KD*P、KTP/RTP、BBOポッケルスセルは、レーザー共振器のQスイッチング、モードロックレーザーの共振器ダンピング、再生増幅器へのレーザーパルスの注入と抽出、ビームチョッピングアプリケーション用です。カスタム仕様もご相談ください。
ポッケルスセル EKSMA
KTPポッケルスセル
KTP/RTP ポッケルスセルは、高繰り返しレーザーのQスイッチングや、最大6MHzの繰り返し周波数でのパルスピッキングに使用することができます。標準では4x4mmと6x6mmの開口部があります。
アプリケーション
- 高繰り返しレーザーのQスイッチング 1kHz～6MHz
- 高繰り返しレーザーのパルスピッキング
特徴
- ダブルBBOポッケルスセルと比較して、HV要件が2倍以上小さい
- 低周波数で高デューティーサイクルで動作
- DKDP結晶と比較して非常に低い圧電共振
- 標準で利用可能な開口部： 4×4および6x6mm
仕様
| Model |
PCK4/PCR4 |
PCK6/PCR6 |
|
Clear aperture |
Ø3.5 mm |
Ø5.5 mm |
|
Crystal size (WxHxL) |
4 x 4 x 10 mm |
6 x 6 x 10 mm |
|
Quantity of crystals |
2 |
|
|
Half-wave voltage(@ 1064 nm) |
<1.8 kV DC |
<2.8 kV DC |
|
Capacitance |
4 pF |
<6 pF |
|
Optical transmission |
>98 % |
|
|
Contrast ratio |
>1:500 |
|
|
Cell size |
Ø25.4 x 42.2 mm |
Ø25.4 x 42.2 mm |
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DKDPポッケルスセル
DKDP（KD*P）ポッケルスセルは市販のフラッシュランプ励起のNd:YAGレーザーやルビーレーザー、低繰返し周波数のDPSSレーザーのほとんどで使用されています。
ポッケルスセルはDKDP(KD*P)などの電気光学結晶の電極に電圧を印加して、光の偏光状態を変化させるために使用されます。
DKDP（KD*P）ベースのポッケルスセルは、400nm～約1.1μmまでのQスイッチングアプリケーションに使用されます。市販のフラッシュランプ励起Nd:YAGレーザーや低繰返し率DPSS Nd:YAGレーザーの多くは、レーザー共振器（レーザーキャビティ）のQスイッチング用にDKDP（KD*P）ベースのポッケルスセルを搭載されています。
特徴
- 低吸収・高重水素化材料
- 要求波長に対応した高損傷閾値の誘電体ARコートを採用
- 動作電圧が結晶口径に依存しないため、大口径の結晶が使用可能
- 低いGVDによりfs（フェムト秒）アプリケーションに最適
- ご要望に応じて単結晶ベースの3端子設計も可能
アプリケーション
- フラッシュランプ励起の高エネルギー・低繰り返し率のダイオード励起レーザーのQスイッチング
- パルスピッキング
- レーザー共振器ダンピング
DKDP (KD*P) ポッケルスセルに使用される電気光学DKDP (KD*P) 結晶は、高レーザー出力耐性の誘電体ARコーティングが施されています。また、PC12SR、D-compact、D-miniシリーズのポッケルスセルには、ARコーティングされたウインドウがあり、使い勝手の悪い環境下でも寿命と保護性能を向上させています。
仕様
| 標準的な長方形型KD*Pポッケルスセル | ||
|
Model |
PC5S-1064 |
PC10S-1064 |
|
Clear aperture, mm |
4.5×4.5 |
9.5×9.5 |
|
Crystal size, (WxHxL)mm |
5x5x16 |
10x10x25 |
|
Quantity of crystals |
1 |
1 |
|
λ/2 voltage 1064nm, kV DC |
<6.8 |
<6.8 |
|
Capacitance, pF |
1.5 |
4 |
|
Optical transmission, % |
>97 |
>97 |
|
Contrast ratiooutput options |
> 1:2000 |
>1:2000 |
|
Cell size, mm |
18x14x25 |
22x18x33 |
1) 直交偏光子法により測定
| 標準的な円型KD*Pポッケルスセル | ||||
| Model |
PC12SR-1064 |
PC12SR-532 |
PC12SR-694 |
PC14x45SR-1064 |
|
Clear aperture, mm |
Ø 11 |
Ø 11 |
Ø 11 |
Ø 13.6 |
