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OSI シリコン フォトダイオード

多目的シリコンフォトダイオード フォトコンダクティブ(光伝導)デバイス

フォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)シリーズは高速、高感度の応用に最適です。
スペクトル範囲は350nmから1100nmまでの可視から近赤外まで。
連続、パルスレーザー、LED、チョッピング光の検出をします。

高速検出のために、逆バイアスをかけます。
典型的なレスポンス時間10nsec.から250nsec.は10Vの逆バイアスで達成します。
逆バイアスはキャパシタンスは減少し、スピードが増します。
逆バイアスは30V を超えないようにしてください。高いバイアスは検出器に損傷を与えます。

逆バイアスは暗電流を生成すます。デバイス内のバイアスも増加します。
低ノイズのために、フォトボルテイック シリーズを考慮してください。

フォトコンダクティブ モード(PC)の説明
Photodiode Characteristics and Applications

アプリケーションノート
Application Notes
 フォトコンダクティブ シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
OSD1-0 1 mm² 1.0 mm² 900 nm 0.54 A/W 1 nA 3 pF 10 ns 50 V 7 / TO-18
OSD5-0 5 mm² 2.5 Φ mm 900 nm 0.54 A/W 5 nA 8 pF 8 ns 50 V 5 / TO-5
OSD15-0 15 mm² 3.8 mm² 900 nm 0.54 A/W 8 nA 20 pF 9 ns 50 V 5 / TO-5
OSD35-0 35 mm² 5.9 mm² 900 nm 0.54 A/W 12 nA 46 pF 12 ns 50 V 3 / TO-8
OSD60-0 58 mm² 7.6 mm² 900 nm 0.54 A/W 15 nA 75 pF 14 ns 50 V 72 / TO-8
OSD100-0A 100 mm² 11.3 Φ mm 900 nm 0.54 A/W 30 nA 130 pF 19 ns 50 V 74 / Special
PIN-020A  0.20 mm² 0.51 F mm 970 nm 0.65 A/W 0.01 nA 1 pF 6 ns 30 V 1/TO-18
PIN-040A 0.81 mm² 1.02 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.05 nA 2 pF 8 ns 30 V 4 / TO-18
PIN-2DI ‡ 1.1 mm² 0.81×1.37 mm 970 nm 0.65 A/W 0.10 nA 5 pF 10 ns 30 V 4 / TO-18
PIN-3CD 3.2 mm² 1.27 X 2.54 mm 970 nm 0.65 A/W 0.15 nA 12 pF 10 ns 30 V 7 / TO-18
PIN-3CDI 3.2 mm² 1.27 X 2.54 mm 970 nm 0.65 A/W 0.15 nA 12 pF 10 ns 30 V 4 / TO-18
PIN-5D 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 12 ns 30 V 2 / TO-5
PIN-5DI 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 12 ns 30 V 5 / TO-5
PIN-13D 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 0.35 nA 40 pF 14 ns 30 V 2 / TO-5
PIN-13DI 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 0.35 nA 40 pF 14 ns 30 V 5 / TO-5
PIN-6D 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 17 ns 30 V 3 / TO-8
PIN-6DI 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 17 ns 30 V 8 / TO-8
PIN-44D 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 1 nA 130 pF 24 ns 30 V 3 / TO-8
PIN-44DI 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 1 nA 130 pF 24 ns 30 V 6 / TO-8
PIN-10D 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 43 ns 30 V 11 / BNC
PIN-10DI 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 43 ns 30 V 10 / Lo-Prof
PIN-25D 613 mm² 27.9 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 15 nA 1800 pF 250 ns 30 V 12 / BNC

プラスチック パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
FIL-5C 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 1 nA 15 pF 12 ns 30 V 14 / Plastic
FIL-20C 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 5 nA 60 pF 17 ns 30 V 14 / Plastic
FIL-44C 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 8 nA 130 pF 24 ns 30 V 15 / Plastic
FIL-100C 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 12 nA 300 pF 43 ns 30 V 15 / Plastic
PIN-220D 200 mm² 10 x 20 mm 970 nm 0.65 A/W 15 nA 600 pF 75 ns 30 V 27 / Plastic
‡ The ‘I’ suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case. 
§ The photodiode chips in “FIL” series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as “in line” pins.

カタログ

多目的シリコンフォトダイオード フォトボルティック デバイス(光起電力デバイス)

フォトボルテイック ディテクター(光起電力検出器)は高感度、中程度の応答時間の応用に使用します。
波長感度は可視から近赤外、350nmから1100nmまで、
350nmから550nmまでのブルー領域の感度を上げたブルーエンハンス デバイスがあります。
これらは高シャント抵抗、低ノイズ、長時間安定です。
バイアス無しで、広範囲の温度変動下でDC、低速度の応用に安定して動作します。
10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、
より良い直線性のためにフォトコンダクティブディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。3V以上で検出器が損傷します。高速の応用のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。

