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シリコン フォトダイオード OSI Optoelectronics

 


OSI Optoelectronics
 OSI オプトエレクトロニクス
  シリコン(Si) フォトダイオード



 

多目的シリコン(Si) フォトダイオード フォトコンダクティブ(光伝導) デバイス



 

カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

フォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)シリーズは高速、高感度の応用に最適です。スペクトル範囲は350nmから1100nmまでの可視から近赤外まで。連続、パルスレーザー、LED、チョッピング光の検出。

高速検出のために、逆バイアスをかけます。典型的なレスポンス時間10nsec.から250nsec.は10Vの逆バイアスで達成します。逆バイアスはキャパシタンスは減少し、スピードが増します。逆バイアスは30V を超えないようにしてください。高いバイアスは検出器に損傷を与えます。

逆バイアスは暗電流を生成すます。デバイス内のバイアスも増加します。低ノイズのために、フォトボルテイック シリーズを考慮してください。


フォトコンダクティブ モード(PC)の説明
Photodiode Characteristics and Applications

アプリケーションノート
Application Notes

 

フォトコンダクティブ シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
OSD1-0 1 mm² 1.0 mm² 900 nm 0.54 A/W 1 nA 3 pF 10 ns 50 V 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD1-0)
OSD5-0 5 mm² 2.5 Φ mm 900 nm 0.54 A/W 5 nA 8 pF 8 ns 50 V 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD5-0)
OSD15-0 15 mm² 3.8 mm² 900 nm 0.54 A/W 8 nA 20 pF 9 ns 50 V 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD15-0)
OSD35-0 35 mm² 5.9 mm² 900 nm 0.54 A/W 12 nA 46 pF 12 ns 50 V 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (OSD35-0)
OSD60-0 58 mm² 7.6 mm² 900 nm 0.54 A/W 15 nA 75 pF 14 ns 50 V 72 / TO-8 Click to View Larger Image of (OSD60-0)
OSD100-0A 100 mm² 11.3 Φ mm 900 nm 0.54 A/W 30 nA 130 pF 19 ns 50 V 74 / Special Click to View Larger Image of (OSD100-0A)
PIN-020A  0.20 mm² 0.51 F mm 970 nm 0.65 A/W 0.01 nA 1 pF 6 ns 30 V 1/TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-020A)
PIN-040A 0.81 mm² 1.02 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.05 nA 2 pF 8 ns 30 V 4 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-040A)
PIN-2DI ‡ 1.1 mm² 0.81x1.37 mm 970 nm 0.65 A/W 0.10 nA 5 pF 10 ns 30 V 4 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-2DI ‡)
PIN-3CD 3.2 mm² 1.27 X 2.54 mm 970 nm 0.65 A/W 0.15 nA 12 pF 10 ns 30 V 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-3CD)
PIN-3CDI 3.2 mm² 1.27 X 2.54 mm 970 nm 0.65 A/W 0.15 nA 12 pF 10 ns 30 V 4 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-3CDI)
PIN-5D 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 12 ns 30 V 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5D)
PIN-5DI 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 12 ns 30 V 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5DI)
PIN-13D 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 0.35 nA 40 pF 14 ns 30 V 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-13D)
PIN-13DI 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 0.35 nA 40 pF 14 ns 30 V 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-13DI)
PIN-6D 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 17 ns 30 V 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-6D)
PIN-6DI 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 17 ns 30 V 8 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-6DI)
PIN-44D 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 1 nA 130 pF 24 ns 30 V 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-44D)
PIN-44DI 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 1 nA 130 pF 24 ns 30 V 6 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-44DI)
PIN-10D 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 43 ns 30 V 11 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10D)
PIN-10DI 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 43 ns 30 V 10 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (PIN-10DI)
PIN-25D 613 mm² 27.9 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 15 nA 1800 pF 250 ns 30 V 12 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-25D)

プラスチック パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
FIL-5C 5.1 mm² 2.54 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 1 nA 15 pF 12 ns 30 V 14 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-5C)
FIL-20C 16.4 mm² 4.57 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 5 nA 60 pF 17 ns 30 V 14 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-20C)
FIL-44C 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.65 A/W 8 nA 130 pF 24 ns 30 V 15 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-44C)
FIL-100C 100 mm² 11.28 Φ mm 970 nm 0.65 A/W 12 nA 300 pF 43 ns 30 V 15 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-100C)
PIN-220D 200 mm² 10 x 20 mm 970 nm 0.65 A/W 15 nA 600 pF 75 ns 30 V 27 / Plastic Click to View Larger Image of (PIN-220D)
‡ The 'I' suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case. 
§ The photodiode chips in “FIL” series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as “in line” pins.

