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イオントラップは、真空中でイオンを捕捉する汎用性の高いツールです。量子コンピューター、量子シミュレーション、原子時計、質量分析計、量子センサーなどの技術を実現するために使用されています。ダイヤモンドウェハーをイオントラップのベース材料として使用するメリットは以下の通りです。
– 厳しい加工公差
– 低いCTE
– イオンと電極の間隔が数百マイクロメートルでも強力なトラップ電位を発生させることが可能
– 熱放散性の向上
– 優れた高周波誘電特性
仕様とオプション
イオントラップは、高純度のダイヤモンドプレートを高精度のレーザーカットで加工し、上面と側面に3次元の金メッキを施したものです。デザインはお客様のご要望で作成いたします。 |
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CVDダイヤモンドは優れた熱的特性により、様々なマイクロメカニカル用途に最適な材料となっています。高速バイメタルアクター、耐摩耗性バルブやポンプ、AFMチップ、X線レンズ、MEMSスイッチ、マイクロサージェリー用ブレードなど様々な用途に応用可能です。Diamond Materials社では、精密なレーザーアブレーション、異方性プラズマエッチング、リソグラフィーパターニング、ウェハーボンディング、センサーインテグレーション、機能性コーティングなどの加工技術を提供しています。
お気軽にご相談ください。
仕様とオプション
0.5~180mm | |
独立したダイヤモンドディスク/メンブレン、または高純度のダイヤモンドと完全に滑らかな表面を持つダイヤモンドオンシリコンのいずれか。 | |
高アスペクト比のディープエッチング。プラズマスムージング。 | |
ナノ結晶薄膜、誘電性ダイヤモンド、高純度のセンサーグレード材料など、特性に合わせたCVDダイヤモンドの調整を得意としております。 |
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