フォトボルテイック(PV)の説明
Photodiode Characteristics and Applications

応用
Application Notes

 フォトボルテイック シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise TIme Package Click Image to Zoom
CD-1705 0.88 mm² .93 mm² 850 nm 0.60 A/W 10 GO 70 pF 2000 ns 71/Plastic
PIN-2DPI ‡ 1.1 mm² 0.81 x 1.37 mm 970 nm 0.60 A/W 10 GO 150 pF 30 ns 4 /TO-18
PIN-125DPL 1.6 mm² 1.27 mm² 970 nm 0.60 A/W 10 GO 160 pF 30 ns 8 / TO-18
PIN-3CDP 3.2 mm² 1.27 x 2.54 mm 970 nm 0.60 A/W 5.0 GO 320 pF 50 ns 7 / TO-18
PIN-3CDPI 3.2 mm² 1.27 x 2.54 mm 970 nm 0.60 A/W 5.0 GO 320 pF 50 ns 4 / TO-18
PIN-5DP 5.1 mm² 2.54 F mm 970 nm 0.60 A/W 4 GO 500 pF 60 ns 5 / TO-5
PIN-5DPI 5.1 mm² 2.54 F mm 970 nm 0.60 A/W 4 GO 500 pF 60 ns 5 / TO-5
PIN-13DP 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 3.5 GO 1200 pF 150 ns 5 / TO-5
PIN-13DPI 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 3.5 GΩ 1200 pF 150 ns 5 / TO-5
PIN-6DP 16.4 mm² 4.57 F mm 970 nm 0.60 A/W 2 GO 2000 pF 220 ns 6 / TO-8
PIN-6DPI 16.4 mm² 4.57 F mm 970 nm 0.60 A/W 2 GO 2000 pF 220 ns 3 / TO-8
PIN-44DP  44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 1.0 GO 4300 pF 475 ns 6 / TO-8
PIN-44DPI 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 1.0 GO 4300 pF 475 ns 3 / TO-8
PIN-10DP 100 mm² 11.28 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.20 GO 9800 pF 1000 ns 11 / BNC
PIN-10DPI 100 mm² 11.28 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.20 GO 9800 pF 1000 ns 10 / Lo-Prof
PIN-25DP 613 mm² 27.9 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.1 GO 60000 pF 6600 ns 12 / BNC

プラスチック パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
PIN-220DP 200 mm² 10 x 20 mm 970 nm 0.60 A/W 0.25 GΩ 20000 pF 2200 ns 27 / Plastic
‡ The ‘I’ suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case.

 

カタログ

ブルーエンハンス フォトダイオード

ブルー エンハンス シリーズは可視からブルー領域で高感度、
適切な応答速度を必要とする用途に利用されます。
通常のフォトボルテイック(光起電力)よりも350nmから550nmの領域で感度が良くなります。

10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、
より良い直線性のためにフォトコンダクティブディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。
3V以上で検出器が損傷します。
高速の応用のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。

ブルー エンハンス フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Rsh Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
OSD1-5T 1 mm² 1.0 mm² 0.21 A/W 250 MΩ 35 pF 7 µs 7 / TO-18
OSD3-5T 3 mm² 2.5 x 1.2 mm 0.21 A/W 100 MΩ 80 pF 9 µs 7 / TO-18
OSD5-5T 5 mm² 2.5 Φ mm 0.21 A/W 100 MΩ 130 pF 9 µs 5 / TO-5
OSD15-5T 15 mm² 3.8 mm² 0.21 A/W 50 MΩ 390 pF 12 µs 5 / TO-5
OSD60-5T 62 mm² 7.9 mm² 0.21 A/W 3 MΩ 1800 pF 30 µs 72 / TO-8
OSD100-5TA 100 mm² 11.3 Φ mm 0.21 A/W 2 MΩ 2500 pF 45 µs 74 / Special
PIN-040DP/SB 0.81 mm² 1.02 Φ mm 0.20 A/W 600 MΩ 60 pF 0.02 µs 1 / TO-18
PIN-5DP/SB 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.20 A/W 150 MΩ 450 pF 0.2 µs 5 / TO-5
PIN-10DP/SB 100 mm² 11.28 Φ mm 0.20 A/W 10 MΩ 8800 pF 2 µs 11 / BNC
PIN-10DPI/SB 100 mm² 11.28 Φ mm 0.20 A/W 10 MΩ 8800 pF 2 µs 10 / Metal
PIN- 220DP/SB 200 mm² 10 x 20 mm 0.20 A/W 5 MΩ 17000 pF 4 µs 27 / Plastic

カタログ

背面照射型 SMTフォトダイオード

Model Number Active Area Dimensions Peak Responsivity Wavelength Responsivity @ 920 nm Capacitance Dark Current Rise Time Package Click Image to Zoom
33BI-SMT 2.4 x 2.4 mm 920 nm .59 A/W 50 pF .02 nA 10 us SMT
55BI-SMT 4.4 x 4.4 mm 920 nm .59 A/W 200 pF .04 nA 20 us SMT
1010BI-SMT 9.4 x 9.4 mm 920 nm .59 A/W 900 pF .16 nA 20 us SMT
 

カタログ

高速 シリコンフォトダイオード

100Mbps / 155Mbps / 622Mbps
フォトダイオード大きなアクティブエリア、高速シリコンフォトディテクター

短距離データ通信のためにデザインされた、ラージエリア、高速シリコン ディテクター。
3.3Vバイアスで低暗電流、低キャパシタンス。
ベースユニットはマイクロレンズ
またはARコートフラットウインドウ付きの3ピンTO-46パッケージ。

高速応答 シリーズ

Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image to Zoom
FCI-HR005 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR005
FCI-HR008 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR008
FCI-HR020 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR020
FCI-HR026 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR026
FCI-HR040 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR040

BPX-65

Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image to Zoom
BPX-65 -40 to +100 °C -25 to +85 °C 260 °C BPX-65

カタログ

1.25Gbps フォトダイオード ラージエリア 高速シリコンPINフォトダイオード

850nm 短距離光データ通信応用に最適化
3.3Vで高感度、ワイド帯域、低暗電流、低キャパシタンス

850nm トランシーバー、GBICs 1.25Gbpsまで Gigabit イーサネットとファイバーチャンネルなどの応用
3ピンTO-46パッケージ オプションでマイクロレンズ キャップ またはARコート フラット ウインドウ
オプションでFC, ST, SC, SMAファイバー端子が可能です。
 電気-光学特性

