SemiNexレーザーは、高精度のリン化インジウム半導体材料を使用して、
電気エネルギーを直接かつ効率的にコヒーレント光エネルギーに変換
します。
SemiNex独自の材料構造は、従来とは異なるドーピングプロファイルと、
次の分野で優れたパフォーマンスを提供する量子物理学の独自のアプリ
ケーションを使用しています。
1.熱効率
2.電気効率
3.総オプティカルパワー
SemiNexレーザーは、1300nm~1700nmの波長で動作するように設計されています。
SemiNexは、この非常に広い波長範囲で高電力レベルを効率的に提供できる材料と構造の設計を使用しています。これは、次のようないくつかのアプリケーションに適しています。
波長 | 市場 | 主な用途 | SemiNex製品の価値 |
1350-1550nm | 美容医療 | 目に安全な軍事用途 | 自遊空間光通信 |
1400-1600nm | しわの減少 傷跡の除去 |
ターゲティング 誘導システム |
エンタープライズ データ通信 |
1500-1600nm | より正確な治療、低コストとサイズ | 距離が長く、エネルギー使用量とサイズが小さい | より長い伝送距離@より低いコスト |
SemiNex製品は、1300nm~1700nmの光の特性により、上記のアプリケーションに最適です。
この波長範囲には、次の3つの重要な属性があります。
1.組織内の主要なピーク吸水率の最大値が含まれています
2.この範囲では、光ファイバーの減衰と自由空間光の減衰が最小限に抑えられます
3.人間の目は角膜で1400nmを超える光を吸収し、網膜を集中的な損傷から保護します
SemiNexレーザーデバイスは、50µm,100µm,200µmファイバーにファイバー結合された単一の半導体レーザーチップで構成され、連続波動作で高い光パワーを生成します。レーザーは熱電気冷却器とサーミスタを含むハーメチックモジュールにパッケージ化できます。このパッケージは、堅牢でレーザーシステムへの統合が容易なモジュラーレーザーユニットを提供します。SemiNexも販売しています。
冷却されていないパッケージのチップまたはチップオンサブマウントまたは特定の顧客のニーズを満たすためのバーオンサブマウントフォーム。
SemiNexは、次のような顧客の仕様を満たすためにレーザーチップとサブアセンブリを構築できます。
・1270nm~1940nmの間の波長
・絞り幅
・キャビティの長さ
・光パワー
・変換効率
・取り付けとパッケージングの構成
SemiNexは、生のチップまたはバーを提供できます。または、SemiNexは、次のようなさまざまな標準マウントでレーザーをパッケージ化してテストできます。
・Cマウント
・サブマウント上のチップ
・高熱負荷(ウィンドウまたはファイバー結合)
SemiNex Corporation社は、高出力レーザダイオード(LD)と半導体光アンプ(SOA)を製造しているメーカーです。