光電磁気 HgCdTe赤外検出器 2μm - 11μm
型番：PEMシリーズ
PEMシリーズHgCdTe赤外検出器は、半導体のフォトエレクトロマグネティック効果で動作します。
デバイスは、 10.6µmで最高のパフォーマンスが得られるように最適化されています。
HgCdTe赤外検出器は、磁界を生成するように選択された組成およびドーピングプロファイル、
ならびに小型の永久磁石を用いて設計された(HgCd)Teのバンドギャップに基づく能動素子を含みます。
PEMシリーズHgCdTe赤外検出器は、10.6μm放射のヘテロダイン検出に非常に適しています。
フリッカ雑音を出ず、2～11μmのスペクトル域全体でCWと低周波変調放射の検出に使うことができます。
スタンダードHgCdTe赤外検出器は、ARコート付きZnSeウインドウPEMパッケージ（SMAコネクタ付き）で提供出来ます。
四分割および多素子アレイの一つの要素としてカスタムデバイスは、
様々な専門的なパッケージやコネクターのリクエストも承ります。
各種サイズの単一素子、四分割セル、マルチエレメントアレイ、各種の特殊パッケージおよびコネクターは、
カスタムでご要望を承ります。
【特徴】Vigo system PEMシリーズ HgCdTe 赤外検出器
・周囲環境温度（室温）動作
・ バイアス不要
・スペクトル域2〜11μｍ
・1ナノ秒以下の時定数
・フリッカ雑音なし
・DC～VHF動作
・軽量、頑丈で高い信頼性
・取扱い容易
・低価格
・要求に応じてカスタム設計
| Parameter | Symbol | Unit | PEM-10.6 | |
|
Optimal Wavelenght
|
λopt
|
µm
|
10.6 | |
|
Detectivity*):
@ λpeak @ λopt |
D*
|
cm⋅Hz1/2⋅W-1
|
≥3.0×107 ≥1.0×107 |
|
|
Voltage Responsivity
@ λopt, 1×1 mm
|
Rv⋅w
|
V⋅mm⋅W-1
|
≥0.1 | |
|
Time Constant
|
τ
|
ns
|
≤1 | |
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Resistance
|
R
|
Ω
|
40 to 100 | |
|
Operating Temperature
|
T
|
K
|
~300 | |
|
Acceptance Angle, F/#
|
Φ, –
|
deg, –
|
51, 1.16 | |
*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
| Type | Optical Area [mm×mm] | |||||||||
| 0.025×0.025 | 0.05×0.05 | 0.1×0.1 | 0.2×0.2 | 0.25×0.25 | 0.5×0.5 | 1×1 | 2×2 | 3×3 | 4×4 | |
|
PEM-10.6
|
|
|
O
|
O
|
O
|
O
|
X
|
X
|
|
|
x – スタンダード赤外検出器
O – ご要望により供給可能な検出器。パラメーターはデータシートと異なることがあります。