カタログ

 

多目的Siフォトダイオード  フォトボルテイック デバイス  (光起電力デバイス)


カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

フォトボルテイック ディテクター(光起電力検出器)は高感度、中程度の応答時間の応用に使用します。波長感度は可視から近赤外、350nmから1100nmまで、350nmから550nmまでのブルー領域の感度を上げたブルーエンハンス デバイスがあります。これらは高シャント抵抗、低ノイズ、長時間安定です。バイアス無しで、広範囲の温度変動下でDC、低速度の応用に安定して動作します。
10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、より良い直線性のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。3V以上で検出器が損傷します。
高速の応用のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。


フォトボルテイック(PV)の説明
Photodiode Characteristics and Applications

応用
Application Notes

 

フォトボルテイック シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise TIme Package Click Image to Zoom
CD-1705 0.88 mm² .93 mm² 850 nm 0.60 A/W 10 GO 70 pF 2000 ns 71/Plastic Click to View Larger Image of (CD-1705)
PIN-2DPI ‡ 1.1 mm² 0.81 x 1.37 mm 970 nm 0.60 A/W 10 GO 150 pF 30 ns 4 /TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-2DPI ‡)
PIN-125DPL 1.6 mm² 1.27 mm² 970 nm 0.60 A/W 10 GO 160 pF 30 ns 8 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-125DPL)
PIN-3CDP 3.2 mm² 1.27 x 2.54 mm 970 nm 0.60 A/W 5.0 GO 320 pF 50 ns 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-3CDP)
PIN-3CDPI 3.2 mm² 1.27 x 2.54 mm 970 nm 0.60 A/W 5.0 GO 320 pF 50 ns 4 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-3CDPI)
PIN-5DP 5.1 mm² 2.54 F mm 970 nm 0.60 A/W 4 GO 500 pF 60 ns 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5DP)
PIN-5DPI 5.1 mm² 2.54 F mm 970 nm 0.60 A/W 4 GO 500 pF 60 ns 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5DPI)
PIN-13DP 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 3.5 GO 1200 pF 150 ns 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-13DP)
PIN-13DPI 13 mm² 3.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 3.5 GΩ 1200 pF 150 ns 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-13DPI)
PIN-6DP 16.4 mm² 4.57 F mm 970 nm 0.60 A/W 2 GO 2000 pF 220 ns 6 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-6DP)
PIN-6DPI 16.4 mm² 4.57 F mm 970 nm 0.60 A/W 2 GO 2000 pF 220 ns 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-6DPI)
PIN-44DP  44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 1.0 GO 4300 pF 475 ns 6 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-44DP)
PIN-44DPI 44 mm² 6.6 mm² 970 nm 0.60 A/W 1.0 GO 4300 pF 475 ns 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (PIN-44DPI)
PIN-10DP 100 mm² 11.28 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.20 GO 9800 pF 1000 ns 11 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10DP)
PIN-10DPI 100 mm² 11.28 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.20 GO 9800 pF 1000 ns 10 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (PIN-10DPI)
PIN-25DP 613 mm² 27.9 F mm 970 nm 0.60 A/W 0.1 GO 60000 pF 6600 ns 12 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-25DP)

プラスチック パッケージ


Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
PIN-220DP 200 mm² 10 x 20 mm 970 nm 0.60 A/W 0.25 GΩ 20000 pF 2200 ns 27 / Plastic Click to View Larger Image of (PIN-220DP)
‡ The 'I' suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case.

