1064nm Nd: YAGフォトダイオード

Nd:YAGシリーズシリコンフォトダイオードはNd:YAGレーザー光の波長である1064nmで
の高応答性に最適化されたフォトダイオードです。
低キャパシタンスで高速応答が可能です。
低ノイズで高応答なため、測距アプリケーションにおいてNd:YAGレーザービームを照射した物体からの反射光など、微弱な光の測定に適しています。
このフォトダイオードは低ノイズを必要とするアプリケーションではフォトボルティックモー
ド（非バイアス）で、高速アプリケーションではフォトコンダクティブモード（バイアス）で動
作させることができます。

アプリケーション

• Nd:YAGレーザーポインティング
• レーザーポインティング・ポジショニング
• 位置測定
• 表面形状測定
• ガイダンスシステム

特徴

• 1064nmの高応答性
• 高ブレークダウン電圧
• 大面積
• 高速
• 高精度

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Package
	PDF	PIN-5-YA G	5.1 mm²	2.54 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	5 nA	5 pF	TO-5
	PDF	PIN-100-Y AG	100 mm²	11.28 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	75 nA	30 pF	Metal
	PDF	SPOT-9-Y AG	19.6 mm²	10 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	20 nA	7 pF	Metal
	PDF	SPOT-11- YAG-FL	26 mm²	11.5 Φ mm	1000 nm	0.42 A/W	7 nA	12 pF	Metal
	PDF	SPOT-13- YAG-FL	33.7 mm²	13.1 Φ mm	1000 nm	0.42 A/W	8 nA	14 pF	Metal
	PDF	SPOT-15- YAG	38.5 mm²	14.0 Φ mm	1000 nm	0.4 A/W	50 nA	15 pF	Metal

アバランシェフォトダイオード (APD)

シリコンアバランシェフォトダイオードは衝撃電離による利得を得るために、内部逓倍（internal multiplication）を利用しています。
その結果、最適化された高応答性デバイスのシリーズが生まれ、優れた感度を示します。
光ファイバーアプリケーション用にフラットウィンドウまたはボールレンズを使用した数種類のサイズのディテクターを提供しています。

アプリケーション

• 光ファイバー通信
• レーザー距離計
• 高速測光

特徴

• 低バイアス動作
• 低温度係数: 0.45 V/℃
• 高感度、低ノイズ
• 高帯域幅

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area Diameter	Active Area	Gain	Responsivity @ Gain M	Dark Current @ Gain M	Capacitance	Bandwidth @ Gain M 800nm	Breakdown Voltage	Package
	PDF	APD02-8-150-xxxxm	0.2 mm	0.3 mm2	100	50 A/W	0.05 nA	1.5 pF	1000 MHz	150 V	T-52
	PDF	APD05-8-150-xxxx	0.5 mm	0.19 mm2	100	50 A/W	0.1 nA	3 pF	900 MHz	150 V	T-52
	PDF	APD10-8-150-xxxx	1 mm	0.78 mm2	100	50 A/W	0.2 nA	6 pF	600 MHz	150 V	T-52
	PDF	APD15-8-150-xxxx	1.5 mm	1.77 mm2	100	50 A/W	0.5 nA	10 pF	350 MHz	150 V	TO-5
	PDF	APD30-8-150-xxxx	3 mm	7 mm2	60	30 A/W	1 nA	40 pF	65 MHz	150 V	TO-5
	PDF	APD50-8-150-xxxx	5 mm	19.6 mm2	40	20 A/W	3 nA	105 pF	25 MHz	150 V	TO-8

背面照射型SMTフォトダイオード

BI-SMTシリーズはデバイス端のデッドエリアを最小限に抑えるように設計された1チャンネル背面照射型シリコンフォトダイオードです。
各デバイスはチップサイズそのものに近い寸法のパッケージ上に設計されています。
この設計により、複数の検出器をタイル状に配置することができ、必要に応じてシンチレータとのカップリングも容易に行えます。

アプリケーション

• X線検査
• コンピュータ断層撮影
• 一般産業用

特徴

• チップサイズパッケージ
• 容易なシンチレータへのカップリング
• パターン電極

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Shunt Resistancence	Capacitance	Rise time	Package
	PDF	33BI-SMT	5.76 mm²	2.4 x 2.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.02 nA	500 MΩ	50 pF	10 µs	SMT
	PDF	155BI-SMT	19.36 mm²	4.4 x 4.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.04 nA	250 MΩ	200 pF	20 µs	SMT
	PDF	1010BI-SMT	88.36 mm²	9.4 x 9.4 mm	920 nm	0.59 A/W	0.16 nA	1 MΩ	900 pF	20 µs	SMT

後方散乱フォトディテクター

OSI社はTO-5およびTO-8メタルパッケージの環状4分割の後方散乱フォトディテクターを提供しています。
350nm～1100nmの感度を持つデバイスです。
200μmのレーザードリル穴は、LCフェルールとのカップリングに最適です。

アプリケーション

• 反射率測定用の後方散乱ディテクター

特徴

• 範囲：350～1100nm
• クワドラント（4分割）ディテクター
• Φ200μm レーザーカットホールオンチップ
• LCフェルールとのカップリングに最適な環状パッケージ設計

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Element Gap	Responsivity @ 790nm	Capacitance	Dark Current	Rise Time	Package
	PDF	SPOT4D-0	1.69 mm2	1.3 x1.3 mm	0.127 mm	0.52 A/W	5 pF	0.1 nA	5 ns	TO-5
	PDF	SPOT9D-0	19.5 mm2	Ø 10	0.014 mm	0.52 A/W	60 pF	0.5 nA	6 ns	Low Profile

ブルーエンハンスドフォトダイオード

シリコンブルーシリーズは高感度と中程度の応答速度を必要とするアプリケーションに使用され、ブルーエンハンスドシリーズでは可視～青色領域での感度が追加されています。
スペクトル応答範囲は350～1100 nmで、可視および近赤外域のアプリケーションに最適なフォトボルティック変換デバイスです。
これらの検出器は高いシャント抵抗と低ノイズを備え、長期的な安定性を示しています。
これらの検出器の偏りのない動作により、DCまたは低速アプリケーションの広い温度変化下で安定性が得られます。
高い光量 (10mW/cm2以上) ではフォトコンダクティブシリーズがより良い線形性を発揮します。

アプリケーション

• 比色計
• 光度計
• 分光装置
• 蛍光

特徴

• 超低ノイズ
• 高シャント抵抗
• 広いダイナミックレンジ
• ブルーエンハンスド

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	OSD1-5T	1 mm²	0.21 A/W	250 GΩ	35 pF	7 ns	TO-18
	PDF	OSD3-5T	3 mm²	0.21 A/W	100 GΩ	80 pF	9 ns	TO-18
	PDF	OSD5-5T	5 mm²	0.21 A/W	100 GΩ	130 pF	9 ns	TO-5
	PDF	OSD15-5T	15 mm²	0.21 A/W	50 GΩ	390 pF	12 ns	TO-5
	PDF	OSD60-5T	62 mm²	0.21 A/W	3 GΩ	1800 pF	30 ns	TO-8
	PDF	OSD100-5TA	100 mm²	0.21 A/W	2 GΩ	2500 pF	45 ns	Special
	PDF	PIN-040DP/SB	0.81 mm²	0.20 A/W	600 GΩ	60 pF	0.02 ns	TO-18
	PDF	PIN-5DP/SB	5.1 mm²	0.20 A/W	150 GΩ	450 pF	0.2 ns	TO-5
	PDF	PIN-10DP/SB	100 mm²	0.20 A/W	10 GΩ	8800 pF	2 ns	BNC
	PDF	PIN-10DPI/SB	100 mm²	0.20 A/W	10 GΩ	8800 pF	2 ns	Metal
	PDF	PIN- 220DP/SB	200 mm²	0.20 A/W	5 GΩ	17000 pF	4 ns	Plastic

