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シリコン フォトダイオード OSI Optoelectronics


OSI Optoelectronics
OSI オプトエレクトロニクス
シリコン フォトダイオード スタンダード製品

 

多目的フォトダイオード

フォトコンダクティブ (PC) (光導電性) デバイス

シリコン フォトダイオード Planar Diffused Silicon Photodiode

応用: パルス検出、光通信、バーコード リーダー、光リモートコントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答、低容量、低暗電流、ワイド ダイナミック レンジ、高い応答性

フォトコンダクティブ(光伝導)シリコン光検出器は、高速、高感度の応用に適しています。波長範囲は350nmから1100nmで、パルスレーザー、LEDなどの検出、AC応用を含む、可視及び近赤外用途に最適です。

高速のために逆バイアス10Vで、典型的な応答速度10nsec.から250nsec.が得られます。逆バイアスで静電容量が減少し、速度が増加します。逆バイアスは30Vを越えてはなりません。高いバイアス電圧は検出器に恒久的な損傷をもたらします。

逆バイアスは暗電流を発生させるので、デバイス内のノイズも印加バイアスに依って増加します。低ノイズ検出はフォトブルテイック(PV)シリーズを考慮する必要があります。

フォトコンダクティブ モード(PC)  
 "Application Notes"の中の、
 " Photodiode Characteristics and Application"  を参照してください。


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フォトボルテイック (PV) (光起電) デバイス

 

低ノイズ シリコン フォトダイオード Low Noise Planar Diffused Silicon Photodiodes



応用:測色計、フォトメーター、分光器、蛍光
特徴:低ノイズ、高シャント抵抗、ブルーエンハンス、ワイド ダイナミック レンジ

フォトボルテイック(PV) (光起電) 検出器シリーズは、高感度と適度な応答速度を必要とする用途に使用されます。
青色領域(
350nm から550nm領域)の感度を強化するブルーエンハンス シリーズがあります。波長の応答は、350nmから1100nmの範囲で、通常のフォトボルテイック(PV) (光起電) デバイスは可視から近赤外の応用に適しています。

DCまたは低速では広い温度変動下で長時間安定します。光が強い場合(>10mW/cm2 ) の場合はフォトコンダクティブ(PC) (光伝導) シリーズを考慮して下さい。

PVの検出器では逆バイアスに設計されていません。数V(>3V)を越える逆バイアスを印加すると検出器が恒久的に損傷します。より高速の応答時間が必要な場合はフォトコンダクティブ(PC) (光伝導)シリーズを使用して下さい。


 "Application Notes"の中の、 " Photodiode Characteristics and Application"  を参照してください。

 

 
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青色強化フォトダイオード  Blue Enhanced Photodiodes



応用:パルス検出器、光通信、バーコードリーダー、光学式リモートコントロール、医療機器、高速測光、
特徴:高速応答、低容量、低暗流、ワイド ダイナミック レンジ


ブルーエンハンス ディテクターは可視から青色領域で高感度、中程度の応答速度を必要とする応用に使用されています。通常のフォトボルテイック(PV) (光起電力)と比べ、350nmから550nmで感度が良くなります。

高いシャント抵抗と低ノイズ、長時間の安定性があります。 バイアス無しの動作でDCまたは低速で広い温度変動下で安定します。強度が強い場合(10mV / cm2を越える場合)はPCシリーズを使用してください。
PVの検出器では逆バイアスに設計されていません。数V(>3V)を越える逆バイアスを印加すると検出器が恒久的に損傷します。

より速い応答時間が必要な場合は、フォトコンダクティブ(PC) (光伝導)シリーズを使います。

 "Application Notes"の中の、 " Photodiode Characteristics and Application"  を参照してください。


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裏面照射SMT フォトダイオード  Back Illuminated SMT Photodiodes


BI-SMT 


BI-SMT シリーズはデバイスの端の死んでいる領域を最小限にするように設計されているシングル チャンネル裏面照射フォトダイオードです。各デバイスはチップのサイズのパッケージにデザインされています。複数の検出器をタイルのように配置ができ、シンチレーターとの結合が容易になります。

応用:X線検査、コンピューター断層撮影、一般産業用
特徴:チップサイズ パッケージ、シンチレーターとの結合が容易、パターン化された電極

 

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波長405nmから1653nm。シングルモード ファイバーから良質のビームクオリティーの高出力レーザーを得ることができます。高安定、狭帯域、出力可変、2 MHzまでの変調が外部端子からできます。

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