可視および近赤外モードロックレーザビームから、光パルスの再生増幅、摘採、ピッキング、抽出
または選択のためのシステムを製造しています。三つの基本的なシステムがあります。

1) Model HVP-5I-DIFF
2) Model 32180D-DD1
3) Model 301

すべてのシステムは、ADP（約300nm〜800nm）、またはKD* P（波長800nm〜1100nm）のポッケルスセル/変調器を必要とします。これらの結晶は、QTI社の研究所で結晶成長および加工処理を厳密に制御されて成長しています。高コントラストのオプションは、すべてのシステムで使用できます。UVオプション（200nm〜400nm）は、モデルHVP用BBOポッケルスセルで、近赤外：NIRオプション（800nm〜2500 nm）は、モデル32180D（カタログ番号741）用タンタル酸リチウム変調器で使用可能です。改造版のDD2が利用可能になりました。  1） モデルHVP-5I-DIFFシステムは、シリーズQC、シリーズLNまたはBBOシリーズQSのような非常に高速な応答時間のEOポッケルスセルを駆動する差動スイッチング高電圧FETを採用しています。ドライバーは、最大9KVの出力電圧で、高速立ち上がりおよび立ち下がり時間（4〜7ナノ秒）、7nsから3000nsの可変パルスゲート幅を有しています。典型的な繰り返し周波数は1.5KHzで、最大50 kHzのオプションが利用可能です。このシステムは、パルスまたはCWモードロックレーザーまたはCW Qスイッチモードロックレーザーからのパルスを選ぶことができます。これは、アップグレードすることが可能で、修理の往復時間を節約できる現場で交換可能なプラグインユニットになっており、完全にモジュール化されています。このドライバーは、単一または複数のパルスがレーザーキャビティ内にシード光となる再生増幅器レーザセットアップにおいて極めて有用となります。プラグインユニットは、クロック列入力から独立して2つの遅延可能高速トリガパルスを生成することができるモデルDD1ディバイダ遅延カウントダウン電子ユニットです。（カタログ番号734)

2） モデル32180D-DD1ドライバーは、高速の立ち上がりおよび立ち下がり時間（＜7.5ナノ秒）用50オームのEO変調器を駆動する最先端のRF MOSFETを採用しています。ドライバーは、10ナノ秒の短いゲート幅を生成する10MHzの高速繰り返し周波数と、200MHzのモードロッククロック周波数を有しています。変調器は、EO変調システムで使用されるものと同様の横低電圧デバイスです。ドライバーは、モードロッカー出力から、またはフォトダイオードからの高周波信号を受け取り、抽出に必要な繰り返し周波数に応じて、10倍〜10,000,000倍でそれを分割します。（カタログ番号372、719および741）

3） モデル301ドライバーは、高速の立ち上がりおよび立ち下がり時間（＜5ナノ秒）で50オームインピーダンスのEO変調器を駆動するために高速FET回路を採用しています。最大繰り返し周波数は200キロヘルツで、最大トリガ・レートは200MHzです。動作原理は、モデル32180Dに似ています。（カタログ番号727および変調器カタログ番号719）

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