BPX65-100　フォトダイオードアンプ ハイブリッド

BPX65-100レシーバーはBPX-65超高速フォトダイオードとNE5212(Signetics) トランスインピーダンスアンプが組み込まれています。
標準品にはSTコネクタとSMAコネクタのバージョンがあります。

アプリケーション

• 100Mbs光通信
• ファイバーパッチコードカップリング
• シリコンベースの光レシーバー

特徴

• 帯域幅：140MHz
• 差動トランスレジスタンス：14KΩ
• スペクトル範囲：400nm～1000nm
• トランスインピーダンスアンプ： 2.5 pA/√Hz 

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Power supply	Responsivity	Amplifier Gain	Data Rate Max.	Fiber Connector	Package
	PDF	BPX65-100	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	None	TO-18
	PDF	BPX65-100ST	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	ST	ST
	PDF	BPX65-100SMA	5 V	0.5 A/W	14 KΩ	100 Mbps	SMA	SMA

ディテクター光学フィルターコンビネーション

ディテクターフィルターコンビネーションシリーズはフィルターとフォトダイオードを組み合わせて、独自の分光感度特性を実現します。 OSI社では多くの標準品とカスタム品の組み合わせを提供しています。 ご要望に応じて全てのディテクターフィルターの組み合わせに、アンペア/ワット、アンペア/ルーメン、アンペア/ルクス、アンペア/フートキャンドルの単位で指定したNISTトレーサブルキャリブレーションデータを提供することが可能です。

アプリケーション

• 分析化学
• 分光光度法
• 濃度計
• 測光/放射測定
• 分光放射分析
• 医療機器
• 液体クロマトグラフィー

特徴

• CIEマッチ（APシリーズ）
• フラットバンド応答 （DF）
• 254ナロー バンドパス
• アンプハイブリッド付
• BNCパッケージ

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active  Area	Active Area  Dimensions	Responsivity	Spectral Match	Shunt  Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	PIN-10DF	100 mm²	11.28 Φ mm	0.15 A/W	± 7%	20 MΩ	1500 pF	0 µs	BNC
	PDF	PIN-10AP-1	100 mm²	11.28 Φ mm	0.27 A/W	4% (CIE Curve)	20 MΩ	1500 pF	0.15 µs	BNC
	PDF	PIN-555AP-1	100 mm²	11.28 Φ mm	0.27 A/W	4% (CIE Curve)	20 MΩ	1500 pF	0.1 µs	Special
	PDF	PIN-005E-550F	5.7 mm²	2.4 Φ mm	0.23 A/W	–	500 MΩ	200 pF	0.1 µs	TO-5
	PDF	PIN-005D-254F	5.7 mm²	2.4 Φ mm	0.025 A/W ( λ = 254 nm)	–	300 MΩ	100 pF	0.1 µs ( λ = 254 nm)	TO-5

デュアルラテラルポジションセンシングディテクター(PSD)　 一次元・二次元

スーパーリニアポジションセンサーは最新のデュオラテラル技術により、アクティブエリアの中心から光スポットのセントロイドの変位に比例した連続的なアナログ出力を提供します。
連続位置センサーとして検出エリアの64%にわたって99%の位置精度を提供する、比類のない製品です。
この精度はチップの上部と下部にそれぞれ2つの抵抗層を設けるデュオラテラル技術によって実現されました。
これらのセンサーを使用することで、一次元または二次元の位置測定が可能です。
高照度下で最適な電流直線性を得るためには、これらの検出器に逆バイアスを印加する必要があります。

アプリケーション

• ビームアライメント
• 位置センシング
• 角度測定
• 表面形状測定
• 高さ測定
• ターゲティング
• ガイダンスシステム
• モーション分析

特徴

• スーパーリニア
• 超高精度
• 広いダイナミックレンジ
• 高信頼性
• デュオラテラル構造

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model  Number	Active  Area	Active Area  Dimensions	Position  Detector Error	Inter-Electrode Resistance (min)	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) ONE-DIMENSIONAL
	PDF	SL3-1	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	15 kΩ	0.4 A/W	5 nm	3 pF	0.04 µs	TO-5
	PDF	SL5-1	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	20 kΩ	0.4 A/W	10 nm	5 pF	0.10 µs	TO-8
	PDF	SL3-2	3 mm²	3 x 1 mm	3 µm	15 kΩ	0.4 A/W	5 nm	3 pF	0.04 µs	8-PIN DIP
	PDF	SL5-2	5 mm²	5 x 1 mm	5 µm	20 kΩ	0.4 A/W	10 nm	5 pF	0.10 µs	8-PIN DIP
	PDF	SL15	15 mm²	15 x 1 mm	15 µm	60 kΩ	0.4 A/W	150 nm	15 pF	0.60 µs	25-PIN DIP
	PDF	SL30	120 mm²	30 x 4 mm	30 µm	40 kΩ	0.4 A/W	150 nm	125 pF	1.00 µs	Ceramic
	PDF	SL76-1	190 mm²	76 x 2.5 mm	76 µm	120 kΩ	0.4 A/W	100 nm	190 pF	14.00 µs	Special
DUO-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) TWO-DIMENSIONAL
	PDF	DL-2	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	30 nm	10 pF	0.03 µs	TO-8
	PDF	DLS-2	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	10 nm	8 pF	0.03 µs	TO-8
	PDF	DLS-2S	4 mm²	2 x 2 mm	30 µm	5 kΩ	0.4 A/W	10 nm	8 pF	0.03 µs	TO-5
	PDF	DL-4	16 mm²	4 x 4 mm	50 µm	5 kΩ	0.4 A/W	50 nm	35 pF	0.08 µs	TO-8
	PDF	DLS-4	16 mm²	4 x 4 mm	50 µm	5 kΩ	0.4 A/W	25 nm	30 pF	0.08 µs	TO-8
	PDF	DL-10	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	500 nm	175 pF	0.20 µs	Special
	PDF	DL-20	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	2000 nm	600 pF	1.00 µs	Special
	PDF	DLS-10	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	50 nm	160 pF	0.20 µs	Ceramic
	PDF	DLS-20	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	100 nm	580 pF	1.20 µs	Ceramic
	PDF	DL-10C	100 mm²	10 x 10 mm	100 µm	5 kΩ	0.4 A/W	500 nm	175 pF	0.60 µs	Ceramic
	PDF	DL-20C	400 mm²	20 x 20 mm	200 µm	5 kΩ	0.4 A/W	2000 nm	600 pF	1.00 µs	Ceramic

アイレスポンスフォトダイオード

OSI社のアイレスポンスディテクターは高品質の色補正フィルターを使用したブルーエンハンスドディテクターです。
その結果、人間の目に近いスペクトル応答が得られます。

アプリケーション

• 測光/放射測定
• 医療機器
• 分析化学

特徴

• 人間の目に近い反応
• TO缶パッケージ

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Package
	PDF	OSD1-E	1 mm²	1.0 x 1.0 mm	2.2 nA /Lux	0.2 nA	35 pF	TO-18
	PDF	ODS3-E	3 mm²	2.5 x 1.2 mm	6.6 nA /Lux	0.5 nA	80 pF	TO-18
	PDF	OSD5-E	5 mm²	2.5 Φ mm	11 nA /Lux	0.5 nA	130 pF	TO-5
	PDF	OSD15-E	15 mm²	3.8 x 3.8 mm	33 nA /Lux	2 nA	390 pF	TO-5
	PDF	OSD60-E	100 mm²	11.3 Φ mm	56 nA /Lux	8 nA	2500 pF	TO-8