 

カタログ
 

 

ブルー エンハンス フォトダイオード




 

カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

ブルー エンハンス シリーズは可視からブルー領域で高感度、適切な応答速度を必要とする用途に利用されます。
通常のフォトボルテイック(光起電力)よりも350nmから550nmの領域で感度が良くなります。


10mW/cm2より大きい高いレベルの場合、より良い直線性のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
フォトボルテイック ディテクターは逆バイアスをかけるようにデザインされていません。3V以上で検出器が損傷します。
高速の応用のためにフォトコンダクティブ ディテクター(光伝導検出器)をおすすめします。
 

ブルー エンハンス フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Rsh Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
OSD1-5T 1 mm² 1.0 mm² 0.21 A/W 250 MΩ 35 pF 7 µs 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD1-5T)
OSD3-5T 3 mm² 2.5 x 1.2 mm 0.21 A/W 100 MΩ 80 pF 9 µs 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD3-5T)
OSD5-5T 5 mm² 2.5 Φ mm 0.21 A/W 100 MΩ 130 pF 9 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD5-5T)
OSD15-5T 15 mm² 3.8 mm² 0.21 A/W 50 MΩ 390 pF 12 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD15-5T)
OSD60-5T 62 mm² 7.9 mm² 0.21 A/W 3 MΩ 1800 pF 30 µs 72 / TO-8 Click to View Larger Image of (OSD60-5T)
OSD100-5TA 100 mm² 11.3 Φ mm 0.21 A/W 2 MΩ 2500 pF 45 µs 74 / Special Click to View Larger Image of (OSD100-5TA)
PIN-040DP/SB 0.81 mm² 1.02 Φ mm 0.20 A/W 600 MΩ 60 pF 0.02 µs 1 / TO-18 Click to View Larger Image of (PIN-040DP/SB)
PIN-5DP/SB 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.20 A/W 150 MΩ 450 pF 0.2 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5DP/SB)
PIN-10DP/SB 100 mm² 11.28 Φ mm 0.20 A/W 10 MΩ 8800 pF 2 µs 11 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10DP/SB)
PIN-10DPI/SB 100 mm² 11.28 Φ mm 0.20 A/W 10 MΩ 8800 pF 2 µs 10 / Metal Click to View Larger Image of (PIN-10DPI/SB)
PIN- 220DP/SB 200 mm² 10 x 20 mm 0.20 A/W 5 MΩ 17000 pF 4 µs 27 / Plastic Click to View Larger Image of (PIN- 220DP/SB)


カタログ
 

背面照射型 SMT フォトダイオード


単一チャンネル背面照射型

カタログはOSI OptoelectronicsのWeb Siteからカタログのダウンロードが出来ます。

Model Number Active Area Dimensions Peak Responsivity Wavelength Responsivity @ 920 nm Capacitance Dark Current Rise Time Package Click Image to Zoom
33BI-SMT 2.4 x 2.4 mm 920 nm .59 A/W 50 pF .02 nA 10 us SMT Click to View Larger Image of (33BI-SMT)
55BI-SMT 4.4 x 4.4 mm 920 nm .59 A/W 200 pF .04 nA 20 us SMT Click to View Larger Image of (55BI-SMT)
1010BI-SMT 9.4 x 9.4 mm 920 nm .59 A/W 900 pF .16 nA 20 us SMT Click to View Larger Image of (1010BI-SMT)
 

カタログ



高速 シリコン(Si) フォトダイオード


100Mbps / 155Mbps / 622Mbps フォトダイオード

大きなアクティブ エリア、高速シリコン フォトディテクター

短距離データ通信のためにデザインされた、ラージエリア、高速シリコン ディテクター。3.3Vバイアスで低暗電流、低キャパシタンス。ベースユニットはマイクロレンズまたはARコート フラットウインドウ付きの3ピン TO-46パッケージ。

高速応答 シリーズ

Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image to Zoom
FCI-HR005 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR005 Click to View Larger Image of (FCI-HR005)
FCI-HR008 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR008 Click to View Larger Image of (FCI-HR008)
FCI-HR020 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR020 Click to View Larger Image of (FCI-HR020)
FCI-HR026 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR026 Click to View Larger Image of (FCI-HR026)
FCI-HR040 -55 to +125 °C -40 to +75 °C 260 °C FCI-HR040 Click to View Larger Image of (FCI-HR040)

BPX-65

Model Number Storage Temp Operating Temp Soldering Temp Package Click Image to Zoom
BPX-65 -40 to +100 °C -25 to +85 °C 260 °C BPX-65 Click to View Larger Image of (BPX-65)