Model Number Active Area Diameter Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Fall Time Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
FCI-125G-006HRL 150 µm 0.36 A/W 
850nm
20 pA 
Vr=3.3V
0.66 pF 
Vr=3.3V
38 ps 
Vr=3.3V
313 ps 
Vr=3.3V
FCI-125G-006HRL
FCI-125G-010HRL 250 µm 0.36 A/W 
850nm
25 pA 
Vr=3.3V
0.96 pF 
Vr=3.3V
50 ps 
Vr=3.3V
429 ps 
Vr=3.3V
FCI-125G-010HRL
FCI-125G-012HRL 300 µm 0.36 A/W 
850nm
30 pA 
Vr=3.3V
1.16 pF 
Vr=3.3V
69 ps 
Vr=3.3V
436 ps 
Vr=3.3V
FCI-125G-012HRL
FCI-125G-016HRL 400 µm 0.36 A/W 
850nm
40 pA 
Vr=3.3V
1.73 pF 
Vr=3.3V
100 ps 
Vr=3.3V
449 ps 
Vr=3.3V
FCI-125G-016HRL
 

カタログ

UVエンハンス フォトダイオード 200nm - 1100nm

石英またはUV透過ウインドウ付き
反転層フォトダイオード 2種類のUV強化シリコンフォトダイオードがあります。
反転チャンネルシリーズと平面拡散シリーズです。
電磁スペクトルのUV領域において、低ノイズ検出のためにデザインされました。
反転層構造UV強化フォトダイオードは100%内部量子効率、低密度光の計測に適しています。
高シャント抵抗、低ノイズ、高絶縁破壊電圧を有します。
5Vから10Vの逆バイアス電圧で、均一性と量子効率は改善されます。

平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードは低いキャパシタンスと高い応答時間で優位な点があります。
これらは高い応答時間まで光電流の直線性があります。

平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードには2種類のUVDとUVEがあります。
低キャパシタンス、高速応答、ワイド ダイナミック レンジのために、バイアスをかけても問題ありません。
また、温度変化で低ドリフトの応用ではフォトボルテイック(バイアス無し)モードで動作させます。

カタログ
 Inversion Layer, 金属パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-001 0.8 mm² 1.0 F mm 0.14 A/W 60 pF 500 MΩ 0.2 µs 5 / TO-5
UV-005 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.14 A/W 300 pF 200 MΩ 0.9 µs 5 / TO-5
UV-015 15 mm² 3.05 x 3.81 mm 0.14 A/W 800 pF 100 MΩ 2 µs 5 / TO-5
UV-20 20 mm² 5.08 Φ mm 0.14 A/W 1000 pF 50 MΩ 2 µs 6 / TO-8
UV-35 35 mm² 6.60 x 5.33 mm 0.14 A/W 1600 pF 30 MΩ 3 µs 6 / TO-8
UV-50 50 mm² 7.87 F mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 11 / BNC
UV-50L‡ 50 mm² 7.87 F mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 10 / Lo-Prof
UV-100 100 mm² 11.28 Φ mm 0.14 A/W 4500 pF 10 MΩ 5.9 µs 11 / BNC
UV-100L 100 mm² 11.28 Φ mm 0.14 A/W 4500 pF 10 MΩ 5.9 µs 10 / Lo-Prof

Inversion Layer, プラスチック パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
FIL-UV005 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.14 A/W 300 pF 200 MΩ 0.9 µs 14 / Plastic
UV-35P 35 mm² 6.60 x 5.33 mm 0.14 A/W 1600 pF 3 µs 25 / Plastic
FIL-UV50 50 mm² 7.87 Φ mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 15 / Plastic
‡ The ‘I’ suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case. 
§ The photdiode chips in “FIL” series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as “in line” pins.

平面拡散 フォトダイオード

応用: 汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴: 超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答
 (New Product) UVDK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DK 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.33 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 2 / TO-5
UV-013DK 13 mm² 3.6 sq 980 nm 0.33 A/W 150 pF 0.8 GΩ 0.5 µs 2 / TO-5
UV-035DK 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.33 A/W 380 pF 0.4 GΩ 1 µs 3 / TO-8
UV-100DK 100 mm² 10 sq 980 nm 0.33 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 10 / BNC

(New Product) UVDQ, 金属パッケージ, 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DQ 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.12 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 2 / TO-5
UV-013DQ 13 mm² 3.6 sq 980 nm 0.12 A/W 150 pF 0.8 GΩ 0.5 µs 2 / TO-5
UV-035DQ 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.12 A/W 380 pF 0.1 GΩ 1 µs 3 / TO-8
UV-100DQ 100 mm² 10 sq 980 nm 0.12 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 10 / BNC

(New Product) UVDQC, セラミック パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Wavelength Responsivity @ 200nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DQC 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.12 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 4 / Ceramic
UV-035DQC 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.12 A/W 380 pF 0.4 GΩ 1 µs 4 / Ceramic
UV-100DQC 100 mm² 10 sq 980 nm 0.12 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 4 / Ceramic

¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window 
U) UV Transmitting Glass 平面拡散赤外抑制 フォトダイオード
カタログ
応用: 汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴: 超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答
 (New Product) UVEQ, 金属パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EQ 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.12 A/W 20 GΩ 140 pF 0.5 µs 2 / TO-5
UV-013EQ 13 mm² 3.6 sq 720 nm 0.12 A/W 10 GΩ 280 pF 1 µs 2 / TO-5
UV-035EQ 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.12 A/W 5 GΩ 800 pF 2 µs 3 / TO-8
UV-100EQ 100 mm² 10 sq 720 nm 0.12 A/W 2 GΩ 2500 pF 7 µs 10 / BNC

