコンPINフォトダイオードシリーズは850 nmの短距離光データ通信アプリケーション向けに最適化された大きなセンシングエリアを備えています。
フォトディテクターは3.3Vで高い応答性、広い帯域幅、低い暗電流、および低い静電容量を示します。
これらは最も広く使用されているトランスインピーダンスアンプに適合するように設計されています。
フォトダイオードはすべての850nmトランシーバーと、ギガビットイーサネットやファイバーチャネルなどの最大1.25GbpsアプリケーションのGBICで使用できます。
チップはマイクロレンズキャップ、または ARコーティングされたフラットウィンドウのオプションを備えた3ピンTO-46パッケージで絶縁されています。
また、FC、ST、SC、SMA などの標準ファイバーレセプタクルでも利用できます。
アプリケーション
- 高速光通信
- シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
- ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
- SONET/SDH、ATM
特徴
- シリコンフォトダイオード
- 高い応答性
- 広いセンシングエリア
- 低静電容量 @3.3V
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|
Image |
Datasheet |
Active Area Diameter |
Responsivity |
Dark Current |
Capacitance |
Rise Time |
Fall Time |
Package |
 |
150 µm |
0.36 A/W |
20 pA |
0.66 pF |
38 ps |
313 ps |
TO-18 |
|
|
250 µm |
0.36 A/W |
25 pA |
0.96 pF |
50 ps |
429 ps |
TO-18 |
|
|
300 µm |
0.36 A/W |
30 pA |
1.16 pF |
69 ps |
436 ps |
TO-18 |
|
|
400 µm |
0.36 A/W |
40 pA |
1.73 pF |
100 ps |
449 ps |
TO-18 |
高速フォトダイオード
FCI-InGaAs-XXXシリーズはアクティブエリアのサイズが75μm、120μm、300μm、500μmで、データコムやテレコムのアプリケーションに必要な特性とニーズを備えています。
低容量、低暗電流、1100nm～1620nmの高応答性により、LAN、MAN、WAN、その他の高速通信システムで使用される高ビットレート受信機に最適なデバイスです。
このフォトダイオードは3リードの絶縁型TO-46缶に収められ、また、カップリング効率を高めるためにARコーティングされたフラットウィンドウやマイクロレンズが付属しています。
FCI-InGaAs-XXXシリーズはFC、SC、STおよびSMAレセプタクルも提供しています。
アプリケーション
- 高速光通信
- シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
- ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
- SONET/SDH、ATM
- 光タップ
特徴
- 高速
- 高い応答性
- 低ノイズ
- スペクトル範囲：900nm～1700nm
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Active Area Diameter |
Responsivity at 1310 nm |
Responsivity at 1550 nm |
Dark Current |
Capacitance |
Rise Time |
Package |
 |
FCI-InGaAs-75 |
75 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.03 nA |
1.5 pF |
0.2 ns |
TO-18 |
|
|
FCI-InGaAs-120 |
120 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.05 nA |
2 pF |
0.3 ns |
TO-18 |
|
|
FCI-InGaAs-300 |
300 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.30 nA |
10 pF |
1.5 ns |
TO-18 |
|
|
FCI-InGaAs-500 |
500 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.5 nA |
20 pF |
10 ns |
TO-18 |
大面積フォトダイオード
アクティブエリアサイズが 1mm、1.5mm、および 3mmのFCI-InGaAs-XXX-X シリーズは、1100nm～1620nmまでの優れた応答性を示すOSI社の大アクティブエリア赤外感度ディテクターの一部であり、弱い信号に対して高い感度を実現します。
これらのアクティブエリアの広いデバイスは、赤外線計装および監視アプリケーションでの使用に最適です。
フォトダイオードチップはTO-46またはTO-5パッケージで絶縁されており、広帯域両面ARコーティングされたフラットウィンドウを備えています。
FCI-InGaAs-3000-Xには5、10、20、および40MΩのさまざまなシャント抵抗値が付属しています。
アプリケーション
- 光学機器
- 電力測定
- 赤外センシング
- 医療機器
特徴
- 高い応答性
- 大面積のアクティブエリア径
- 低ノイズ
- 波長範囲：900nm～1700nm
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|
Image |
Datasheet |
Model Number |
Active Area Diameter |
Responsivity at 1310 nm |
Responsivity at 1550 nm |
Shunt Resistance |
Capacitance |
Package |
|
FCI-InGaAS-1000-X |
1 mm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
30 MΩ |
80 pF |
TO-18 |
|
|
FCI-InGaAs-1500-X |
1.5 mm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
20 MΩ |
200 pF |
TO-18 |
|
 |
FCI-InGaAs-3000-X |
3 mm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
20 MΩ |
750 pF |
TO-5 |
リニアアレイ
FCI-InGaAs-XXMシリーズは4、8、12、16チャンネルで、OSI社の高速赤外感度フォトディテクターアレイの一部です。