完全空乏型放射線フォトダイオード

大面積の高速ディテクターは高速応答のために可能な限り低いジャンクション容量を達成するため、完全に空乏化することができます。
また、最大許容値まで高い逆バイアスで動作させ、ナノ秒単位の高速応答を実現することも可能です。
この時の高い逆バイアスにより、接合部の有効電界が増加し、空乏領域での電荷収集時間が長くなります。
これは高応答性とアクティブ領域を犠牲にすることなく達成されます。

大面積放射線ディテクターは高エネルギーX線、Y線、電子、アルファ線、重イオンなどの高エネルギー粒子を測定するアプリケーションのために、完全に空乏化することも可能です。
これらの放射線は間接的な方法と直接的な方法の2つの異なる方法で測定することができます。

アプリケーション

1）大面積高速ディテクター

• レーザー誘導ミサイル
• レーザー警告• レーザー距離計
• レーザーアライメント
• 制御システム

2）大面積放射線ディテクター

• 電子検出
• 医療機器
• 高エネルギー分光法
• 荷電粒子検出
• 高エネルギー物理学
• 核物理学

特徴

1）大面積高速ディテクター

• 広いアクティブエリア
• 完全空乏型
• 早い反応
• 超低暗電流
• 低容量

2）大面積放射線ディテクター

• 広いアクティブエリア
• シンチレータ搭載可能
• 完全空乏型
• 超低暗電流
• 低容量
• 高耐圧

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity @900 nm	Dark Current	Shunt Resistance	Capacitance	Package
	pdf	OSD35-LR-A*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	3 GΩ	1300 pF	Ceramic
	pdf	OSD35-LR-D*	34.2 mm²	830 nm	0.54 A/W	–	0.3 GΩ	1300 pF	Ceramic
	pdf	PIN-RD07	7.1 mm²	900 nm	0.55 A/W	0.2 nA	–	8.0 pF	TO-8
	pdf	PIN-RD15	14.9 mm²	900 nm	0.58 A/W	1.0 nA	–	14 pF	TO-8
	pdf	PIN-RD100	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	50 pF	Ceramic
	pdf	PIN-RD100A	100 mm²	950 nm	0.60 A/W	2 nA	–	40 pF	Ceramic

高速フォトダイオード

OSI社の高速シリコンシリーズは高速応答や高帯域幅のアプリケーションに最適化された小面積デバイスです。
BPX-65は他のハイスピードシリーズを補完する、業界標準のデバイスです。
これらのデバイスのスペクトル範囲は350nm～1100nmまでです。
応答性と応答時間は最適化されており、HRシリーズは800nmで0.50 A/Wのピーク応答性と-5Vで数百ピコ秒の標準応答時間を実現しています。

アプリケーション

• ビデオシステム
• コンピューターと周辺機器
• 工業用制御
• ガイダンスシステム
• レーザー監視

特徴

• 低暗電流
• 低容量
• TO-46パッケージ
• レンズキャップ付
• サブナノ秒応答

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area Dimensions	Responsivity @830nm (Typ)	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
	pdf	FCI-HR005	0.127 Φ mm	0.5 A/W	0.03 nA	0.8 pF	0.75 ns	TO-18
	pdf	FCI-HR008	0.203 Φ mm	0.5 A/W	0.03 nA	0.8 pF	0.75 ns	TO-18
	pdf	FCI-HR020	0.508 Φ mm	0.5 A/W	0.06 nA	1.8 pF	1 ns	TO-18
	pdf	FCI-HR026	0.66 Φ mm	0.5 A/W	0.01 nA	2.6 pF	1.1 ns	TO-18
	pdf	FCI-HR040	0.991 Φ mm	0.5 A/W	0.3 nA	4.9 pF	1.2 ns	TO-18
	pdf	BPX-65	1.0 sq mm	0.5 A/W	0.5 nA	3 pF	2 ns	TO-18

リニアアレイ

マルチチャンネルアレイフォトディテクターは複数の単体フォトダイオードを隣接して配置し、共通のカソード基板上に一次元の受光領域を形成したものです。
移動ビームや多波長ビームの同時計測が可能です。
また、電気的クロストークが少なく、隣接する素子間の均一性が非常に高いため、高精度な測定が可能です。
アレイは多数のディテクターが必要な場合に低コストで使用できる代替手段です。
ディテクターは紫外、可視、近赤外域のいずれかに最適化されています。

応答時間を短縮するためにフォトコンダクティブモード（逆バイアス）、または低ドリフトのアプリケーションのためにフォトボルティックモード（非バイアス）で動作させることができます。
A2V-16はX線およびガンマ線領域の高エネルギーフォトンを測定するために、あらゆるシンチレータ結晶と結合することができます。
また、機械的に設計されているため、16個以上の素子が必要なアプリケーションでは複数個を互いに端から端まで装着することができます。

アプリケーション

• レベルメーター
• 光学分光法
• 医療機器
• 高速測光
• コンピューター断層撮影スキャナー
• 位置センサー

特徴

• 共通基板アレイ
• 超低クロストーク
• UVエンハンスド（A5V-35UV）
• 低暗電流
• 低容量
• はんだ付け可能

Image	Datasheet	Model Number	Active Area Diameter Per Element	Number of Elements	Pitch	Responsivity at 1550 nm	Dark Current	Capacitance
	PDF	A2V-16	75µm	16	1.59 mm	0.60 A/W	–	170 pF
	PDF	A5C-35	75µm	35	0.99 mm	0.65 A/W	0.05 nA	12 pF
	PDF	A5V-35	75µm	35	0.99 mm	0.60 A/W	–	340 pF
	PDF	A5V-35UV	75µm	35	0.99 mm	0.06 A/W @ 254nm	–	340 pF
	PDF	A5C-38	75µm	38	0.99 mm	0.65 A/W	0.05 nA	12 pF
	PDF	A5C-38	75µm	38	0.99 mm	0.60 A/W	–	340 pF
	PDF	A5C-76	75µm	76	0.31 mm	0.50 A/W	–	160 pF

マルチエレメントX線アレイフォトダイオード

このシリーズは16素子アレイで構成されており、個々の素子はグループ化され、PCBにマウントされています。

X線またはガンマ線アプリケーションのために、これらのマルチチャンネルディテクターはシンチレータマウントのオプション（BGO、CdWO4、CsI(TI)）を提供します。

BGO (Bismuth Germanate) ：理想的なエネルギー吸収体として、高エネルギー検出アプリケーションに広く受け入れられています。

CdWO4 (Cadmium Tungstate) ：十分な光量を示し、スペクトロメトリの結果を向上させることができます。

CsI (Cesium Iodide) ：高いエネルギー吸収能を持ち、機械的衝撃や熱ストレスに対して十分な耐性を備えています。

このシリコンアレイはシンチレータと組み合わせることで、中・高エネルギーの放射線を散乱効果により可視光に変換することができます。
また、特殊設計のプリント基板により、エンド・ツー・エンドの接続が可能です。複数のアレイを使用することで、より大規模なアセンブリが必要な場合にも対応できます。

アプリケーション

• 位置センサー
• マルチチャンネルガンマカウント
• X線セキュリティシステム

特徴

• シンチレータプラットフォーム
• バイアス5V
• チャネル間隔の多様性

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Number of Elements	Active Area per Element	Element Size	Pitch	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	A2C-16-1.57	16	2.35 mm	2.00 x 1.18 mm	1.57 mm	0.59 A/W	5 pA	28 pF	0.1 µs	PCB

フォトコンダクティブフォトダイオード

フォトコンダクティブフォトダイオードシリーズは高速・高感度なアプリケーションに適しています。
波長帯域は350～1100nmでパルスレーザー光源、LED、チョップドライトなどのACアプリケーションを含む可視および近赤外アプリケーションに最適なフォトダイオードです。

高速動作させるためには逆バイアスが必要です。
例えば、10Vの逆バイアスで10ns～250nsの応答時間を達成することができます。
逆バイアスをかけると静電容量が減少し、そのまま高速化につながります。
仕様表に示すように、逆バイアスは 30Vを超えないようにしてください。
これより高いバイアス電圧はディテクターに永久的な損傷を与える結果となります。

