PCシリーズ 1.0 – 12.0 µm 室温動作・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PCシリーズは最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトコンダクティブ（光伝導）赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
特徴
- 1.0～5.4µmの波長域で高い性能を実現
- 室温動作
- 50×50 µm^2 から 4×4 mm^2 までのアクティブエリア
- 長寿命とMTBF
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
・SIP-TO39シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PC-2TEシリーズ 1.0 – 14.0 µm 2ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PC-2TEシリーズは最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージのTE冷却フォトコンダクティブ（光伝導）赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°ウェッジサファイア (wAl2O3) またはセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓は不要な干渉効果を防止します。
特徴
- 2ステージTE冷却
- 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PC-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 3ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PC-3TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした3ステージのTE冷却フォトコンダクティブ（光伝導）赤外検出器を搭載しています。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止膜 (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防ぎます。
特徴
- 3ステージTE冷却
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PC-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm 4ステージTE冷却・フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PC-4TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした4ステージのTE冷却フォトコンダクティブ（光伝導）赤外検出器です。
このデバイスはλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作する必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数は、カットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止膜 (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防ぎます。
特徴
- 4ステージTE冷却
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 50×50 µm^2 から 2×2 mm^2 までのアクティブエリア
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PCIシリーズ 1.0 – 12.0 µm 室温動作・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PCIシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型フォトコンダクティブ（光伝導）赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率（～0.9µm）により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
特徴
- 室温動作
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性と信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
・SIP-TO39シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PCI-2TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 2ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PCI-2TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした2ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを改善するために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率（～0.9µm）により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°ウェッジサファイア (wAl2O3) またはセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。
特徴
- 2ステージTE冷却
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性と信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PCI-3TEシリーズ 1.0 – 15.0 µm 3ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PCI-3TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした3ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率（～0.9µm）により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加する。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。
特徴
- 3ステージTE冷却
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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PCI-4TEシリーズ 1.0 – 16.0 µm 4ステージ冷却・光学的浸漬フォトコンダクティブHgCdTe赤外検出器
PCI-4TEシリーズは最高の性能と安定性を誇るHgCdTeヘテロ構造をベースにした4ステージのTE冷却赤外検出器で、デバイスのパラメータを向上させるために光学的に浸漬されています。
この検出器はλoptで最大の性能を発揮するように最適化されています。
カットオン波長はGaAsの透過率（～0.9µm）により制限されています。
デバイスは最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は1/fノイズのために低下します。
1/fノイズのコーナー周波数はカットオフ波長とともに増加します。
3°のウェッジ付きセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) 窓が不要な干渉効果を防止します。
特徴
- 4ステージTE冷却
- 超半球マイクロレンズ技術採用
- 長寿命とMTBF（平均故障間隔）
- 安定性・信頼性
- 1/fノイズ
専用プリアンプ
- AIPシリーズ
- PIPシリーズ
- MIPシリーズ
- SIP-TO8シリーズ
スペクトル応答（Ta = 20°C）
仕様
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