ARコーティングされた各素子は、1100nm～1620nmの範囲で高い応答性を示し、2.5Gbpsのデータレートに対応しています。
FCI-InGaAs-XXMはラップアラウンドセラミックサブマウントに標準装備されており、標準的な250mmピッチファイバーリボンに基づくマルチチャンネルファイバーアプリケーション向けに設計されています。
アプリケーション
- 高速光通信
- シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
- ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
- SONET/SDH、ATM
- 光タップ
特徴
- 高速
- 高い応答性
- 低ノイズ
- スペクトル範囲：900nm～1700nm
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| Image | Datasheet | Model Number | Active Area Diameter Per Element | Number of Elements | Pitch | Responsivity at 1550 nm | Dark Current | Capacitance | Bandwidth | Breakdown Voltage |
| Electro-Optical Specifications per Element | ||||||||||
 |
FCI-InGaAs-4M |
75µm |
4 |
250 µm |
0.95 A/W |
0.03 nA |
0.65 pF |
2 GHz |
50 V |
|
 |
FCI-InGaAs-8M |
75µm |
8 |
250 µm |
0.95 A/W |
0.03 nA |
0.65 pF |
2 GHz |
50 V |
|
 |
FCI-InGaAs-12M |
75µm |
12 |
250 µm |
0.95 A/W |
0.03 nA |
0.65 pF |
2 GHz |
50 V |
|
|
FCI-InGaAs-16M |
75µm |
16 |
250 µm |
0.95 A/W |
0.03 nA |
0.65 pF |
2 GHz |
50 V |
|
モニターフォトダイオード
OSI社はInGaAsモニターフォトダイオードを幅広く提供しています。
これらの製品は金属化セラミック基板に実装されたモニターフォトダイオードのラインの一部であり、70μm、120μm、300μm、500μmのアクティブエリアサイズで利用可能です。
これらのコンパクトなアセンブリは、一体化が容易なように設計されています。
OSI社は現在、以下の4種類のセラミックサブマウントのオプションを提供しています。
WCER: InGaAsモニターフォトダイオードを長方形のセラミックサブマウントに搭載。
ACER: InGaAsモニターフォトダイオードを5°の角度をつけたセラミックサブマウントに搭載。
LCER: InGaAsモニターフォトダイオードをリード付きガルウィングセラミックパッケージに搭載。
CCER: InGaAsモニターフォトダイオードをARコートウィンドウ付きガルウィングセラミックパッケージに搭載。
アプリケーション
- 高速光通信
- ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
- SONET/SDH、ATM
- ダイオードレーザーモニター
- 計装
特徴
- 低ノイズ
- 高い応答性
- 高速
- スペクトル範囲：900nm～1700nm
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| Image | Datasheet | Model Number | Active Area Diameter | Responsivity at 1310 nm | Responsivity at 1550 nm | Capacitance | Dark Current | Rise Time | Reverse Voltage (max.) |
Forward Curren |
Package |
 |
FCI-InGaAs-75-WCER |
75 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.65 pF |
0.03 nA |
0.2 ns |
20 V |
5 mA |
Wraparound Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-120-WCER |
120 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
1 pF |
0.05 nA |
0.3 ns |
20 V |
5 mA |
Wraparound Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-300-WCER |
300 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
10 pF |
0.3 nA |
1.5 ns |
15 V |
8 mA |
Wraparound Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-500-WCER |
500 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
20 pF |
0.5 nA |
10 ns |
15 V |
8 mA |
Wraparound Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-75-ACER |
75 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.65 pF |
0.03 nA |
0.2 ns |
20 V |
5 mA |
Wedge Angled Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-120-ACER |
120 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
1 pF |
0.05 nA |
0.3 ns |
20 V |
5 mA |
Wedge Angled Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-300-ACER |
300 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
10 pF |
0.3 nA |
1.5 ns |
15 V |
8 mA |
Wedge Angled Leadless Ceramic |
|
|
FCI-InGaAs-500-ACER |
500 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