逆バイアスは暗電流を生成するので、デバイスのノイズはバイアスの印加とともに増加します。
より低ノイズの検出器はフォトボルティックシリーズをご検討ください。

アプリケーション

• パルス検出器
• 光通信
• バーコードリーダー
• 光リモコン
• 医療機器
• 高速測光

特徴

• 高速応答
• 低容量
• 低暗電流
• 広いダイナミックレンジ
• 高い応答性

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	OSD1-0	1 mm²	900 nm	0.54 A/W	1.5 pF	3 pF	10 ns	TO-18
	PDF	OSD5-0	5 mm²	900 nm	0.54 A/W	1 nA	8 pF	8 ns	TO-5
	PDF	OSD15-0	15 mm²	900 nm	0.54 A/W	5 nA	20 pF	9 ns	TO-5
	PDF	OSD35-0	35 mm²	900 nm	0.54 A/W	8 nA	46 pF	12 ns	TO-8
	PDF	OSD60-0	58 mm²	900 nm	0.54 A/W	12 nA	75 pF	14 ns	TO-8
	PDF	OSD100-0A	100 mm²	900 nm	0.54 A/W	15 nA	130 pF	19 ns	Special
	PDF	PIN-020A	0.20 mm²	970 nm	0.65 A/W	30 nA	1 pF	6 ns	TO-18
	PDF	PIN-040A	0.81 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.01 nA	2 pF	8 ns	TO-18
	PDF	PIN-2DI ‡	1.1 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.05 nA	5 pF	10 ns	TO-18
	PDF	PIN-3CD	3.2 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.1 nA	12 pF	10 ns	TO-18
	PDF	PIN-3CDI	3.2 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.15 nA	12 pF	10 ns	TO-18 (Isolated)
	PDF	PIN-5D	5.1 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.15 nA	15 pF	10 ns	TO-5
	PDF	PIN-5DI	5.1 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.25 nA	15 pF	10 ns	TO-5 (Isolated)
	PDF	PIN-13D	13 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.35 nA	40 pF	12 ns	TO-5
	PDF	PIN-13DI	13 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.35 nA	40 pF	14 ns	TO-5 (Isolated)
	PDF	PIN-6D	16.4 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	17 ns	TO-8
	PDF	PIN-6DI	16.4 mm²	970 nm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	17 ns	TO-8 (Isolated)
	PDF	PIN-44D	44 mm²	970 nm	0.65 A/W	1 nA	130 pF	17 ns	TO-8
	PDF	PIN-44DI	44 mm²	970 nm	0.65 A/W	1 nA	130 pF	24 ns	TO-8 (Isolated)
	PDF	PIN-10D	100 mm	970 nm	0.65 A/W	2 nA	300 pF	43 ns	BNC
	PDF	PIN-10DI	100 mm	970 nm	0.65 A/W	2 nA	300 pF	43 ns	Low Profile
	PDF	PIN-25D	613 mm²	970 nm	0.65 A/W	15 nA	1800 pF	250 ns	BNC

フォトダイオードアンプ　ハイブリッド(1.25Gbps)

FCI-H125G-010 は短波長 (850nm) 高速光ファイバーデータ通信用に設計された低ノイズ、高帯域のフォトディテクターとトランスインピーダンスアンプのハイブリッド製品です。
直径250μmの大面積・高感度シリコンフォトダイオードを搭載しています。
また、電気光学レシーバーやトランシーバーに使用されるポストアンプにラッチするための差動出力電圧を生成する高ゲインのトランスインピーダンスアンプを内蔵しており、マルチモードファイバ上で最大 1.25Gbpsのギガビットイーサネットおよびファイバチャネルアプリケーションに対応しています。

アプリケーション

• 高速光通信
• ギガビットイーサネット
• ファイバーチャネル

特徴

• シリコン光検出器 / 低ノイズトランスインピーダンスアンプ
• 250μmの広いアクティブエリア
• 高帯域幅 / 広いダイナミック レンジ
• 自動ゲイン制御 (AGC)
• 密封型TO-46缶パッケージ
• +3.3V～+5Vの単一電源
• 差動出力

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Active Area Diameter	Supply Voltage	Supply Current	Operating Wavelength	Responsivity	Transimpedence	Sensitivity	Optical Overload (min)	Bandwidth	Differential Output	Output Impedence	Input Optical Power	Package
	PDF	250 µm	+3 to +5.5 V	38 mA	850 nm	3000 V/W -19dBm; Differential	8300 Ω -19dBm; Differential	-23 dBm BER 10-10; PRBS27-1	-3 dBm	1000 MHz -3dBm; Small Signal	200 mVp-p	50 Ω	+5 dBm	TO-18
	PDF	250 µm	+3 to +5.5 V	38 mA	850 nm	3000 V/W -19dBm; Differential	8300 Ω -19dBm; Differential	-23 dBm BER 10-10; PRBS27-1	-3 dBm	1000 MHz -3dBm; Small Signal	200 mVp-p	50 Ω	+5 dBm	TO-18 Lensed

 

フォトダイオードアンプ　ハイブリッド（オペアンプ仕様 / フォトダイオード仕様）

Photop™シリーズはフォトダイオードとオペアンプを同じパッケージに組み合わせたものです。
Photops™汎用検出器のスペクトル範囲は350nm～1100nmまたは200nm～1100nmです。
また、様々な動作条件下で低ノイズ出力を保証する一体化型パッケージを備えています。
これらのオペアンプはOSI社のエンジニアによってフォトダイオードとの互換性を考慮して特別に選択されています。
これらの特定のパラメータの多くには、低ノイズ、低ドリフト、および外部フィードバックコンポーネントによって決定されるさまざまなゲインと帯域幅をサポートする機能があります。
DCレベルから数MHzまでの動作は低速、低ドリフトアプリケーション向けの非バイアス構成、または高速応答時間向けのバイアス構成のいずれかで可能です。

アプリケーション

• 汎用光検出
• レーザー出力の監視
• 医療分析
• レーザー通信
• バーコードリーダー
• 工業用制御センサー
• 汚染の監視
• ガイダンスシステム
• 比色計

特徴

• 検出器/増幅器の組み合わせ
• 調整可能なゲイン/帯域幅
• 低ノイズ
• 広帯域幅
• DIPパッケージ
• 広いアクティブエリア

オペアンプ仕様

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Supply Voltage	Supply Current	Input Offset Voltage	Temp. Coefficient I/P Offset Voltage	Input Bias Current	Gain Bandwidth Product	Slew Rate	DC Gain
	PDF	UDT-455	± 15 V	2.8 mA	0.5 mV	4 µV/°C	± 80 pA	5.4 MHz	9 V/µs	200 V/mV
	PDF	UDT-455UV	± 15 V	2.8 mA	0.5 mV	4 µV/°C	± 80 pA	5.4 MHz	9 V/µs	200 V/mV
	PDF	UDT-020D	± 15 V	2.8 mA	0.5 mV	4 µV/°C	± 80 pA	5.4 MHz	9 V/µs	200 V/mV
	PDF	OSI-020UV	± 15 V	1.8 mA	0.03 mV	0.35 µV/°C	0.5 pA	5.1 MHz	20 V/µs	2000 V/mV
	PDF	OSI-515	± 15 V	6.5 mA	1 mV	10 µV/°C	± 15 pA	26 MHz	140 V/µs	6.3 V/mV
	PDF	UDT-555UV/LN	± 15 V	2.5 mA	0.1 mV	± 2 µV/°C	± 0.8 pA	2 MHz	2 V/µs	1778 V/mV
	PDF	UDT-055UV	± 15 V	2.7 mA	0.4 mV	± 3 µV/°C	± 40 pA	5.7 MHz	11 V/µs	220 V/mV
	PDF	UDT-555D	± 15 V	2.7 mA	0.4 mV	± 3 µV/°C	± 40 pA	5.7 MHz	11 V/µs	220 V/mV
	PDF	UDT-555UV	± 15 V	2.7 mA	0.4 mV	± 3 µV/°C	± 40 pA	5.7 MHz	11 V/µs	220 V/mV