(New Product) UVEQC, セラミック パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @254nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EQC 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.12 A/W 140 pF 0.5 µs 4 / Ceramic
UV-035EQC 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.12 A/W 800 pF 2 µs 4 / Ceramic
UV-100EQC 100 mm² 10 sq 720 nm 0.12 A/W 2500 pF 7 µs 4 / Ceramic

(New Product) UVEK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Responsivity Responsivity @ 200 nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EK 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.34 A/W 20 GΩ 140 pF 0.5 µs 2/ TO-5
UV-013EK 13 mm² 3.6 sq 720 nm 0.34 A/W 10 GΩ 280 pF 1 µs 2 / TO-5
UV-035EK 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.34 A/W 5 GΩ 800 pF 2 µs 3 / TO-8
UV-100EK 100 mm² 10 sq 720 nm 0.34 A/w 2 GΩ 2500 pF 7 µs 10 / BNC
¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window 
U) UV Transmitting Glass

X線および放射線検出器

このシリコン フォトダイオードはシンチレーターやスクリーンを使用せずにX線領域で感度があります。
感度範囲 200nmから0.07nm (6eV から17.6keV)または17.6keV以上
取り外し可能なウインドウ、真空対応
 ソフトX線、遠UV強化フォトダイオード
応用: 電子検出、医療機器、線量測定、放射線モニタリング、X線分光、荷電粒子検出
特徴: 直接検出、バイアス不要、高量子効率、低ノイズ、高真空/極低温対応、波長範囲0.070nmから1100nm

カタログ
 金属

Model Number Active Area Active Area Dimensions Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
XUV-005 5 mm² 2.57 Φ mm 2000 MΩ 0.3 nF 2.9 e -15 W/√Hz 22 / TO-5
XUV-020 20 mm² 5.00 Φ mm 500 MΩ 1.2 nF 5.8 e – 15 W/√Hz 23 / TO-8
XUV-035 35 mm² 6.78 x 5.59 mm 300 MΩ 2 nF 7.4 e – 15 W/√Hz 23 / TO-8
XUV-100 100 mm² 11.33 Φ mm 100 MΩ 6 nF 1.3 e – 14 W/√Hz 28 / BNC

セラミック

Model Number Active Area Active Area Dimensions Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
XUV-50C 50 mm² 8.02 Φ mm 200 MΩ 2 nF 9.1 e – 15 W/√Hz 25 / Ceramic
XUV-100C 100 mm² 10.00 mm² 100 MΩ 6 nF 1.3 e – 14 W/√Hz 25 / Ceramic
All XUV devices are supplied with removable windows.

 

 完全に空乏化したフォトダイオード ハイ ブレイクダウン、ラージエリア完全空乏シリコン フォトダイオード
高エネルギーX線、X線と高エネルギー粒子、電子、アルファ線、重イオンの計測
間接、直接測定

応用:レーザー応用、制御装置、電子検出、高エネルギー物理、医療機器
特徴:ラージ アクティブ エリア、完全な空乏、高速応答、超低暗電流、低キャパシタンス、高耐電圧、シンチレーターマウント可
 超低ノイズ大口径シリコン(Si) フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
OSD35-LR-A 34.2 mm²  5.8 x 5.9 mm 830 nm 0.54 A/W at 900nm 3 GΩ 1300 pF 5.6 e-15 W/√Hz 25 / Ceramic
OSD35-LR-D 34.2 mm²  5.8 x 5.9 mm 830 nm 0.54 A/W at 900nm 0.3 GΩ 1300 pF 1.8 e-14 W/√Hz 25 / Ceramic

大口径 高速

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Depletion Voltage Dark Current Capacitance Rise Time NEP Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-RD07 7.1 mm² 3.00 Φ mm 900 nm 0.55 A/W at 900nm 48 V 0.2 nA 8.0 pF 1.5 ns 1.2 e-14 W/√Hz 26/TO-8  
PIN-RD15 14.9 mm² 4.35 Φ mm 900 nm 0.58 A/W at 900nm 55 V 1.0 nA 14 pF 3.0 ns 2.5 e-14 W/√Hz 140 V 26 / TO-8  
PIN-RD100 100 mm² 10 Sq mm 950 nm 0.60 A/W at 900nm 75 V 2 nA 50 pF 40 ns 3.2 e-14 W/√Hz 25 / Ceramic
PIN-RD100A 100 mm² 10 Sq mm 950 nm 0.60 A/W at 900nm 35 V 2 nA 40 pF 6 ns 3.4 e-14 W/√Hz 25 / Ceramic
Optically clear epoxy is used instead of glass window

カタログ

マルチチャンネル X線ディテクター

16素子アレイ:独立した素子はPCB上にグループ化してマウントされています。
X線またはガンマ線応用

応用: ポジション センサー、マルチチャンネル ガンマ カウンティング、X線セキュリティー装置
特徴: シンチレーター プラットフォーム、5V バイアス、チャンネル スペース
 フォトコンダクティブ アレイ

Model Number Number of Elements Pitch Active Area Active Area Dimensions Responsivity Terminal Capacitance Rise TIme Reverse Bias Package Click Image to Zoom
A2C-16-1.57 16 1.57 mm 2.35 mm²  2.00 x 1.18 mm 0.59 A/W 28 pF 0.1 µs 5 V A200C
 

