VIGO Photonics社は、世界トップクラスの研究開発力と卓越したプロセス制御を活かし、フォトニックデバイス向けの高品質カスタムエピウェハー（III–V化合物半導体エピタキシャル構造）を製造しています。
レーザー（F-P、VCSEL、QCL）や光検出器、ダイオード、トランジスタなど、幅広いマイクロエレクトロニクスデバイスに対応しており、用途に応じた最適なエピ構造をご提供します。
市場でも数少ない「大量生産と少量試作（テストバッチ）の両方に対応できるエピメーカー」として、研究用途から量産まで、お客様のニーズに合わせた柔軟な供給体制を整えています。
VIGO Photonicsは、III–V族化合物半導体（GaAs / InP / InGaAs / InAsなど）を用いた、レーザー・光検出器・電子デバイス向けの高品質エピタキシャルウェハー（Epi-Wafers） を製造しています。
以下のようなニーズを持つ研究者・開発者に選ばれています：
光デバイス開発において最も重要な要素は、結晶欠陥・組成ばらつき・膜厚制御の精度です。
VIGOは MBE / MOCVD による卓越したプロセス制御により、以下を実現しています：
「毎回同じ品質で成長できる」という特性は、特に研究用途で高く評価されています。
用途により必要な層構造・材料パラメータは大きく異なります。
VIGOは以下のような構造に対応し、用途別に最適なエピタキシャル設計をご提供します：
レーザー・検出器・電子デバイスなど、目的に応じて最適な層構造をご提案します。
一般的な大手Epiメーカーでは少量バッチ（2〜3枚）での対応が難しいケースがあります。
VIGO Photonicsは研究・プロトタイプ開発に最適な体制を整えています：
研究開発プロジェクトでは、試作から評価・改善までのスピードが重要です。
VIGOは以下のサポートを提供します：
海外メーカーとのやり取りで生じがちな課題を、FIT が国内で解消します：
お客様の仕様に合わせて製造
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AlGaAs / GaAs
QW（量子井戸）端面発光レーザー、VCSEL、FET、HEMT、ショットキーダイオード、バラクタ
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GaAsP / GaAs
歪みQW端面発光レーザー
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InGaAsP / GaAs
QWレーザー（808 nm）
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InGaAs / AlGaAs / GaAs
歪みQWレーザー
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InAs / GaAs
QDレーザー（量子ドットレーザー）
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AlGaAs / GaAs
受動導波管
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InGaP / GaAs
太陽電池
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お客様の仕様に合わせて製造
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InGaAsP / InP
歪みQW端面発光レーザーおよびSOA（1300〜1600 nm）
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InGaAs / InP
QW端面発光レーザー
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InGaAsP / InP
VCSELレーザー
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InAlGaAs / InP
端面発光レーザーおよびVCSELレーザー
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InGaAsP / InP
受動デバイス
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InGaAs
光検出器
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InAlAs / InGaAs / InP
HEMT
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