|
Crystal size, (WxHxL)mm |
Ø 12×24 |
Ø 12×24 |
Ø 12×24 |
Ø 14×45 |
|
Quantity of crystals |
1 |
1 |
1 |
1 |
|
λ/2 voltage |
@1064 nm <6.8 kV DC |
@532 nm |
@694 nm |
@1064 nm |
|
Capacitance, pF |
6 |
6 |
6 |
10 |
|
Optical transmission, % |
>97 |
>96 |
>97 |
>97 |
|
Contrast ratio1) |
>1:2000 |
>1:2000 |
>1:2000 |
>1:2000 |
|
Cell size, mm |
Ø 35×41.6 |
Ø 35×41.6 |
Ø 35×41.6 |
Ø 35×75 |
1) 直交偏光子法により測定
| コンパクトKD*Pポッケルスセル | ||
|
Model |
D-Compact/9-1064 |
D-Compact/12-1064 |
|
Clear aperture, mm |
Ø 8 |
Ø11 |
|
Crystal size, (WxHxL)mm |
Ø 9×20 |
Ø 12×24 |
|
Quantity of crystals |
1 |
1 |
|
λ/2 voltage @ 1064 nm, kV DC |
<6.8 |
<6.8 |
|
Capacitance, pF |
6 |
6 |
|
Optical transmission, % |
>97 |
>97 |
|
Contrast ratio1) |
>1:2000 |
>1:2000 |
|
Cell size, mm |
Ø 25.4×35 |
Ø 25.4×39 |
1) 直交偏光子法により測定
| ミニKD*Pポッケルスセル | ||
| Model |
D-mini/8-800 |
D-mini/9-1064 |
|
Clear aperture, mm |
Ø 7 |
Ø 8 |
|
Crystal size, (WxHxL) mm |
Ø 8×12 |
Ø 9×20 |
|
Quantity of crystals |
1 |
1 |
|
λ/2 voltage |
@ 800 nm nm |
@ 1064 nm |
|
Capacitance, pF |
3 |
6 |
|
Optical transmission, % |
>97 |
>97 |
|
Contrast ratio1) |
>1:2000 |
>1:2000 |
| Cell size, mm |
Ø 19×19 |
Ø 19×25.4 |
1) 直交偏光子法により測定
仕様は予告なく変更されることがあります。
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BBOポッケルスセル
BBOポッケルスセルは高繰り返しQスイッチング、3MHzまでのパルスピッキング、レーザーキャビティダンプ、再生アンプへのパルスカップリングなどに最適です。
特徴
- 圧電音リンギングを最小限に抑制
- 低吸収
- セラミックアパーチャーの使用可能
- 200nm～2000nmの広い透過率範囲
- コンパクトサイズ
アプリケーション
- 高反復率DPSS Qスイッチ
- 高繰り返し再生アンプ制御
- キャビティダンピング
- ビームチョッパー
ポッケルスセルは、BBOなどの電気光学結晶の電極に電圧をかけると、通過する光の偏光状態を変化させることができます。偏光板と組み合わせて使用することで、高速な光スイッチとして使用することができます。代表的な用途としては、レーザー共振器のQスイッチング、レーザー共振器のダンピング、再生増幅器への光の結合などが挙げられます。
BBOベースのポッケルスセルは、紫外から2μm以上の波長で有用です。これらのポッケルスセルは圧電リンギングが低いため、高出力および高パルス繰り返し率のレーザーの制御にとって魅力的です。また、Qスイッチング、キャビティダンピングなどの用途に、セルに適合した高速スイッチング電子ドライバーが利用できます。PCBシリーズのポッケルスセルは、横方向の磁界デバイスです。BBOの電気光学係数が低いため、高い動作電圧が得られます。1/4波長電圧は、電極間隔と結晶長の比に比例します。その結果、小口径のデバイスは1/4波が低くなりますが、2.5mm口径のデバイスでも1/4波電圧は4kV（1064nm）と高くなります。二結晶設計を採用することで、必要な電圧を低減し、高速スイッチングによる半波長動作が可能になります。
仕様
|
Model |
PCB3S |
PCB3D |
PCB3S/25 |
PCB3D/25 |
|