フォトダイオード仕様

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Spectral Range	Responsivity	Capacitance	Dark Current	Shunt Resistance	Reverse Bias Max	Package
	PDF	UDT-455	5.1 mm²	2.54 Φ	350 – 1100 nm	0.65 A/W	15 pF	0.25 nA	–	30 V	TO-5
	PDF	OSI-515	5.1 mm²	2.54 Φ	350 – 1100 nm	0.65 A/W	15 pF	0.25 nA	–	30 V	TO-5
	PDF	UDT-020D	16 mm²	4.57 Φ	350 – 1100 nm	0.65 A/W	60 pF	0.5 nA	–	30 V	TO-8
	PDF	UDT-555D	100 mm²	11.3 Φ	350 – 1100 nm	0.65 A/W	300 pF	2 nA	–	30 V	Special
	PDF	UDT-455UV	5.1 mm²	2.54 Φ	200 – 1100 nm	0.14 A/W	300 pF	–	100 MΩ	5 V	TO-5
	PDF	UDT-020UV	16 mm²	4.57 Φ	200 – 1100 nm	0.14 A/W	1000 pF	–	50 MΩ	5 V	TO-8
	PDF	UDT-055UV	50 mm²	7.98 Φ	200 – 1100 nm	0.14 A/W	2500 pF	–	10 MΩ	5 V	Special
	PDF	UDT-555UV	100 mm²	11.3 Φ	200 – 1100 nm	0.14 A/W	4500 pF	–	10 MΩ	5 V	Special
	PDF	UDT-555UV / LN	100 mm²	11.3 Φ	200 – 1100 nm	0.14 A/W	4500 pF	–	10 MΩ	5 V	Special

フォトボルティックフォトダイオード

フォトボルティックシリーズは高感度と適度な応答速度を必要とするアプリケーションに使用され、ブルーエンハンスドシリーズでは可視～青色領域での感度を追加しています。
分光感度特性は350～1100nmで、通常の光電変換デバイスは可視および近赤外域のアプリケーションに最適です。
350nm～550nmの領域でさらなる感度を求める場合はブルーエンハンスドデバイスがより適しています。

これらのディテクターは高いシャント抵抗と低ノイズを持ち、長期的な安定性を示しています。
これらのディテクターの偏りのない動作は、DCまたは低速アプリケーションでの幅広い温度変動下での安定性に優れています。
高い光レベル (10mW/cm2 を超える) の場合、直線性を向上させるためにフォトコンダクティブシリーズのディテクターをご検討ください。

アプリケーション

• 比色計
• 光度計
• 分光装置
• 蛍光

特徴

• 超低ノイズ
• 高シャント抵抗
• 広いダイナミックレンジ
• ブルーエンハンスド

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	CD-1705	0.88 mm²	850 nm	0.6 A/W	10 GΩ	70 pF	2000 ns	Plastic
	PDF	PIN-2DPI ‡	1.1 mm²	970 nm	0.6 A/W	10 GΩ	150 pF	30 ns	TO-18
	PDF	PIN-125DPL	1.6 mm²	970 nm	0.6 A/W	10 GΩ	160 pF	30 ns	TO-18
	PDF	PIN-3CDP	3.2 mm²	970 nm	0.6 A/W	5.0 GΩ	320 pF	50 ns	TO-18
	PDF	PIN-3CDPI	3.2 mm²	970 nm	0.60 A/W	5.0 GΩ	320 pF	50 ns	TO-18
	PDF	PIN-5DP	5.1 mm²	970 nm	0.60 A/W	4 GΩ	500 pF	60 ns	TO-5
	PDF	PIN-5DPI	5.1 mm²	970 nm	0.60 A/W	4 GΩ	500 pF	60 ns	TO-5
	PDF	PIN-13DP	13 mm²	970 nm	0.60 A/W	3.5 GΩ	1200 pF	150 ns	TO-5
	PDF	PIN-13DPI	13 mm²	970 nm	0.60 A/W	3.5 GΩ	1200 pF	150 ns	TO-5
	PDF	PIN-6DP	16.4 mm²	970 nm	0.60 A/W	2 GΩ	2000 pF	220 ns	TO-8
	PDF	PIN-6DPI	16.4 mm²	970 nm	0.60 A/W	2 GΩ	2000 pF	220 ns	TO-8
	PDF	PIN-44DP	44 mm²	970 nm	0.60 A/W	1.0 GΩ	4300 pF	475 ns	TO-8
	PDF	PIN-44DPI	44 mm²	970 nm	0.60 A/W	1.0 GΩ	4300 pF	475 ns	TO-8
	PDF	PIN-10DP	100 mm²	970 nm	0.60 A/W	0.20 GΩ	9800 pF	1000 ns	BNC
	PDF	PIN-10DPI	100 mm²	970 nm	0.60 A/W	0.20 GΩ	9800 pF	1000 ns	Low Profile
	PDF	PIN-220DP	200 mm²	970 nm	0.60 A/W	0.20 GΩ	20000 pF	2200 ns	Plastic
	PDF	PIN-25DP	613 mm²	970 nm	0.60 A/W	0.1 GΩ	60000 pF	6600 ns	BNC

プラスチックモールドおよび表面実装型フォトダイオード

OSI社は高品質・高信頼性のプラスチック封止型フォトダイオードをラインアップしています。これらのモールドデバイスはフラット、レンズ付きサイドルッカーのほか、表面実装バージョン（SOT- 23）など、さまざまな形状のフォトディテクターとパッケージで利用可能です。
過酷な環境下でのPCBや携帯機器への搭載に優れています。
近赤外スペクトルに優れた応答性を持ち、700～1100nmの範囲のみを透過する可視ブロッキング化合物も利用可能です。
高速スイッチング時間、低キャパシタンス、低暗電流を実現しています。
フォトコンダクティブモードとフォトボルティックモードの両方で使用することができます。

アプリケーション

• バーコードリーダー
• 工業用カウンター
• 測定・制御
• 赤外線リモコン
• 反射スイッチ

特徴

• 高密度パッケージ
• 頑丈な成形パッケージ
• 低容量
• 低暗電流
• リードフレーム規格
• SMT
• 成形レンズ機能
• サイドルッカー
• フィルターオンチップ （カットオフ700nm）

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Responsivity @ 970nm	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	BPW-34	7.25 mm²	2.69 x 2.69 mm	0.6 A/W	2 nA	12 pF	20 ns	Plastic Mold
	PDF	BPW-34B	7.25 mm²	2.69 x 2.69 mm	–	2 nA	12 pF	20 ns	Plastic Mold
	PDF	PIN-0.81-CSL	0.81 mm²	1.02 x 1.02 mm	0.55 A/W	2 nA	10 pF	11 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-0.81-LLS	0.81 mm²	1.02 x 1.02 mm	0.55 A/W	2 nA	10 pF	11 ns	Leadless Ceramic
	PDF	PIN-4.0-CSL	3.9 mm²	2.31 x 1.68 mm	0.55 A/W	5 nA	60 pF	11 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-4.0-LLS	3.9 mm²	2.31 x 1.68 mm	0.55 A/W	5 nA	60 pF	11 ns	Leadless Ceramic
	PDF	PIN-07-CSL	8.1 mm²	2.84 x 2.84 mm	0.55 A/W	5 nA	85 pF	50 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-07-FSL	8.1 mm²	2.84 x 2.84 mm	0.55 A/W	5 nA	85 pF	50 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-07-CSLR	8.1 mm²	2.84 x 2.84 mm	0.55 A/W	5 nA	85 pF	50 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-07-FSLR	8.1 mm²	2.84 x 2.84 mm	0.55 A/W	5 nA	85 pF	50 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-08-CSL-F	8.4 mm²	2.90 x 2.90 mm	–	10 nA	25 pF	75 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-8.0-CSL	8.4 mm²	2.90 x 2.90 mm	0.55 A/W	10 nA	100 pF	50 ns	Resin Mold
	PDF	PIN-8.0-LLS	8.4 mm²	2.90 x 2.90 mm	0.55 A/W	10 nA	100 pF	50 ns	Leadless Ceramic
	PDF	PIN-16-CSL	16 mm²	4.00 x 4.00 mm	0.55 A/W	5 nA	330 pF	100 ns	Resin Mold