カタログ

フォトダイオードアレイ

応用: レベル メーター、分光、ポジション センサー、コンピューター トモグラフィー(断層撮影)スキャナー、、医療機器、高速測光
特徴: 共通基板アレイ、超低クロストーク、UV強化(A5V-35UV)、低暗電流、低キャパシタンス、はんだ付け可
 フォトコンダクティブ アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Dark Current Capacitance Open Circuit Voltage Package Click Image to Zoom
A5C-35 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.65 A/W 0.05 nA 12 pF (-10V) 54 / 40 PIN DIP
A5C-38 38 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.65 A/W 0.05 nA 12 pF (-10V) 54 / 40 PIN DIP

フォトボルテイック アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
A2V-16 16 1.92 mm² 1.57 x 1.22 mm 1.59 mm 0.60 A/W 170 pF (0V) 53 / PCB
A5V-35 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.60 A/W 340 pF (0V) 54 / 40 PIN DIP
A5V-38 38 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.60 A/W 340 pF (0V) 54 / 40 PIN DIP
A2V-76 76 1.8 mm² 6.45 x 0.28 mm 0.31 mm 0.50 A/W 160 pF (0V) 52 / Ceramic

UV エンハンス アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
A5V-35UV 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.06 A/W (254nm) 500 MΩ 340 pF 54 / 40 PIN DIP
The chips are equipped with 2″ long bare tinned leads soldered to all anodes and the common cathode.

カタログ

2色(二重)サンドイッチ ディテクター

応用: 火炎温度センシング、分光光度計、デュアル波長検出、赤外温度計(熱処理、誘導加熱、金属部品加工)
特徴: コンパクト、密閉シール、低ノイズ、ワイド波長範囲、リモート測定、w/TEC
 冷却なし

Model Number Detector Element Active Area Spectral Range Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise TIme Dat Peak Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-DSIn Si (top) 2.54 mm²  400 – 1100 nm 950 nm 0.55 A/W at 870nm 150 MΩ 450 pF 4 µs 1.2 e -+13 cm√Hz/W (870nm) 5 V 17 / TO-5  
PIN-DSIn InGaAs 1.50 mm²  1000 – 1800 nm 1300 nm 0.6 A/W 1 MΩ 300 pF 4 µs 8.4 e +11 cm√Hz/W 2 V 17 / TO-5  
PIN-DSS Si (top) 2.54 mm²  400 – 1100 nm 950 nm 0.45 A/W 500 MΩ 70 pF 10 µs 1.7 e +13 cm√Hz/W 5 V 17 / TO-5  
PIN-DSS Si  2.54 mm²  950 1100 nm 1060 nm 0.12 A/W 500 MΩ 70 pF 150 µs 4.7 e +12 cm√Hz/W 5 V 17 / TO-5  

2ステージ サーモエレクトリック(TE)冷却

Model Number Detector Element Active Area Spectral Range Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise Time Dat Peak Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-DSIN-TEC Si (top) 2.54 mm² 950 nm 0.55 A/W at 870nm 450 pF 4 µs 1.2 e +13 cm√Hz/W (870nm) 24 / TO-8  
PIN-DSIN-TEC InGaAs 1.50 mm²  1000 – 1800 nm 1300 nm 0.6 A/W 1 MΩ 300 pF 4 µs 8.4 e +11 cm√Hz/W 2 V 24 / TO-8  
§ @ 870 nm 
‡ Thermo-Electric Cooler and Thermistor Specifications are specified in the tables below.

カタログ

Nd:YAGレーザー 1064nm 高速・低ノイズ フォトダイオード

応用: Nd:YAGレーザー ポインティング、レーザーポインティングとポジショニング、位置測定、表面プロファイニング、ガイダンス システム
特徴: Nd:YAG感度、高ブレイクダウン電圧、ラージ アクティブ エリア、高速、高精度
 単素子 フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
PIN-5-YAG 5.1 mm² 2.54 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 5 pF 10 ns 200 V 2 / TO-5
PIN-100-YAG 100 mm² 11.28 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 25 pF 30 ns 200 V 20 / Metal

クオードラント フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
SPOT-9-YAG 19.6 mm² 10 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 8 pF 18 ns 200 V 20 / Metal
SPOT-11-YAG-FL 26 mm² 11.5 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 30 pF 15 ns 200 V 20 / Metal
SPOT-13-YAG-FL 38.5 mm² 13.1 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 15 pF 15 ns 300 V 29 / Metal
SPOT-15-YAG 38.5 mm² 14.0 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 15 pF 36 ns 300 V 20 / Metal
 

カタログ

アバランシェ ダイオード ウルトラハイゲイン シリコンフォトダイオード

応用: 高速光通信、レーザー レンジファインダー、バーコードリーダー、光リモートコントロール、
医療機器、高速測光
特徴: 高速応答/QE、帯域幅/高速応答、低ノイズ、低バイアス電圧、密封TO-パッケージ  シリコン(Si) アバランシェ 

 

フォトダイオード (APD)

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current (Max) Terminal Capacitance Breakdown Voltage Typ. (100µA) Temperature Coefficient of Breakdown Voltage Gain (800 nm) Package Click Image to Zoom
APD02-8-150-T52 .03 mm² 0.2 Φ mm 800 nm 50 A/W 1 nA 1.5 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L  
APD05-8-150-T52 .19 mm² .5 Φ mm 800 nm 50 A/W 1 nA 3 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L  
APD10-8-150-T52 .78 mm² 1 Φ mm 800 nm 50 A/W 2 nA 6 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L  
APD15-8-150-TO5 1.77 mm² 1.5 Φ mm 800 nm 50 A/W 5 nA 10 pF 150 V .45 V/℃ 100 67 / TO-5  
APD30-8-150-TO5 7 mm² 3 Φ mm 800 nm 30 A/W 10 nA 40 pF 150 V .45 V/℃ 60 67 / TO-5  
APD50-8-150-TO8 19.6 mm² 5 Φ mm 800 nm 20 A/W 30 nA 105 pF 150 V .45 V/℃ 40 3 / TO-8  
* ‘L’ Suffix refers to devices with ball lens cap
 