カタログ



1.25Gbps フォトダイオード

ラージエリア 高速シリコンPINフォトダイオード
850nm 短距離光データ通信応用に最適化
3.3Vで高感度、ワイド帯域、低暗電流、低キャパシタンス

850nm トランシーバー、GBICs 1.25Gbpsまで Gigabit イーサネットとファイバーチャンネルなどの応用
3ピンTO-46パッケージ オプションでマイクロレンズ キャップ またはARコート フラット ウインドウ
オプションでFC, ST, SC, SMAファイバー端子が可能です。

 

電気-光学特性

Model Number Active Area Diameter Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Fall Time Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
FCI-125G-006HRL 150 µm 0.36 A/W 
850nm
20 pA 
Vr=3.3V
0.66 pF 
Vr=3.3V
38 ps 
Vr=3.3V
313 ps 
Vr=3.3V
--- FCI-125G-006HRL Click to View Larger Image of (FCI-125G-006HRL)
FCI-125G-010HRL 250 µm 0.36 A/W 
850nm
25 pA 
Vr=3.3V
0.96 pF 
Vr=3.3V
50 ps 
Vr=3.3V
429 ps 
Vr=3.3V
--- FCI-125G-010HRL Click to View Larger Image of (FCI-125G-010HRL)
FCI-125G-012HRL 300 µm 0.36 A/W 
850nm
30 pA 
Vr=3.3V
1.16 pF 
Vr=3.3V
69 ps 
Vr=3.3V
436 ps 
Vr=3.3V
--- FCI-125G-012HRL Click to View Larger Image of (FCI-125G-012HRL)
FCI-125G-016HRL 400 µm 0.36 A/W 
850nm
40 pA 
Vr=3.3V
1.73 pF 
Vr=3.3V
100 ps 
Vr=3.3V
449 ps 
Vr=3.3V
--- FCI-125G-016HRL Click to View Larger Image of (FCI-125G-016HRL)
 

カタログ

 

UV エンハンス フォトダイオード

200nmから1100nm
石英またはUV透過ウインドウ付き

 

反転層フォトダイオード

2種類のUV強化シリコン フォトダイオードがあります。反転チャンネルシリーズと平面拡散シリーズです。
電磁スペクトルのUV領域において、低ノイズ検出のためにデザインされました。
反転層構造UV強化フォトダイオードは100%内部量子効率、低密度光の計測に適しています。高シャント抵抗、低ノイズ、高絶縁破壊電圧を有します。5Vから10Vの逆バイアス電圧で、均一性と量子効率は改善されます。

平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードは低いキャパシタンスと高い応答時間で優位な点があります。
これらは高い応答時間まで光電流の直線性があります。


平面拡散構造(UV-Dシリーズ)UV強化フォトダイオードには2種類のUVDとUVEがあります。
低キャパシタンス、高速応答、ワイド ダイナミック レンジのために、バイアスをかけてもいいです。または、温度変化で低ドリフトの応用ではフォトボルテイック(バイアス無し)モードで動作させます。

カタログ

 

Inversion Layer, 金属パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-001 0.8 mm² 1.0 F mm 0.14 A/W 60 pF 500 MΩ 0.2 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-001)
UV-005 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.14 A/W 300 pF 200 MΩ 0.9 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-005)
UV-015 15 mm² 3.05 x 3.81 mm 0.14 A/W 800 pF 100 MΩ 2 µs 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-015)
UV-20 20 mm² 5.08 Φ mm 0.14 A/W 1000 pF 50 MΩ 2 µs 6 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-20)
UV-35 35 mm² 6.60 x 5.33 mm 0.14 A/W 1600 pF 30 MΩ 3 µs 6 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-35)
UV-50 50 mm² 7.87 F mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 11 / BNC Click to View Larger Image of (UV-50)
UV-50L‡ 50 mm² 7.87 F mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 10 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (UV-50L‡)
UV-100 100 mm² 11.28 Φ mm 0.14 A/W 4500 pF 10 MΩ 5.9 µs 11 / BNC Click to View Larger Image of (UV-100)
UV-100L 100 mm² 11.28 Φ mm 0.14 A/W 4500 pF 10 MΩ 5.9 µs 10 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (UV-100L)

Inversion Layer, プラスチック パッケージ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
FIL-UV005 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.14 A/W 300 pF 200 MΩ 0.9 µs 14 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-UV005)
UV-35P 35 mm² 6.60 x 5.33 mm 0.14 A/W 1600 pF --- 3 µs 25 / Plastic Click to View Larger Image of (UV-35P)
FIL-UV50 50 mm² 7.87 Φ mm 0.14 A/W 2500 pF 20 MΩ 3.5 µs 15 / Plastic Click to View Larger Image of (FIL-UV50)
‡ The 'I' suffix on the model number is indicative of the photodiode chip being isolated from the the package by an additional pin connected to the case. 
§ The photdiode chips in "FIL" series are isolated in a low profile plastic package. They have a large field of view as well as "in line" pins.


