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E-O 装置 (エレクトロ オプティカル システム) Quantum Technology

Quantum Technology, Inc.
カンタム テクノロジー
エレクトロ オプティカル システム

 

E-O システム



カンタム テクノロジー(Quantum Technology)は、最高レベルの効率を誇るレーザービーム変調用のEO変調システムを設計・製造しています。これらのシステムは、何らエレクトロニクスを追加することなく、既存のレーザーシステムとのインタフェースにより、ターンキー・アプリケーションに対応する付属品を豊富に用意しています。市販品中、最も高い帯域幅、紫外(UV)から中赤外(MIR)までの広い光学波長域、高速の立ち上がりおよび立ち下がり時間、連続的に調整可能なゲイン、高出力パワー処理能力、および完全自動操作等の特徴を有しています。4つの標準EO変調器システムが提供されています。

1) Model HVA-100K (DC〜250 KHz)
2) Model 3030C (DC〜10MHz)
3) Model 3030 (DC〜30 MHz)
4) Model 3100 (DC〜100 MHz)
5) Model 3101 (1 MHz〜1000 MHz)

これらのドライバーは、アプリケーションの広い範囲に及ぶカンタム テクノロジー(Quantum Technology)(QTI)の多種多様なEO変調器に適合し、一緒に使うことができます。
これらのシステムには、最先端のRF MOS FET回路技術が採用されています。多くのユニークな設計がなされています。例えば、交換可能なプラグイン・カードは、フィールドで簡単かつ迅速なアップグレードができ、パルスピッカーのタイミング、キャビティダンピングおよびリジェネレーティブ・シーディング、高電圧高速スイッチングおよびレーザーノイズ圧縮などに使われます。システム統合は、共通のバックプレーンを介して行われます。自動バイアス制御、サンプリング、連続またはDRAWのいずれかなどの多くのオプションがあります。また、様々な光学アクセサリーもご用意しています。ずば抜けた利点は、QTI社にはADP結晶成長のユニークな熟練技術があり、KD* P結晶は、QTI社の実験室で変調器設計の厳密な仕様に合わせて成長させ加工することができることです。QTI社は、結晶成長からエンジニアリング設計やシステム製造までの総合機能を持つ唯一の企業です。

 
モデル307ノイズイーターシステムは、可視レーザーの振幅安定性を改善するように設計された広帯域EOフィードバックループです。

モデル40および41は、HVA-100Kドライバーと一緒に使うことができるEOビーム偏向器です。主なアプリケーションは、多角形スピナーのファセット対ファセット補正、ビデオディスクマスタリング、高速ストリーク記録です。


次の表の変調器は50オームまたは100オームのインピーダンスで使用できます。例えば、12-50は50オームの装置であり、12-100は100オームの装置です。

EO変調器装置 仕様


Modulator/Driver 

12

13

14

15

20

22

22S

28

327

332

334

Crystal Material 

LTA 

LTA 

LTA 

LTA 

ADP 

ADP 

ADP 

ADP 

KD*P 

KD*P 

KD*P 

Min Lambda nm 

800

800

800 

800 

300 

300 

300 

300 

800 

800 

800 

Max Lambda um 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

0.8 

0.8 

0.8 

0.8 

1.1 

1.1 

1.1 

Aperture mm 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

2.5 

Contrast @ 633 nm 

100 

100 

50 

100 

500 

500 

500 

500 

500 

500 

500 

typ V1/2 @ 633 nm 

47 

94 

94 

188 

115 

115 

115 

220 

120 

750 

225 

MAX LAMBDA um(Vpp)

HVA-100K (800V) 

4.5 

4.5 

4.5 

2.69 

0.8 

0.8 

0.8 

0.8 

1.1 

0.69 

1.1 

HVA-100K-2 (1600V) 

4.5 

4.5 

4.5 

4.5 

0.8 

0.8 

0.8 

1.1 

1.1 

1.1 

1.1 

3030 (118V) 

1.48 

0.74 

0.74 

na 

0.65 

0.65 

0.65 

0.34 

0.62 

na 

0.33 

3100 (95V) 

1.28 

0.64 

0.64 

na 

0.52 

0.52 

0.52 

0.27 

0.5  

na 

0.27 

MAX FREQUENCY

HVA-100K (KHz) 

250 

250 

250 

100 

250 

250 

250 

60 

200 

HVA-100K-2 (KHz) 

250 

250 

250 

100 

250 

250 

250 

120 

250 

3030C (MHz) 

28 

30 

30 

16 

10 

20 

20 

3030 (MHz) 

30 MHz with 100 ohm impedance matched device

3050 (MHz) 

50 MHz with 50 ohm impedance matched device 

3500 (MHz) 

1-525 MHz @ 633nm 60% mod depth with Model 10 TWAM 

3101 (MHz) 

1-1000 MHz @ 633nm 30% mod depth with Model 11 TWAM


 

MODEL  CRYSTAL  SPECTRAL RANGE nm  APER mm  CONTRAST @ 633 nm-typ  V1/2 VOLTS @ 633 nm-typ  FREQUENCY RESPONSE 

10  

LTA  

800-2500  100:1  70  DC-550 MHz 

11  

LTA  

800-2500  100:1  107  DC-1 GHz 

22LA  

ADP  

300-800  3.5  500:1  115  DC-10 MHz 

332  

D-KDP  

800-1100  2.5  500:1  570  DC-10 MHz 

REM101  

LTA  

800-2500  100:1  2 Watts RF Max  1-2% of Fc 




データシート(カタログ)

アプリケーション ノート










 

波長405nmから1653nm。シングルモード ファイバーから良質のビームクオリティーの高出力レーザーを得ることができます。高安定、狭帯域、出力可変、2 MHzまでの変調が外部端子からできます。

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