カタログ

フォトダイオード アンプ ハイブリッド (動作アンプ内蔵検出器)

型番:Photo™️シリーズ

応用: 多目的光検出、レーザーパワー モニタリング、医学分析、公害監視、ガイダンス装置、比色計
特徴: アンプ内蔵検出器、可変ゲイン/バンド幅、低ノイズ、DIPパッケージ
 波長範囲 350 – 1100 nm 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Dark Current Capacitance Max Reverse Bias Input Bias Current Package Click Image to Zoom
UDT-451 5.1 mm²  2.54 Φ mm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 30 V ** 30 pA 29 / DIP
UDT-455 5.1 mm²  2.54 F mm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 30 V ** ±80 pA 30 / TO-5  
OSI-515 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.65 A/W 0.25 nA 60 pF 30 V ** ±80 pA 30 / TO-5  
UDT-020D 16 mm²  4.57 Φ mm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 30 V ** ±80 pA 31 / TO-8  
UDT-555D 100 mm²  11.3 Φ mm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 30 V ** ±40 pA 32 / Special  

波長範囲 200 – 1100 nm 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Max Reverse Bias Package Click Image to Zoom
UDT-455UV 5.1 mm²  2.54 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 30 / TO-5  
UDT-020UV 16 mm²  4.57 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 31 / TO-8  
UDT-055UV 50 mm²  7.98 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special  
UDT-555UV 100 mm²  11.3 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special  
UDT-555UV / LN** 100 mm²  11.3 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special  
** LN – Series Devices are to be used with a 0V Bias. 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment.

カタログ

1.25Gbps フォトダイオード アンプ ハイブリッド

シリコンフォトディテクター/トランスインピーダンス アンプ

応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット、ファイバー チャンネル
特徴: シリコン フォトディテクター/低ノイズ トランスインピーダンス アンプ
 電気-光学特性

Model Number Active Area Diameter Supply Voltage Supply Current Operating Wavelength Responsivity Transimpedence Sensitivity Bandwidth Differential Output Output Impedence Package Click Image to Zoom
FCI-H125G-010 250 µm +3 to +5.5 V 38 mA 850 nm 3000 V/W 
-19dBm; Differential
8300 Ω 
-19dBm; Differential
-23 dBm 
BER 10-10; PRBS27-1
1000 MHz 
-3dBm; Small Signal
200 mVp-p 50 Ω TO-18  
FCI-H125G-010L 250 µm +3 to +5.5 V 38 mA 850 nm 3000 V/W -19dBm; Differential 8300 Ω -19dBm; Differential -23 dBm BER 10-10; PRBS27-1 1000 MHz -3dBm; Small Signal 200 mVp-p 50 Ω TO-18
 

 電気-光学特性 

Model Number Optical Overload (min) Storage Temp Operating Temp SupplyVoltage2 Input Optical Power Package Click Image to Zoom
FCI-H125G-010 -3 dBm -55 to 125 °C -40 to +75 °C — to +6 V — to +5 dBm TO-18  
FCI-H125G-010L -3 dBm -55 to 125 °C -40 to +75 °C — to +6 V — to +5 dBm TO-18  

カタログ

光ファイバーレシーバー

型番:BPX65-100

BPX65-100レシーバーはBPX65ウルトラハイスピードダイオードと
NE5212(Signetics)トランスインピーダンスアンプが組み込まれています。
スタンダード端子はSTとSMAです。

応用: 100Mbps 光通信、ファイバー パッチコードのカップリング、シリコン ベース 光レシーバー
特徴: バンド幅 140MHz、14kΩ差動トランスレジスタンス、スペクトル範囲400nmから1000nm、2.5pA トランスインピーダンス √Hz電気-光学特性

Model Number Fiber Connector Power Supply Detector Responsivity Amplifier Gain Max Data Rate Package Click Image to Zoom
BPX65-100 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100  
BPX65-100ST ST 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100ST  
BPX65-100SMA SMA 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100SMA

 

カタログ

フォトダイオード フィルター アセンブリ(フィルター付き検出器)

ディテクターフィルター コンビネーション シリーズ

応用: 分析化学、分光光度計、濃度計、フォトメトリー/ラジオメトリー(測光/放射測定)、医療機器、液体クロマトグラフィー
特徴: CIE (APシリーズ)、フラット バンド応答(DF)、254ナローバンドパス、アンプ付きハイブリッド、BNCパッケージ
 検出器-フィルター コンビネーション シリーズ 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Spectral Match Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
PIN-005D-254F 5.7 mm²  2.4 mm² 0.025 A/W at 254nm 300 MΩ 100 pF 18 / TO-5  
PIN-005E-550F 5.7 mm²  2.4 mm² 0.23 A/W at 550 nm 500 MΩ 200 pF 5 / TO-5
PIN-10AP 100 mm² 11.28 Φ mm 4% *** 0.27 A/W at 550 nm 1500 pF 13 / BNC
PIN-10DF 100 mm²  11.28 Φ mm ± 7% 0.15 A/W at 550 nm 20 MΩ 1500 pF 13 / BNC
PIN-555AP 100 mm² 11.28 Φ mm 8%*** 0.27 A/W at 550 nm 1500 pF 33 / Special

OSD-E シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
OSD15-E 15 mm²  3.8 x 3.8 mm 33 nA /Lux 80 MΩ 390 pF 5 / TO-5
OSD1-E 1 mm²  1.0 x 1.0 mm 2.2 nA /Lux 1000 MΩ 35 pF 7 / TO-18
OSD3-E 3 mm²  2.5 x 1.2 mm 6.6 nA /Lux 700 MΩ 80 pF 7 / TO-18
OSD5-E 5 mm²  2.5 dia. mm 11 nA /Lux 600 MΩ 130 pF 5 / TO-5
OSD60-E 100 mm²  11.3 dia. mm 56 nA /Lux 10 MΩ 2500 pF 72 / TO-8  
* ?=254nm 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. 