平面拡散 フォトダイオード


カタログ

応用: 汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴: 超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答

 

(New Product) UVDK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DK 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.33 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-005DK)
UV-013DK 13 mm² 3.6 sq 980 nm 0.33 A/W 150 pF 0.8 GΩ 0.5 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-013DK)
UV-035DK 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.33 A/W 380 pF 0.4 GΩ 1 µs 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-035DK)
UV-100DK 100 mm² 10 sq 980 nm 0.33 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 10 / BNC Click to View Larger Image of (UV-100DK)

(New Product) UVDQ, 金属パッケージ, 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DQ 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.12 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-005DQ)
UV-013DQ 13 mm² 3.6 sq 980 nm 0.12 A/W 150 pF 0.8 GΩ 0.5 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-013DQ)
UV-035DQ 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.12 A/W 380 pF 0.1 GΩ 1 µs 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-035DQ)
UV-100DQ 100 mm² 10 sq 980 nm 0.12 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 10 / BNC Click to View Larger Image of (UV-100DQ)

(New Product) UVDQC, セラミック パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Wavelength Responsivity @ 200nm Capacitance Shunt Resistance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005DQC 5.7 mm² 2.4 sq 980 nm 0.12 A/W 65 pF 1 GΩ 0.2 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-005DQC)
UV-035DQC 34 mm² 5.8 sq 980 nm 0.12 A/W 380 pF 0.4 GΩ 1 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-035DQC)
UV-100DQC 100 mm² 10 sq 980 nm 0.12 A/W 1100 pF 0.2 GΩ 3 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-100DQC)



¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window 
U) UV Transmitting Glass

 

平面拡散赤外抑制 フォトダイオード


カタログ


応用: 汚染モニタリング、医療機器、紫外線露出計、分光、浄水、蛍光/発光
特徴: 超高シャント抵抗、高速応答、高安定性、優れた紫外応答

 

(New Product) UVEQ, 金属パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @ 254nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EQ 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.12 A/W 20 GΩ 140 pF 0.5 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-005EQ)
UV-013EQ 13 mm² 3.6 sq 720 nm 0.12 A/W 10 GΩ 280 pF 1 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-013EQ)
UV-035EQ 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.12 A/W 5 GΩ 800 pF 2 µs 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-035EQ)
UV-100EQ 100 mm² 10 sq 720 nm 0.12 A/W 2 GΩ 2500 pF 7 µs 10 / BNC Click to View Larger Image of (UV-100EQ)

(New Product) UVEQC, セラミック パッケージ 石英ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity @254nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EQC 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.12 A/W --- 140 pF 0.5 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-005EQC)
UV-035EQC 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.12 A/W --- 800 pF 2 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-035EQC)
UV-100EQC 100 mm² 10 sq 720 nm 0.12 A/W --- 2500 pF 7 µs 4 / Ceramic Click to View Larger Image of (UV-100EQC)

(New Product) UVEK, 金属パッケージ, ほうけい酸ウインドウ

Model Number Active Area Active Area Dimension Peak Responsivity Responsivity @ 200 nm Shunt Resistance Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
UV-005EK 5.7 mm² 2.4 sq 720 nm 0.34 A/W 20 GΩ 140 pF 0.5 µs 2/ TO-5 Click to View Larger Image of (UV-005EK)
UV-013EK 13 mm² 3.6 sq 720 nm 0.34 A/W 10 GΩ 280 pF 1 µs 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (UV-013EK)
UV-035EK 34 mm² 5.8 sq 720 nm 0.34 A/W 5 GΩ 800 pF 2 µs 3 / TO-8 Click to View Larger Image of (UV-035EK)
UV-100EK 100 mm² 10 sq 720 nm 0.34 A/w 2 GΩ 2500 pF 7 µs 10 / BNC Click to View Larger Image of (UV-100EK)
¶) Sensitivity range: 320-1100 nm
Q) Indicates Quartz Window 
U) UV Transmitting Glass