クワドラント（4分割）フォトダイオード、バイセルフォトダイオード（SPOTシリーズ）

SPOTシリーズは2つまたは4つのアクティブエリアに分割された共通基板のフォトディテクターです。
隣接する素子間のギャップは0.005 “または0.0004 “で、素子間で高い応答均一性を実現しています。
SPOTシリーズは非常に精度の高いヌリングやセンタリング用途に最適です。
光スポットの直径がセル間の間隔より大きい場合、位置情報を得ることができます。

アプリケーション

• 工作機械のアライメント
• 位置測定
• ビームセンタリング
• 表面プロファイリング
• ターゲティング
• ガイダンスシステム

特徴

• 高い正確性
• 優れた解像度
• 高速応答
• 超低暗電流
• 優れたレスポンスマッチ
• 時間と温度に対する高い安定性

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area per Element	Active Area Dimensions Per Element	Element Gap	Responsivity	Dark Current	Capacitance	Rise Time	Package
Two Element Bi-Cell
	PDF	CD-25T	2.3 mm²	4.6 x 0.5 mm	0.02 mm	0.65 A/W	20 nA (VR = 15 V)	50 pF (VR = 15 V)	18 ns	TO-5
	PDF	SPOT-2D	3.3 mm²	1.3 x 2.5 mm	0.127 mm	0.65 A/W	0.15 nA	11 pF	22 ns	TO-5
	PDF	SPOT-2DMI	0.7 mm²	0.6 x 1.2 mm	0.013 mm	0.65 A/W	0.05 nA	3 pF	11 ns	TO-18
	PDF	SPOT-3D	2.8 mm²	0.6 x 4.6 mm	0.025 mm	0.65 A/W	0.13 nA	7 pF	25 ns	TO-5
Four Element Quadrant
	PDF	SPOT-4D	1.6 mm²	1.3 mm	0.127 mm	0.65 A/W	1 nA	5 pF	22 ns	TO-5
	PDF	SPOT-4DMI	0.3 mm²	0.5 mm	0.013 mm	0.65 A/W	0.01 nA	1 pF	9 ns	TO-5
	PDF	SPOT-9D	19.6 mm²	10 Φ mm	0.102 mm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	33 ns	Low Profile
	PDF	SPOT-9DMI	19.6 mm²	10 Φ mm	0.01 mm	0.65 A/W	0.5 nA	60 pF	28 ns	Low Profile
	PDF	QD7-0	7.0 mm²	3.0 Φ mm	0.2 mm	0.54 A/W	4 nA	20 pF	10 ns	TO-5
	PDF	QD50-0	50.0 mm²	8.0 Φ mm	0.2 mm	0.54 A/W	15 nA	125 pF	10 ns	TO-8

クワドラント（4分割）ディテクターアンプ

QD7-0-SDまたはQD50-0-SDは2つの差分信号と合計信号を提供する関連回路を備えたクワドラント（4分割）フォトダイオードアレイです。
2つの差分信号はフォトダイオード4分割素子の対向するペアによって感知された光の相対強度差の電圧アナログです。
さらに、4つの象限素子すべての増幅された合計が、和信号として出力されます。
このため、QD7-0-SDおよびQD50-0-SDは、光ビームヌリングと位置決めの両方のアプリケーションに理想的です。
非常に精密な光ビームアライメントが可能であり、この回路はターゲット捕捉やアライメントにも使用することができます。
QD50-0およびQD7-0は単体の象限儀フォトダイオードを指してます。
和と差のモジュールの構成にはそれぞれQD50-0-SDおよびQD7-0-SDの50mm2および 7mm2バージョンが必要です。

出力は次のように定義されます。
ixは象限xからの電流です。
VT-B = -{(i1+i2) – (i3+i4)} x (104)
VL-R = -{(i2+i3) – (i1+ i4)} x (104)
VSUM = -{(i1+i2 + i3 + i4)} x (104)

アプリケーション

• 位置測定
• ビームセンタリング
• ターゲティング
• ガイダンス システム

特徴

• その他のQD7-XXまたはQD50-XXはお問い合わせください。

Image	Datasheet	Model Number	Power supply	Photoiode Bias	Output Voltage (max.)	Frequency Response at -3dB	Slew Rate (max.)	Output Current Limit	Theoretical noise
	PDF	QDXX-0-SD*	±4.5 to ±18 V	0.91 x VPDBIAS	-3 to +3 V	250 kHz	10 V/µs	25 mA	15 nV/Hz½

軟X線・遠紫外フォトダイオード

R&D100 Award受賞のX-UV検出器シリーズはシンチレータ結晶やスクリーンを使用せずに、電磁スペクトルのX線領域で感度を高めるために設計されたユニークなシリコンフォトダイオードシリーズです。
0.07nm～200nm（6eV～17.6KeV）の広いスペクトル範囲に感度を持ち、入射エネルギー3.63eVあたり1個の電子-正孔ペアが生成されるため、非常に高い安定量子効率に相当します。
逆バイアスをかけると静電容量が減少し、応答速度が向上します。
バイアスがかかっていない状態では、低ノイズ、低ドリフトのアプリケーションに適しています。
また、350～1100nmの波長の光を検出するのにも適しています。
17.6keV以上の放射線エネルギーの測定には、完全空乏型放射線ディテクターシリーズを参照してください。

アプリケーション

• 電子検出
• 医療機器
• 線量測定
• 放射線モニタリング
• X線分光法
• 荷電粒子検出

特徴

• 直接検出
• バイアスの必要無し
• 高い量子効率
• 低ノイズ
• 高真空対応
• 低温適合性
• 波長範囲：0.07nm～1100nm

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Active Area Dimensions	Shunt Resistance	Capacitance	Package
	PDF	XUV-005	5 mm²	2.57 Φ mm	2000 MΩ	0.3 nF	TO-5
	PDF	XUV-020	20 mm²	5.00 Φ mm	500 MΩ	1.2 nF	TO-8
	PDF	XUV-035	35 mm²	6.78 x 5.59 mm	300 MΩ	2 nF	TO-8
	PDF	XUV-100	100 mm²	11.33 Φ mm	100 MΩ	6 nF	BNC
	PDF	XUV-50C	50 mm²	8.02 Φ mm	200 MΩ	2 nF	Ceramic
	PDF	XUV-100C	100 mm²	10 x 10 mm	100 MΩ	6 nF	Ceramic

はんだ付け可能　チップフォトダイオード

はんだ付け可能なフォトダイオードチップシリーズは大面積の受光素子を必要とするアプリケーションに低コストで対応できる製品です。
低キャパシタンス、中程度の暗電流、広いダイナミックレンジ、高い開回路電圧を持っています。
これらのディテクターは2本の3インチ長のリードが前面（陽極）と背面（陰極）にはんだ付けされています。

フォトダイオードチップには2つのタイプがあります。
フォトコンダクティブシリーズ（SXXCL）：低容量で高速応答
フォトボルティックシリーズ（SXXVL）：低ノイズアプリケーション向け