*** Area within CIE curve 

カタログ

ヒューマン アイ レスポンス ディテクター

ヒューマン アイ レスポンス TOパッケージ

特徴: フォトメトリー(測光)、ラジオメトリー(放射測定)、医療機器、分析化学
検出器-フィルター コンビネーション シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Spectral Match Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
PIN-005D-254F 5.7 mm²  2.4 mm² 0.025 A/W at 254nm 300 MΩ 100 pF 18 / TO-5  
PIN-005E-550F 5.7 mm²  2.4 mm² 0.23 A/W at 550 nm 500 MΩ 200 pF 5 / TO-5
PIN-10AP 100 mm² 11.28 Φ mm 4% *** 0.27 A/W at 550 nm 1500 pF 13 / BNC
PIN-10DF 100 mm²  11.28 Φ mm ± 7% 0.15 A/W at 550 nm 20 MΩ 1500 pF 13 / BNC
PIN-555AP 100 mm² 11.28 Φ mm 8%*** 0.27 A/W at 550 nm 1500 pF 33 / Special

OSD-E シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
OSD15-E 15 mm²  3.8 x 3.8 mm 33 nA /Lux 80 MΩ 390 pF 5 / TO-5
OSD1-E 1 mm²  1.0 x 1.0 mm 2.2 nA /Lux 1000 MΩ 35 pF 7 / TO-18
OSD3-E 3 mm²  2.5 x 1.2 mm 6.6 nA /Lux 700 MΩ 80 pF 7 / TO-18
OSD5-E 5 mm²  2.5 dia. mm 11 nA /Lux 600 MΩ 130 pF 5 / TO-5
OSD60-E 100 mm²  11.3 dia. mm 56 nA /Lux 10 MΩ 2500 pF 72 / TO-8  
* ?=254nm 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. 
*** Area within CIE curve

カタログ

半田付け可能なフォトコンダクティブ チップ

応用: ソーラーセル(太陽電池)、低価格光モニタリング、ダイオード レーザー モニタリング、低キャパシタンス
特徴: ラージ アクティブ エリア、豊富なサイズ、高いシャント抵抗、リード線無し/付き
 フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Click Image to Zoom
S-4CL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 20 nA 15 pF @-5V
S-10CL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 40 nA 30 pF @-5V
S-25CL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V
S-25CRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V
S-50CL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 300 nA 200 pF @-5V
S-80CL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 500 nA 300 pF @-5V
S-100CL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 600 nA 375 pF @-5V
S-120CL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 800 nA 450 pF @-5V
S-200CL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 1200 nA 750 pF @-5V

フォトボルテイック, VBIAS = 0V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Capacitance Click Image to Zoom
S-4VL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 370 pF @0V
S-10VL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 750 pF @0V
S-25VL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V
S-25VRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V
S-50VL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 4000 pF @0V
S-80VL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 6000 pF @0V
S-100VL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 8500 pF @0V
S-120VL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 10000 pF @0V
S-200VL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 17000 pF @0V
§ All of the above bare chips are provided with two 3″ long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). 

They are also available without leads. For Ordering subtract suffix ‘L’ from the model number, i.e. S-100C.
 カタログ

半田付け可能なフォトボルティック(光起電力) チップ

フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Click Image to Zoom
S-4CL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 20 nA 15 pF @-5V
S-10CL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 40 nA 30 pF @-5V
S-25CL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V
S-25CRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V
S-50CL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 300 nA 200 pF @-5V
S-80CL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 500 nA 300 pF @-5V
S-100CL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 600 nA 375 pF @-5V
S-120CL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 800 nA 450 pF @-5V
S-200CL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 1200 nA 750 pF @-5V

フォトボルテイック VBIAS = 0V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Capacitance Click Image to Zoom
S-4VL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 370 pF @0V
S-10VL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 750 pF @0V
S-25VL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V
S-25VRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V
S-50VL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 4000 pF @0V
S-80VL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 6000 pF @0V
S-100VL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 8500 pF @0V
S-120VL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 10000 pF @0V
S-200VL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 17000 pF @0V
§ All of the above bare chips are provided with two 3″ long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). 
They are also available without leads. For Ordering subtract suffix ‘L’ from the model number, i.e. S-100C.

