PVシリーズ 2.0 - 10.0 µm 室温動作・フォトボルタイックHgCdTe赤外検出器
PVシリーズは、非冷却型の光起電力赤外線検出器で、HgCdTeヘテロ構造を採用し、高感度かつ安定した性能を実現します。
入射光により発生する電荷キャリアを効率よく電流に変換し、特にλoptにおいて最適な応答を発揮するよう設計されています。
逆バイアスにより応答速度やダイナミックレンジ、高周波特性が向上し、用途に応じてカットオン波長の最適化も可能です。
特徴
- 室温動作
- バイアス不要
- 短い時定数
- フリッカ雑音無し
- DC~VHF動作
- 高速電子機器に完全にマッチ
- 広いダイナミック・レンジ
- 要求に応じてカスタム設計
波長範囲(µm)
| シリーズ | 対応波長範囲(µm) |
| PV-4 | 2.3 ~ 4.4 |
| PV-5 | 2.0 ~ 5.6 |
| PV-6 | 2.6 ~ 6.8 |
| PV-8 | 3.0 ~ 10.0 |
データシート
PV-2TE-4
PV-2TE-5
PV-2TE-6
PV-4TE-6
PV-4TE-8
上記は、PVシリーズカタログ内に記載。
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PVIシリーズ 2.0 ~ 6.8 µm レンズ組み込み・フォトボルタイックHgCdTe 赤外検出器
PVIシリーズは最高の性能と安定性を持つ洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトボルタイック(光起電力)赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はご要望に応じて最適化することができます。
逆バイアスにより応答速度とダイナミックレンジが大幅に向上する場合があります。
また、高周波での性能も向上しますが、バイアスされたデバイスに現れる1/fノイズが低周波での性能を低下させる可能性があります。
特徴
- 室温動作
- バイアス不要
- 短時定数
- フリッカ雑音無し
- DC~VHFで動作
- 高速電子機器と完全マッチ
- 広いダイナミック・レンジ
- 要求に応じてカスタム設計
波長範囲(µm)
| シリーズ | 対応波長範囲(µm) |
| PVI-3 | 2.2 ~ 3.35 |
| PVI-4 | 2.3 ~ 4.4 |
| PVI-5 | 2.7 ~ 5.6 |
データシート
PVI-2TE-3
PVI-2TE-4
PVI-2TE-5
PVI-2TE-6
PVI-2TE-8
PVI-3TE-4
PVI-3TE-5
PVI-3TE-10.6
PVI-4TE-3
PVI-4TE-4
PVI-4TE-5
PVI-4TE-6
PVI-4TE-8
上記は、PVIシリーズカタログ内に記載。
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PVMシリーズ 2.0 - 13.0 µm 室温動作・フォトボルタイックマルチジャンクションHgCdTe赤外検出器
PVMシリーズは最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトボルタイック(光起電力)マルチジャンクション赤外検出器です。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
2~13µmのスペクトル範囲で動作する大面積検出器として特に有用です。
特徴
- 1×1 mm^2 から 4×4 mm^2 までの広いアクティブエリア
- 常温動作
- バイアス不要
- 1/fノイズ無し
- 赤外放射の偏光に高感度
波長範囲(µm)
| シリーズ | 対応波長範囲(µm) |
| PVM-10.6| 2.0 ~ 13.0 |
データシート
PVM-2TE-8
PVM-2TE-10.6
上記は、PVMシリーズカタログ内に記載。
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PVMIシリーズ 2 - 12 µm 室温動作・光学的浸漬型フォトボルタイックマルチジャンクションHgCdTe赤外検出器
PVMIシリーズは最高の性能と安定性を持つ洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにし、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬された非冷却型フォトボルタイック(光起電力)マルチジャンクション赤外検出器です。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
この検出器は2~12µmのスペクトル領域で動作する大面積検出器として特に有用です。
特徴
- 室温動作
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- バイアス不要
- 1/fノイズ無し
- 赤外放射の偏光に対して高感度
波長範囲(µm)
| シリーズ | 対応波長範囲(µm) |
| PVMI-10.6| 2.0 ~ 12.0 |
データシート
PVMI-2TE-10.6
PVMI-4TE-8
PVMI-4TE-10.6
上記は、PVMIシリーズカタログ内に記載。
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PEMシリーズ 2.0 - 12.0 µm 室温動作・フォトボルタイックHgCdTe赤外検出器
PEMシリーズは半導体中の光電効果(磁場中で光学的に生成された電子と正孔の空間的分離)に基づく非冷却HgCdTeフォトボルタイック(光起電力)赤外検出器です。
このデバイスは10.6µmで最大の性能を発揮するように設計されており、特にCWおよび低周波変調放射を検出する大面積検出器として有用です。
これらのデバイスは内部に磁気回路を組み込んだ専用パッケージに搭載されています。
3°のウェッジセレン化亜鉛反射防止コーティング(wZnSeAR)ウィンドウにより、不要な干渉効果を防ぎ、汚染から保護します。
特徴
- 室温動作
- バイアス不要
- 1/fノイズ無し
- DCから高周波まで動作可能
- 赤外放射の偏光に対して高感度
波長範囲(µm)
| シリーズ | 対応波長範囲(µm) |
| PEM-10.6| 2.0~12.0 |
データシート
PVIA-4TE-10.6
上記は、PEMカタログ内に記載。
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