Clear aperture diameter, mm |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
2.5 |
|
Crystal size (WxHxL), mm |
3x3x20 |
3x3x20 |
3x3x25 |
3x3x25 |
|
Quantity of crystals |
1 |
2 |
1 |
2 |
|
λ/4 voltage (@ 1064 nm), kV DC |
<3.5 |
<1.8 |
<3.0 |
<1.5 |
|
Capacitance, pF |
4 |
6 |
4 |
6 |
|
Optical transmission, % |
>98 |
>98 |
>98 |
>98 |
|
Contrast ratio 1) |
>1:1000 |
>1:500 |
>1:1000 |
>1:500 |
|
Cell size, mm |
Ø25.4×37.2 |
Ø25.4×57.2 |
Ø25.4×42.2 |
Ø25.4×67.2 |
上記ポッケルスセル用の結晶は、すべてAR/AR@1064 nmのコーティングが施されています。その他の反射防止コーティングは、ご要望に応じて可能です。
ダメージ閾値 >5 J/cm2 (1064 nmの10 nsパルス)。
|
Model |
PCB4S |
PCB4D |
PCB4Q-C |
|
Clear aperture diameter, mm |
3.5 |
3.5 |
3.5 |
|
Crystal size (WxHxL), mm |
4x4x20 |
4x4x20 |
4x4x20 |
|
Quantity of crystals |
1 |
2 |
4 |
|
λ/4 voltage (@ 1064 nm), kV DC |
<4.6 |
<2.3 |
< 2 x 1.3 |
|
Capacitance, pF |
3 |
6 |
2×<6 |
|
Optical transmission, % |
>98 |
>98 |
>98 |
|
Contrast ratio 1) |
>1:1000 |
>1:500 |
>1:500 |
|
Cell size, mm |
Ø25.4×37.2 |
Ø25.4×57.2 |
Ø25.4×112 |
上記ポッケルスセル用の結晶は、すべてAR/AR@1064 nmのコーティングが施されています。その他の反射防止コーティングは、ご要望に応じて可能です。
ダメージ閾値 >5 J/cm2 (1064 nmの10 nsパルス)。
|
Model |
PCB6.3S |
PCB6.3D |
PCB8D |
|
Clear aperture diameter, mm |
5.8 |
5.8 |
7.5 |
|
Crystal size (WxHxL), mm |
6.3×6.3×20 |
6.3×6.3×20 |
8x8x20 |
|
Quantity of crystals |
1 |
2 |
2 |
|
λ/4 voltage (@ 1064 nm), kV DC |
<7.5 |
<3,8 |
<4.6 |
|
Capacitance, pF |
6 |
<8 |
<8 |
|
Optical transmission, % |
>98 |
>98 |
>98 |
|
Contrast ratio 1) |
>1:1000 |
>1:500 |
>1:500 |
|
Cell size, mm |
Ø35×42.2 |
Ø35×57.2 |
Ø35×64 |
上記ポッケルスセル用の結晶は、すべてAR/AR@1064 nmのコーティングが施されています。その他の反射防止コーティングは、ご要望に応じて可能です。
ダメージ閾値 >5 J/cm2 (1064 nmの10 nsパルス)。
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PM1 ポッケルスセル用マウントステージ 直径25.4mm
PM1シリーズは、Ø25.4mmのポッケルスセルの固定と位置決め用に設計されたマウントステージです。マウントには極細ネジでロック可能な調整ネジが付いています。
仕様
| Model | PM1 |
| Adjusting angles, tilt and tip | ±3.5 ° |
| Rotation along Z-axis | 180° |
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図面
ポッケルスセル用マウントステージ 直径35mm
HPRシリーズのマウントステージは、Ø35mmのポッケルスセルの固定と位置決め用に設計されています。ご要望に応じて、極細ネジ仕様のHPRステージもご利用可能です。
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