カタログ

ポジションセンシング ディテクター セグメントフォトダイオード

2分割と4分割フォトダイオード

応用: パルス検出、光通信、バーコード リーダー、光リモート コントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答、低キャパシタンス、低暗電流、ワイド ダイナミック レンジ
 デュアル セル フォトダイオード Dual Cell Photodiodes

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Shunt Resistance Dark Current Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
CD-25T 2.3 mm² 4.6 x 0.5 mm 0.2 mm 0.65 A/W 20 nA @-15V 50 pF @-15V 300 ns @-15V 2 / TO-5
SPOT-2DMI 0.7 mm² 0.6 x 1.2 mm 0.013 mm 0.65 A/W 0.05 nA 3 pF 11 ns 40 / TO-18
SPOT-2D 3.3 mm² 1.3 x 2.5 mm 0.127 mm 0.65 A/W 0.15 nA 11 pF 22 ns 41 / TO-5
SPOT-3D 2.8 mm² 0.6 x 4.6 mm 0.025 mm 0.65 A/W 0.13 nA 7 pF 25 ns 41 / TO-5

Quadrant フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
SPOT-4D 1.61 mm² 1.3 mm² 0.127 mm 0.65 A/W 1 nA 5 pF 22 ns 41 / TO-5
SPOT-4DMI 0.25 mm² 0.5 mm² 0.013 mm 0.65 A/W 0.01 nA 1 pF 9 ns 41 / TO-5
SPOT-9D 19.6 mm² 10 Φ mm ‡ 0.102 mm 0.65 A/W .5 nA 60 pF 28 ns 43 / Lo-Prof
SPOT-9DMI 19.6 mm² 10 Φ mm ‡ 0.01 mm 0.65 A/W 10 nA 60 pF 28 ns 43 / Lo-Prof
‡ Overall Diameter (All four Quads). 
Chip centering within ± 0.010″.

カタログ

和と差 アンプモジュール ポジションセンシング モジュール

応用: 位置測定、ビーム センタリング、ガイダンス システム
特徴: 10μm ギャップ可能 QD50-SD モジュール、QD7-XX またはQD50-XX のリクエストを承ります。
 ポジション センシング モジュール Position Sensing Modules

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Capacitance Dark Current NEP Reverse Voltage Rise Time Package Click Image to Zoom
QD7-0 7 mm²  3.0 Φ mm ‡ 0.2 mm 0.54 A/W 20 pF 4 nA 9.0 e-14 30 V 10 ns 41 / TO-5  
QD50-0 50 mm²  8.0 Φ mm ‡ 0.2 mm 0.54 A/W 125 pF 15 nA 1.3 e-13 30 V 10 ns 73 / TO-8
 

ポジション センシング モジュール Position Sensing Modules

Model Number Operating Temp Storage Temp Package Click Image to Zoom
QD7-0 -40 ~ +100 -55 ~ +125 41 / TO-5  
QD50-0 -40 ~ +100 -55 ~ +125 73 / TO-8  

カタログ

スーパー リニア ポジションセンシング ディテクター

型番:Duo Latral PSDs

応用: ビーム アライメント、ポジション センシング、角度測定、表面プロファイル、高さ測定、ターゲット、ガイダンス システム、モーション分析
特徴: スーパーリニア、超高精度、ワイド ダイナミック レンジ、高信頼、デュオ ラテラル構造
 

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Metal Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
SL3-1 3 mm²  3 x 1 mm 3 µm 0.4 A/W 0.06 µm / °C  5 nA 3 pF 15 kΩ 80 kΩ 41 / TO-5
SL5-1 5 mm²  5 x 1 mm 5 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  10 nA 5 pF 20 kΩ 100 kΩ 42 / TO-8

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
SL3-2 3 mm²  3 x 1 mm 3 µm 0.4 A/W 0.06 µm / °C 5 nA 3 pF 15 kΩ 80 kΩ 48 / 8-PIN DIP
SL5-2 5 mm²  5 x 1 mm 5 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  10 nA 5 pF 20 kΩ 100 kΩ 48 / 8-PIN DIP
SL15 15 mm²  15 x 1 mm 15 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  150 nA 15 pF 60 kΩ 300 kΩ 49 / 25-PIN DIP
SL30 120 mm²  30 x 4 mm 30 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  150 nA 125 pF 40 kΩ 80 kΩ 51 / Ceramic
SL76-1 190 mm²  76 x 2.5 mm 76 µm 0.4 A/W 1.4 µm / °C  100 nA 190 pF 120 kΩ 600 kΩ 50 / Special

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Metal Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DL-10 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  500 nA 175 pF 5 kΩ 25 kΩ 34 / Special
DL-2 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.2 µm / °C  30 nA 10 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8
DL-20 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1 µm / °C  2000 nA 600 pF 5 kΩ 25 kΩ 35 / Special
DL-4 16 mm²  4 mm² 50 µm 0.4 A/W 0.25 µm / °C  50 nA 35 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8
DLS-2 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.4 µm / °C  10 nA 8 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8
DLS-2S 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.4 µm / °C  10 nA 8 pF 5 kΩ 25 kΩ 75 / TO-25
DLS-4 16 mm²  4 mm² 50 µm 0.4 A/W 0.3 µm / °C  25 nA 30 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DLS-10 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.7 µm / °C  50 nA 160 pF 5 kΩ 25 kΩ 36 / Ceramic
DLS-20 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1.2 µm / °C  100 nA 580 pF 5 kΩ 25 kΩ 36 / Ceramic

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Low Cost Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DL-10C 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  500 nA 175 pF 5 kΩ 25 kΩ 38 / Ceramic
DL-20C 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1 µm / °C  2000 nA 600 pF 5 kΩ 25 kΩ 39 / Ceramic
§ The DLS Series are packaged with A/R coated windows and have a lower dark current than the DL Series. 
‡ Also available in the same package as DL-10. Specify DL-10-1.

カタログ

 Tetra Lateral PSDs  テトラ ラテラル ポジション センシング ディテクター
応用: ツール アライメントとコントロール、レベリング測定、角度測定、3Dビジョン、位置測定
応用: シングル抵抗層、高速応答、高ダイナミック レンジ、高分解能、スポット サイズと形

お電話でのお問い合せ
03-6260-8880
FAX番号
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