 

X線及び放射線検出器

このシリコン フォトダイオードはシンチレーターやスクリーンを使用せずにX線領域で感度があります。
感度範囲 200nmから0.07nm (6eV から17.6keV)または17.6keV以上
取り外し可能なウインドウ、真空対応

 

ソフトX線、遠UV強化フォトダイオード


応用: 電子検出、医療機器、線量測定、放射線モニタリング、X線分光、荷電粒子検出
特徴: 直接検出、バイアス不要、高量子効率、低ノイズ、高真空/極低温対応、波長範囲0.070nmから1100nm

カタログ

 

金属

Model Number Active Area Active Area Dimensions Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
XUV-005 5 mm² 2.57 Φ mm 2000 MΩ 0.3 nF 2.9 e -15 W/√Hz 22 / TO-5 Click to View Larger Image of (XUV-005)
XUV-020 20 mm² 5.00 Φ mm 500 MΩ 1.2 nF 5.8 e - 15 W/√Hz 23 / TO-8 Click to View Larger Image of (XUV-020)
XUV-035 35 mm² 6.78 x 5.59 mm 300 MΩ 2 nF 7.4 e - 15 W/√Hz 23 / TO-8 Click to View Larger Image of (XUV-035)
XUV-100 100 mm² 11.33 Φ mm 100 MΩ 6 nF 1.3 e - 14 W/√Hz 28 / BNC Click to View Larger Image of (XUV-100)

セラミック

Model Number Active Area Active Area Dimensions Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
XUV-50C 50 mm² 8.02 Φ mm 200 MΩ 2 nF 9.1 e - 15 W/√Hz 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (XUV-50C)
XUV-100C 100 mm² 10.00 mm² 100 MΩ 6 nF 1.3 e - 14 W/√Hz 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (XUV-100C)
All XUV devices are supplied with removable windows.

 


 

完全に空乏化したフォトダイオード

ハイ ブレイクダウン、ラージエリア完全空乏シリコン フォトダイオード
高エネルギーX線、X線と高エネルギー粒子、電子、アルファ線、重イオンの計測
間接、直接測定

応用:レーザー応用、制御装置、電子検出、高エネルギー物理、医療機器
特徴:ラージ アクティブ エリア、完全な空乏、高速応答、超低暗電流、低キャパシタンス、高耐電圧、シンチレーターマウント可

 

超低ノイズ大口径シリコン(Si) フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance NEP Package Click Image to Zoom
OSD35-LR-A 34.2 mm²  5.8 x 5.9 mm 830 nm 0.54 A/W at 900nm 3 GΩ 1300 pF 5.6 e-15 W/√Hz 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (OSD35-LR-A)
OSD35-LR-D 34.2 mm²  5.8 x 5.9 mm 830 nm 0.54 A/W at 900nm 0.3 GΩ 1300 pF 1.8 e-14 W/√Hz 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (OSD35-LR-D)

大口径 高速

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Depletion Voltage Dark Current Capacitance Rise Time NEP Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-RD07 7.1 mm² 3.00 Φ mm 900 nm 0.55 A/W at 900nm 48 V 0.2 nA 8.0 pF 1.5 ns 1.2 e-14 W/√Hz --- 26/TO-8 No image found for (PIN-RD07)
PIN-RD15 14.9 mm² 4.35 Φ mm 900 nm 0.58 A/W at 900nm 55 V 1.0 nA 14 pF 3.0 ns 2.5 e-14 W/√Hz 140 V 26 / TO-8 No image found for (PIN-RD15)
PIN-RD100 100 mm² 10 Sq mm 950 nm 0.60 A/W at 900nm 75 V 2 nA 50 pF 40 ns 3.2 e-14 W/√Hz --- 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (PIN-RD100)
PIN-RD100A 100 mm² 10 Sq mm 950 nm 0.60 A/W at 900nm 35 V 2 nA 40 pF 6 ns 3.4 e-14 W/√Hz --- 25 / Ceramic Click to View Larger Image of (PIN-RD100A)
Optically clear epoxy is used instead of glass window

カタログ

 