アプリケーション

• 太陽電池
• 低コストの照明モニタリング
• ダイオードレーザーモニタリング
• 低容量

特徴

• 広いアクティブエリア
• 様々なサイズ
• 高シャント抵抗
• リードありまたは無し

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Chip Size	Active Area	Active Area Dimensions	Peak Wavelength	Responsivity	Dark Current	Shunt Resistance	Capacitance
Photoconductive
	PDF	S-4CL	1.9 x 4.1 mm	4.7 mm²	1.7 x 2.8 mm	970 nm	0.65 A/W	20 nA	–	15 pF
	PDF	S-10CL	2.5 x 5.1 mm	9.6 mm²	2.3 x 4.2 mm	970 nm	0.65 A/W	40 nA	–	30 pF
	PDF	S-25CRL	3.4 x 10.5 mm	25.4 mm²	2.5 x 10.1 mm	970 nm	0.65 A/W	100 nA	–	95 pF
	PDF	S-25CL	5.5 x 6.0 mm	25.8 mm²	5.1 x 5.1 mm	970 nm	0.65 A/W	100 nA	–	95 pF
	PDF	S-50CL	3.4 x 20.6 mm	51 mm²	2.5 x 20.3 mm	970 nm	0.65 A/W	300 nA	–	200 pF
	PDF	S-80CL	5.2 x 20.4 mm	82.6 mm²	4.1 x 20.1 mm	970 nm	0.65 A/W	500 nA	–	300 pF
	PDF	S-100CL	10.5 x 11.00 mm	93.4 mm²	9.7 x 9.7 mm	970 nm	0.65 A/W	600 nA	–	375 pF
	PDF	S-120CL	5.5 x 23.9 mm	105.7 mm²	4.5 x 23.5 mm	970 nm	0.65 A/W	800 nA	–	450 pF
	PDF	S-200CL	10.2 x 21.0 mm	189 mm²	9.2 x 20.7 mm	970 nm	0.65 A/W	1200 nA	–	750 pF
Photovoltaic
	PDF	S-4VL	1.9 x 4.1 mm	4.7 mm²	1.7 x 2.8 mm	970 nm	0.65 A/W	–	10 MΩ	370 pF
	PDF	S-10VL	2.5 x 5.1 mm	9.6 mm²	2.3 x 4.2 mm	970 nm	0.65 A/W	–	8 MΩ	750 pF
	PDF	S-25VL	5.5 x 6.0 mm	25.8 mm²	5.1 x 5.1 mm	970 nm	0.65 A/W	–	5 MΩ	2100 pF
	PDF	S-25VRL	3.4 x 10.5 mm	25.4 mm²	2.5 x 10.1 mm	970 nm	0.65 A/W	–	5 MΩ	2100 pF
	PDF	S-50VL	3.4 x 20.6 mm	51 mm²	2.5 x 20.3 mm	970 nm	0.65 A/W	–	3 MΩ	4000 pF
	PDF	S-80VL	5.2 x 20.4 mm	82.6 mm²	4.1 x 20.1 mm	970 nm	0.65 A/W	–	2 MΩ	6000 pF
	PDF	S-100VL	10.5 x 11.00 mm	93.4 mm²	9.7 x 9.7 mm	970 nm	0.65 A/W	–	1 MΩ	8500 pF
	PDF	S-120VL	5.5 x 23.9 mm	105.7 mm²	4.5 x 23.5 mm	970 nm	0.65 A/W	–	0.5 MΩ	10000 pF
	PDF	S-200VL	10.2 x 21.0 mm	189 mm²	9.2 x 20.7 mm	970 nm	0.65 A/W	–	0.2 MΩ	17000 pF

テトララテラルポジションセンシングディテクター（PSD）一次元・二次元

テトララテラルポジションセンシングディテクターは一次元と二次元の両方の測定用に1つの単一抵抗層で製造されています。
一次元の位置検出には共通の陽極と2つの陰極、二次元の位置検出には4つの陰極を備えています。
これらのディテクターは広い空間範囲での測定が必要なアプリケーションで使用する場合に最適です。
高い応答均一性、低い暗電流、検出領域の64％以上にわたる良好な位置直線性を提供します。

アプリケーション

• ツールの位置合わせと制御
• レベリング測定
• 角度測定
• 三次元ビジョン
• 位置測定

特徴

• 単一抵抗層
• 高速応答
• 高ダイナミックレンジ
• 非常に高い解像度
• スポットサイズと形状の独立性

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area Diameter	Active Area	Gain	Responsivity @ Gain M	Dark Current @ Gain M	Capacitance	Bandwidth @ Gain M 800nm	Breakdown Voltage	Package
TETRA-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) ONE-DIMENSIONAL
	PDF	LSC-5D	11.5 mm²	5.3 x 2.2 mm	0.04 µm	2 kΩ	0.42 A/W	10 nA	50 pF	0.25 µs	Plastic Mold
	PDF	LSC-30D	122 mm²	30 x 4.1 mm	0.24 µm	4 kΩ	0.42 A/W	25 nA	300 pF	3 µs	Plastic Mold
TETRA-LATERAL POSITION SENSING DETECTORS (PSD) TWO-DIMENSIONAL
	PDF	SC-4D	6.45 mm²	2.54 x 2.54 mm	0.08 µm	3 kΩ	0.42 A/W	5 nA	20 pF	0.66 µs	TO-5
	PDF	SC-10D	103 mm²	10.16 x 10.16 mm	1.3 µm	3 kΩ	0.42 A/W	25 nA	300 pF	1 µs	Special
	PDF	SC-25D	350 mm²	18.80 x 18.80 mm	2.5 µm	3 kΩ	0.42 A/W	100 nA	1625 pF	5 µs	Special
	PDF	SC-50D	957 mm²	30.94 x 30.94 mm	5 µm	3 kΩ	0.42 A/W	250 nA	3900 pF	5 µs	Special

二次元配列

PIN-4X4Dは4×4配列のスーパーブルーエンハンスドフォトディテクターです。
OSI社独自の設計により、16個の素子間が実質的に完全に分離しています。
標準的なLCCパッケージにより、表面実装アプリケーションに簡単に組み込むことができます。
多くのアプリケーションには比率や散乱の測定、位置検出が含まれます。
カスタムパッケージ、特殊な電気光学的要件、またはこれらの部品を金型でご希望の場合はお問い合わせください。

アプリケーション

• 散乱測定
• 位置センシング

特徴

• 高速応答
• 非常に低いクロストーク
• 表面実装設計

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area per Element	Active Area Dimensions Per Element	Crosstalk	Peak Wavelength	Responsivity @900 nm	Shunt Resistance	Capacitance	Package
	PDF	PIN-4X4D	1.96 mm²	1.4 x 1.4 mm	1%	850 nm	0.35 A/W	0.01 MΩ	75 pF	Ceramic LCC
	PDF	UDT-4X4D	1.0 mm²	1.0 x 1.0 mm	0.02%	810 nm	0.40 A/W	0.01 MΩ	75 pF	Ceramic LCC

2色サンドイッチフォトダイオード

2色サンドイッチディテクターまたは2色ディテクターは、遠隔温度測定に多く採用されています。
隣接する2つの波長の放射強度の比を取り、標準的な黒体放射曲線と比較することで温度を測定します。
光学式リモート測定の利点により、これらのデバイスはこのタイプの測定に最適です。放射率に依存せず、視野内の汚染物質や動くターゲットの影響を受けません。
さらに、直接の視線から外れたターゲットの測定や、RF/EMI干渉や真空領域の外から機能させることも可能です。
また、視界を遮るもの、サイトチューブ、チャンネル、スクリーンなどの障害物、大気中の煙、蒸気、ほこり、窓の汚れ、視野より小さいターゲットや視野内で移動するターゲットを検出する利点があります。
また、広い波長域の検出が必要なアプリケーションにも使用できます。