20 pF |
0.5 nA |
10 ns |
15 V |
8 mA |
Wedge Angled Leadless Ceramic |
|
 |
FCI-InGaAs-75-LCER |
75 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.65 pF |
0.03 nA |
0.2 ns |
20 V |
5 mA |
Ceramic with two horizontal leads |
|
|
FCI-InGaAs-120-LCER |
120 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
1 pF |
0.05 nA |
0.3 ns |
20 V |
5 mA |
Ceramic with two horizontal leads |
|
|
FCI-InGaAs-300-LCER |
300 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
10 pF |
0.3 nA |
1.5 ns |
15 V |
8 mA |
Ceramic with two horizontal leads |
|
 |
FCI-InGaAs-75-CCER |
75 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
0.65 pF |
0.03 nA |
0.2 ns |
20 V |
5 mA |
Cavity Ceramic with two horizontal leads |
|
|
FCI-InGaAs-120-CCER |
120 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
1 pF |
0.05 nA |
0.3 ns |
20 V |
5 mA |
Cavity Ceramic with two horizontal leads |
|
|
FCI-InGaAs-300-CCER |
300 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
10 pF |
0.3 nA |
1.5 ns |
15 V |
8 mA |
Cavity Ceramic with two horizontal leads |
|
|
FCI-InGaAs-500-CCER |
500 µm |
0.9 A/W |
0.95 A/W |
20 pF |
0.5 nA |
10 ns |
15 V |
8 mA |
Cavity Ceramic with two horizontal leads |
ピッグテールフォトダイオードアセンブリ
アクティブエリアが75μmと120μmのFCI-InGaAs-XX-XXはOSI社のファイバーピッグテールパッケージの高速IR感度検出器シリーズの一部です。
シングル/マルチモードファイバーはTO-46レンズキャップパッケージのハーメチックシールされたInGaAsダイオードに光学的に整列され、カップリング効率と安定性を高めますが、セラミック基板に取り付けられたInGaAsダイオードにも直接接続されます。
高い応答性と低い静電容量により、これらのデバイスはLAN、MAN、WAN、その他の高速通信や監視・計測システムで使用される超高ビットレート受信機に最適です。
アングル研磨コネクタやカスタムパッケージもご利用いただけます。
アプリケーション
- 高速光通信
- ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
- SONET/SDH、ATM
- 光パワー監視/計装
特徴
- ハイスピード
- 高い応答性
- 波長範囲：900nm～1700nm
- ローバックリフレクション
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| Image | Datasheet | Model Number | Active Area Diameter | Responsivity at 1310 nm | Responsivity at 1550 nm | Capacitance | Rise Time | Dark Current |
 |
FCI-InGaAs-70-XX-XX | 75 µm | 0.85 A/W | 0.9 A/W | 0.65 pF | 0.2 nS | 0.03 nA | |
|
FCI-InGaAs-120-XX-XX | 120 µm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 1 pF | 0.3 nS | 0.05 nA | |
|
FCI-InGaAs-70C-XX-XX | 75 µm | 0.85 A/W | 0.9 A/W | 0.65 pF | 0.2 nS | 0.03 nA | |
|
FCI-InGaAs-120C-XX-XX | 120 µm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 1 pF | 0.3 nS | 0.05 nA |
クワドラントPSDS
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは4つのアクティブエリアに分割された大面積InGaAsフォトダイオードです。
直径1mmと3mmのアクティブエリアがあります。
InGaAs Quadシリーズは高い応答均一性と素子間の低いクロストークを持ち、正確なヌリングやセンタリングアプリケーション、ビームプロファイリングアプリケーションに理想的です。
1100nm～1620nmの範囲で優れた応答性を示し、時間や温度に対して安定で、高速動作やパルス動作に必要な高速応答が可能です。
広帯域両面ARコートフラットウィンドウを備えた絶縁型TO-5またはTO-8缶にパッケージされており、ご要望に応じてセラミック基板に搭載することも可能です。
アプリケーション
- ポジションセンシング
- ビームアライメント
- ビームプロファイリング
特徴
- 高い応答性
- 低ノイズ
- 波長範囲：900nm～1700nm
- 低クロストーク
- 広視野角
| Image | Datasheet | Active Area Diameter | Element Gap | Responsivity at 1310 nm | Responsivity at 1550 nm | Crosstalk (max.) | Dark Current | Rise Time | Package |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1000 µm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 1 % | 0.5 nA | 3 ns | TO-5 | |
|
3000 µm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 1 % | 2 nA | 24 ns | TO-8 |
