GaAs フォトダイオード OSI Optoelectronics

GaAs フォトダイオード OSI


GaAsフォトダイオード
アクティブエリア100μm、感度範囲400~850nmのGaAs系フォトダイオードを広ダイナミックレンジのトランスインピーダンスアンプと一体化しました。

ディテクターアンプハイブリッド

ディテクターアンプハイブリッド OSI
FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズはアクティブエリア100μmの高速GaAsフォトディテクターと広ダイナミックレンジトランスインピーダンスアンプをコンパクトに一体化した製品です。
TO-46またはTO-52の4ピンパッケージにディテクターとTIAを組み込むことで、高速信号増幅に理想的な条件を提供します。
低容量、低暗電流、650nm~860nmまでの高応答性により、LAN、MAN、その他の高速通信システムで使用される高ビットレートのレシーバーに最適なデバイスです。
TOパッケージはカップリング効率を高めるレンズ付きキャップ、または広帯域両面ARコーティングフラットウィンドウを標準装備しています。
FCI-H125/250G-GaAs-100シリーズはFC、SC、STおよびSMAレセプタクルも提供しています。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • ギガビットイーサネット
  • ファイバーチャネル
  • ATM
  • SONET OC-48 / SDH STM-16


特徴

  • GaAsフォトディテクター/低ノイズ トランスインピーダンスアンプ
  • 高帯域幅 / 広いダイナミックレンジ
  • 密封型TO-46缶パッケージ
  • +3.3V~+5Vの単一電源
  • スペクトル範囲:650nm~850nm
  • 差動出力



(▼表は横にスライドしてご覧いただけます)

Image

Datasheet

Model Number

Active Area Diameter

Supply Voltage

Supply Current

Operating Wavelength

Responsivity -17dBm (Differential)

Transimpedence -17dBm (Differential)

Sensitivity BER 10-10 (PRBS2-7-1)

Bandwdith -3dB

Low Frequency Cutoff -3dB

Differential Output -3dBm

Output Impedence

Package

Transimpedence Linear Range

フォトダイオード アンプ ハイブリッド OSI PDF

FCI-H125G-GaAs-100

100 µm

+3 to +5.5 V

26 mA

650 – 860 nm

1700 V/W

2800 Ω

-26 dBm

900 MHz

45 KHz

250 mV p-p

50 Ω

TO-46 or TO-52

50 µW p-p <5%

フォトダイオード アンプ ハイブリッド OSI PDF

FCI-H250G-GaAs-100

100 µm

+3 to +5.5 V

35 mA

650 – 860 nm

1650 V/W

2800 Ω

-22 dBm

1700 MHz

30 KHz

400 mV p-p

50 Ω

TO-46 or TO-52

65 µW p-p <5%

osi
OSI社はオプトエレクトロニクスの分野での30年以上の経験から大量生産の要件を満たす効率的な製造に合わせた優れたエンジニアリング ソリューションを提供し続けています。
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