アプリケーション

• 炎の温度感知
• 分光光度計
• 二波長検出
• 熱処理、誘導加熱、およびその他の金属部品加工用の赤外線温度計

特徴

• コンパクト
• ハーメチックシール
• 低ノイズ
• 広い波長範囲
• リモート測定
• TEC付き

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Detector Element	Active Area	Spectral Range	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Reverse Voltage	Detectivity at Peak	Package
	PDF	PIN-DSIn	Si (top)	2.54 mm²	400 – 1100 nm	950 nm	0.55 A/W	150 MΩ	450 pF	4 µs	5 V	1.2 x 1013 cm√Hz/W	TO-5
			InGaAs (Bottom)	1.50 mm²	1000 – 1800 nm	1300 nm	0.6 A/W	1 MΩ	300 pF	4 µs	2 V	8.4 x 1011 cm√Hz/W	TO-5
	PDF	PIN-DSS	Si (top)	2.54 mm²	400 – 1100 nm	950 nm	0.45 A/W §	500 MΩ	70 pF	10 µs	5 V	1.7 x 1013 cm√Hz/W	TO-5
			Si (bottom)	2.54 mm²	950 – 1100 nm	1060 nm	0.12 A/W	500 MΩ	70 pF	150 µs	5 V	4.7 x 1012 cm√Hz/W	TO-5

UVエンハンスド 100%QEフォトダイオード

OSI社はUVエンハンスドシリコンフォトダイオードの2つの異なるシリーズ（反転チャネルシリーズとプレーナー拡散シリーズ）を提供しています。
両シリーズは特に電磁波スペクトルの紫外領域で低ノイズ検出を行うために設計されています。
反転層構造のUVエンハンスドフォトダイオードは内部量子効率が100%であり、低照度光測定に適しています。
また、高シャント抵抗、低ノイズ、高ブレークダウン電圧の特性を有しています。
5～10Vの逆バイアスを印加することで、表面全体の応答均一性と量子効率が改善されます。
フォトボルティックモード（非バイアス）では拡散デバイスよりも静電容量が高いですが、逆バイアスをかけると急速に減少します。
光電流の非直線性は拡散型デバイスに比べて反転型デバイスの方が低い光電流で発生します。
700nm以下ではその応答性は温度によってほとんど変化しません。

アプリケーション

• 汚染の監視
• 医療機器
• 紫外線露出計
• 分光法
• 浄水
• 蛍光

特徴

• 反転シリーズ：100%内部QE
• 超高RSH
• 平面拡散シリーズ：赤外抑制、高速応答、高い安定性
• 優れたUV応答

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Responsivity @ 254nm	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Package
	PDF	UV-005	5.1 mm²	0.14 A/W	200 MΩ	300 pF	0.9 µs	TO-5
	PDF	UV-015	15 mm²	0.14 A/W	100 MΩ	800 pF	2 µs	TO-5
	PDF	UV-20	20 mm²	0.14 A/W	50 MΩ	1000 pF	2 µs	TO-8
	PDF	UV-35	35 mm²	0.14 A/W	30 MΩ	1600 pF	3 µs	TO-8
	PDF	UV-35P	35 mm²	0.14 A/W	30 MΩ	1600 pF	3 µs	Plastic
	PDF	UV-50	50 mm²	0.14 A/W	20 MΩ	2500 pF	3.5 µs	BNC
	PDF	UV-100	100 mm²	0.14 A/W	10 MΩ	4500 pF	5.9 µs	BNC
	PDF	UV-100L	100 mm²	0.14 A/W	10 MΩ	4500 pF	5.9 µs	Low Profile

UVエンハンスド近赤外抑制フォトダイオード

OSI社の平面拡散構造UVエンハンスドフォトダイオードは反転層デバイスと比較して、低容量、高応答時間などの大きな利点を有しています。
これらのデバイスは反転層デバイスと比較して、より高い光入力パワーまで光電流の線形性を示します。
また、反転層デバイスに比べ、応答速度や量子効率は相対的に低くなります。
平面拡散型UVエンハンスドフォトダイオードには2つのタイプ（UVDQ、UVEQ）があります。
両シリーズとも電気光学特性はほぼ同様ですが、UVEQシリーズではデバイスの近赤外応答が抑制されている点が異なります。
これは近赤外域を遮断する必要がある場合に特に望ましいです。

(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity @ 200nm	Shunt Resistance	Reverse Voltage	Rise Time	Package	Window Glass
	PDF	UV-005EQ	5.7 mm²	720 nm	0.12 A/W	20 GΩ	140 V	0.5 µs	TO-5	Quartz
	PDF	UV-005EQC	5.7 mm²	720 nm	0.12 A/W	20 GΩ	140 V	0.5 µs	Ceramic	Quartz
	PDF	UV-013EQ	13 mm²	720 nm	0.12 A/W	10 GΩ	280 V	1 µs	TO-5	Quartz
	PDF	UV-035EQ	34 mm²	720 nm	0.12 A/W	5 GΩ	800 V	2 µs	TO-8	Quartz
	PDF	UV-035EQC	34 mm²	720 nm	0.12 A/W	5 GΩ	800 V	2 µs	Ceramic	Quartz
	PDF	UV-100EQ	100 mm²	720 nm	0.12 A/W	2 GΩ	2500 V	7 µs	BNC	Quartz
	PDF	UV-100EQC	100 mm²	720 nm	0.12 A/W	2 GΩ	2500 V	7 µs	Ceramic	Quartz

UVエンハンスド平面拡散フォトダイオード

OSI社の平面拡散構造UVエンハンスドフォトダイオードは反転層デバイスと比較して、低容量、高応答時間などの大きな利点を有しています。
これらのデバイスは反転層デバイスと比較して、より高い光入力パワーまで光電流の線形性を示します。
また、反転層デバイスに比べ、応答速度や量子効率は相対的に低くなります。
平面拡散型UVエンハンスドフォトダイオードには2つのタイプ（UVDQ、UVEQ）があります。
両シリーズとも電気光学特性はほぼ同様ですが、UVEQシリーズではデバイスの近赤外応答が抑制されている点が異なります。
これは近赤外域を遮断する必要がある場合に特に望ましいです。
UVDQデバイスは970nmにピークを持ち、低容量、高速応答、広いダイナミックレンジのためにバイアスをかけることができます。
また、温度変化によるドリフトが少ないアプリケーションでは、フォトボルティック（非バイアス）モードで動作させることができます。


(▼表は横にスクロールしてご覧いただけます）

Image	Datasheet	Model Number	Active Area	Peak Wavelength	Responsivity	Shunt Resistance	Capacitance	Rise Time	Window Glass	Package
	PDF	UV-005DQ	5.7 mm²	980 nm	0.12 A/W	1 GΩ	65 pF	0.2 µs	Quartz	TO-5
	PDF	UV-005DQC	5.7 mm²	980 nm	0.12 A/W	1 GΩ	65 pF	0.2 µs	Quartz	Ceramic
	PDF	UV-013DQ	13 mm²	980 nm	0.12 A/W	0.8 GΩ	150 pF	0.5 µs	Quartz	TO-5
	PDF	UV-035DQ	34 mm²	980 nm	0.12 A/W	0.1 GΩ	380 pF	1 µs	Quartz	TO-8
	PDF	UV-035DQC	34 mm²	980 nm	0.12 A/W	0.4 GΩ	380 pF	1 µs	Quartz	Ceramic
	PDF	UV-100DQ	100 mm²	980 nm	0.12 A/W	0.2 GΩ	1100 pF	3 µs	Quartz	BNC
	PDF	UV-100DQC	100 mm²	980 nm	0.12 A/W	0.2 GΩ	1100 pF	3 µs	Quartz	Ceramic