マルチ チャンネル X線ディテクター


16素子アレイ:独立した素子はPCB上にグループ化してマウントされています。
X線またはガンマ線応用

応用: ポジション センサー、マルチチャンネル ガンマ カウンティング、X線セキュリティー装置
特徴: シンチレーター プラットフォーム、5V バイアス、チャンネル スペース

 

フォトコンダクティブ アレイ

Model Number Number of Elements Pitch Active Area Active Area Dimensions Responsivity Terminal Capacitance Rise TIme Reverse Bias Package Click Image to Zoom
A2C-16-1.57 16 1.57 mm 2.35 mm²  2.00 x 1.18 mm 0.59 A/W 28 pF 0.1 µs 5 V A200C Click to View Larger Image of (A2C-16-1.57)
 

カタログ

フォトダイオード アレイ


応用: レベル メーター、分光、ポジション センサー、コンピューター トモグラフィー(断層撮影)スキャナー、、医療機器、高速測光
特徴: 共通基板アレイ、超低クロストーク、UV強化(A5V-35UV)、低暗電流、低キャパシタンス、はんだ付け可

 

フォトコンダクティブ アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Dark Current Capacitance Open Circuit Voltage Package Click Image to Zoom
A5C-35 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.65 A/W --- 0.05 nA 12 pF (-10V) --- 54 / 40 PIN DIP Click to View Larger Image of (A5C-35)
A5C-38 38 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.65 A/W --- 0.05 nA 12 pF (-10V) --- 54 / 40 PIN DIP Click to View Larger Image of (A5C-38)

フォトボルテイック アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
A2V-16 16 1.92 mm² 1.57 x 1.22 mm 1.59 mm 0.60 A/W --- 170 pF (0V) 53 / PCB Click to View Larger Image of (A2V-16)
A5V-35 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.60 A/W --- 340 pF (0V) 54 / 40 PIN DIP Click to View Larger Image of (A5V-35)
A5V-38 38 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.60 A/W --- 340 pF (0V) 54 / 40 PIN DIP Click to View Larger Image of (A5V-38)
A2V-76 76 1.8 mm² 6.45 x 0.28 mm 0.31 mm 0.50 A/W --- 160 pF (0V) 52 / Ceramic Click to View Larger Image of (A2V-76)

UV エンハンス アレイ

Model Number Number of Elements Active Area per Element Element Size Pitch Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
A5V-35UV 35 3.9 mm² 4.39 x 0.89 mm 0.99 mm 0.06 A/W (254nm) 500 MΩ 340 pF 54 / 40 PIN DIP Click to View Larger Image of (A5V-35UV)
The chips are equipped with 2" long bare tinned leads soldered to all anodes and the common cathode.


カタログ
 

 

2色(二重)サンドイッチ ディテクター

応用: 火炎温度センシング、分光光度計、デュアル波長検出、赤外温度計(熱処理、誘導加熱、金属部品加工)
特徴: コンパクト、密閉シール、低ノイズ、ワイド波長範囲、リモート測定、w/TEC

 

冷却なし

Model Number Detector Element Active Area Spectral Range Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise TIme Dat Peak Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-DSIn Si (top) 2.54 mm²  400 - 1100 nm 950 nm 0.55 A/W at 870nm 150 MΩ 450 pF 4 µs 1.2 e -+13 cm√Hz/W (870nm) 5 V 17 / TO-5 No image found for (PIN-DSIn)
PIN-DSIn InGaAs 1.50 mm²  1000 - 1800 nm 1300 nm 0.6 A/W 1 MΩ 300 pF 4 µs 8.4 e +11 cm√Hz/W 2 V 17 / TO-5 No image found for (PIN-DSIn)
PIN-DSS Si (top) 2.54 mm²  400 - 1100 nm 950 nm 0.45 A/W 500 MΩ 70 pF 10 µs 1.7 e +13 cm√Hz/W 5 V 17 / TO-5 No image found for (PIN-DSS)
PIN-DSS Si  2.54 mm²  950 1100 nm 1060 nm 0.12 A/W 500 MΩ 70 pF 150 µs 4.7 e +12 cm√Hz/W 5 V 17 / TO-5 No image found for (PIN-DSS)

