レーザー/レーザー出力計・SLD・LED

OE機器・チラー・ソフトウエア

関連サイトリンク

  • 光学部品専用サイト
  • 計測器専用サイト
  • アウトレット専用サイト

HOME > PV シリーズ フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器 Vigo System

PV シリーズ フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器 Vigo System

   VIGO SYSTEM S.A.
  ヴィゴ システム
  HgCdTe赤外検出器

PV シリーズ フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器
 

PV シリーズ 3 - 8μm フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器  室温動作


  

PV-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、IRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 このシリーズは、使い方が簡単で冷却やヒートシンクは必要ありません。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。スタンダード検出器は。ウインドウなしのTO39またはBNCパッケージで提供します。各種ウィンドウ、他のパッケージおよびコネクターは、ご要望に応じて提供可能です。
 
【特徴】Vigo system PVシリーズ HgCdTe赤外検出器
周囲環境温度(室温)動作
バイアス不要
・短い時定数
・ フリッカ雑音なし
・DC~VHF動作
・高速電子機器に完全にマッチ
・広いダイナミック・レンジ
・低価格
・要求に応じてカスタム設計


Parameter
Symbol
Unit
PV-3
PV-3.4
PV-4
PV-5
PV-6
PV-8
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥8.0×109
≥6.5×109
 
≥7.0×109
≥5.0×109
 
≥5.0×109
≥3.0×109
 
≥2.0×109
≥1.0×109
 
≥1.0×109
≥5.0×108
 
≥8.0×107
≥4.0×107
Current Responsivity @ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1
≥1
≥0.3
Time Constant
τ
ns
≤350
≤260
≤150
≤120
≤80
≤4
Time Constant**) τ ns  ≤3  ≤2  ≤1  ≤0.7  ≤0.7  ≤0.7
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥1
≥0.5
≥0.1
≥0.01
≥0.002
≥0.0001
Operating Temperature
T
K
~300
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
>90, 0.71

*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。


 

Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PV-3
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3.4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-5
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-6
O
X
   X**)
O
 
O
 
 
 
 
PV-8
X
   X**)
P
 
 
 
 
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。













PV-2TE シリーズ 2 - 12μm 2ステージTE冷却 フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器


 

PV-2TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、2ステージのTE冷却フォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-2TE シリーズ HgCdTe赤外検出器
スペクトル域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納品
要求に応じてカスタム設計


Parameter
Symbol
Unit
PV-2TE-3
PV-2TE-3.4
PV-2TE-4
PV-2TE-5
PV-2TE-6
PV-2TE-8
PV-2TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥1.0×1011
≥7.0×1010
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥4.0×1010
≥3.0×1010
 
≥1.5×1010
≥9.0×109
 
≥5.0×109
≥2.0×109
 
≥4.0×108
≥2.0×108
 
≥2.0×108
≥1.0×108
Current Responsivity @ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥0.8
≥0.4
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥150
≥3
≥2
≥0.1
≥0.02
≥0.0002
≥0.0001
Operating Temperature
T
K
~230
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。


Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PV-2TE-3
O
X
X
O
 
O
O
O
 
 
PV-2TE-3.4
O
X
X
O
 
O
O
O
 
 
PV-2TE-4
O
X
X
O
 
O
O
O
 
 
PV-2TE-5
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-2TE-6
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-2TE-8
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 
PV-2TE-10.6
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。












PV-3TE シリーズ 2 - 12μm 3ステージTE冷却 フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器


 

【説明】
PV-3TE-λopt  HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、3ステージのTE冷却を備えた光起電力型赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクトで頑丈、高い信頼性
・低価格
・要求に応じてカスタム設計


Parameter
Symbol
Unit
PV-3TE-3
PV-3TE-3.4
PV-3TE-4
PV-3TE-5
PV-3TE-6
PV-3TE-8
PV-3TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥3.0×1011
≥1.0×1011
 
≥9.0×1010
≥7.0×1010
 
≥6.0×1010
≥4.0×1010
 
≥4.0×1010
≥1.0×1010
 
≥7.0×109
≥4.0×109
 
≥5.0×108
≥3.0×108
 
≥3.0×108
≥1.5×108
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**) τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥240
≥15
≥6
≥0.3
≥0.025
≥0.0004
≥0.0002
Operating Temperature
T
K
~210
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。


Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PV-3TE-3
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3TE-3.4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3TE-4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3TE-5
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3TE-6
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-3TE-8
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 
PV-3TE-10.6
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。











PV-4TE シリーズ 2 - 12μm 4ステージTE冷却 フォトボルテイック(光起電力) HgCdTe 赤外検出器


 


【説明】
PV-4TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、4ステージのTE冷却を備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。スタンダードHgCdTe赤外検出器は、サファイヤ ウインドウまたはARコート付きZnSeウインドウのTO8パッケージで提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PC-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
波長域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納期
要求に応じてカスタム設計


Parameter
Symbol
Unit
PV-4TE-3
PV-4TE-3.4
PV-4TE-4
PV-4TE-5
PV-4TE-6
PV-4TE-8
PV-4TE-10.6
Optimal Wavelength
λopt
µm
3
3.4
4
5
6
8
10.6
Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt
D*
cm⋅Hz1/2⋅W-1
 
≥3.0×1011
≥1.5×1011
 
≥2.0×1011
≥1.0×1011
 
≥1.0×1011
≥6.0×1010
 
≥4.0×1010
≥1.5×1010
 
≥9.0×109
≥5.0×109
 
≥5.0×108
≥4.0×108
 
≥4.0×108
≥2.0×108
Current Responsivity
@ λopt
Ri
A⋅W-1
≥0.5
≥0.8
≥1
≥1.3
≥1.5
≥1.5
≥0.7
Time Constant
τ
ns
≤280
≤200
≤100
≤80
≤50
≤30
≤10
Time Constant**)
τ ns ≤3 ≤2 ≤1 ≤0.7 ≤0.5 ≤0.4 ≤0.4
Resistance - Optical Area Product
R⋅A
Ω⋅cm2
≥300
≥20
≥8
≥0.4
≥0.03
≥0.0006
≥0.0005
Operating Temperature
T
K
~195
Acceptance Angle, F/#
Φ, -
deg, -
70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。


Type
Optical Area*) [mm×mm]
0.025×0.025
0.05×0.05
0.1×0.1
0.2×0.2
0.25×0.25
0.5×0.5
1×1
2×2
3×3
4×4
PV-4TE-3
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4TE-3.4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4TE-4
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4TE-5
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4TE-6
O
X
X
O
 
O
O
 
 
 
PV-4TE-8
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 
PV-4TE-10.6
X
X**)
P
 
 
 
 
 
 
 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

 
























波長405nmから1653nm。シングルモード ファイバーから良質のビームクオリティーの高出力レーザーを得ることができます。高安定、狭帯域、出力可変、2 MHzまでの変調が外部端子からできます。

PAGE TOP

Copyright © 2015 FIT Leadintex,Inc Co.,Ltd. All rights reserved.