2ステージ サーモエレクトリック(TE)冷却

Model Number Detector Element Active Area Spectral Range Peak Wavelength Responsivity Shunt Resistance Capacitance Rise Time Dat Peak Reverse Voltage Package Click Image to Zoom
PIN-DSIN-TEC Si (top) 2.54 mm² --- 950 nm 0.55 A/W at 870nm --- 450 pF 4 µs 1.2 e +13 cm√Hz/W (870nm) --- 24 / TO-8 No image found for (PIN-DSIN-TEC)
PIN-DSIN-TEC InGaAs 1.50 mm²  1000 - 1800 nm 1300 nm 0.6 A/W 1 MΩ 300 pF 4 µs 8.4 e +11 cm√Hz/W 2 V 24 / TO-8 No image found for (PIN-DSIN-TEC)
§ @ 870 nm 
‡ Thermo-Electric Cooler and Thermistor Specifications are specified in the tables below.


カタログ

 

Nd:YAG 最適化 フォトダイオード 



Nd:YAGレーザー 1064 nm 高速、低ノイズ
応用: Nd:YAGレーザー ポインティング、レーザーポインティングとポジショニング、位置測定、表面プロファイニング、ガイダンス システム
特徴: Nd:YAG感度、高ブレイクダウン電圧、ラージ アクティブ エリア、高速、高精度

 

単素子 フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
PIN-5-YAG 5.1 mm² 2.54 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 5 pF 10 ns 200 V 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-5-YAG)
PIN-100-YAG 100 mm² 11.28 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 25 pF 30 ns 200 V 20 / Metal Click to View Larger Image of (PIN-100-YAG)

クオードラント フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Capacitance Rise Time Reverse Bias Package Click Image to Zoom
SPOT-9-YAG 19.6 mm² 10 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 8 pF 18 ns 200 V 20 / Metal Click to View Larger Image of (SPOT-9-YAG)
SPOT-11-YAG-FL 26 mm² 11.5 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 30 pF 15 ns 200 V 20 / Metal Click to View Larger Image of (SPOT-11-YAG-FL)
SPOT-13-YAG-FL 38.5 mm² 13.1 Φ mm 1000 nm 0.40 A/W 15 pF 15 ns 300 V 29 / Metal Click to View Larger Image of (SPOT-13-YAG-FL)
SPOT-15-YAG 38.5 mm² 14.0 Φ mm 1000 nm 0.60 A/W 15 pF 36 ns 300 V 20 / Metal Click to View Larger Image of (SPOT-15-YAG)
 


カタログ

 

アバランシェ ダイオード (APD)


ウルトラ ハイ ゲイン シリコン フォトダイオード
応用: 高速光通信、レーザー レンジファインダー、バーコード リーダー、光リモート コントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答/QE、帯域幅/高速応答、低ノイズ、低バイアス電圧、密封TO-パッケージ

 

シリコン(Si) アバランシェ フォトダイオード (APD)

Model Number Active Area Active Area Dimensions Peak Wavelength Responsivity Dark Current (Max) Terminal Capacitance Breakdown Voltage Typ. (100µA) Temperature Coefficient of Breakdown Voltage Gain (800 nm) Package Click Image to Zoom
APD02-8-150-T52 .03 mm² 0.2 Φ mm 800 nm 50 A/W 1 nA 1.5 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L No image found for (APD02-8-150-T52)
APD05-8-150-T52 .19 mm² .5 Φ mm 800 nm 50 A/W 1 nA 3 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L No image found for (APD05-8-150-T52)
APD10-8-150-T52 .78 mm² 1 Φ mm 800 nm 50 A/W 2 nA 6 pF 150 V .45 V/℃ 100 65 / TO-52 or 66 / TO-52L No image found for (APD10-8-150-T52)
APD15-8-150-TO5 1.77 mm² 1.5 Φ mm 800 nm 50 A/W 5 nA 10 pF 150 V .45 V/℃ 100 67 / TO-5 No image found for (APD15-8-150-TO5)
APD30-8-150-TO5 7 mm² 3 Φ mm 800 nm 30 A/W 10 nA 40 pF 150 V .45 V/℃ 60 67 / TO-5 No image found for (APD30-8-150-TO5)
APD50-8-150-TO8 19.6 mm² 5 Φ mm 800 nm 20 A/W 30 nA 105 pF 150 V .45 V/℃ 40 3 / TO-8 No image found for (APD50-8-150-TO8)
* 'L' Suffix refers to devices with ball lens cap
 


カタログ




 

フォトダイオード アンプ ハイブリッド


PhotopTM シリーズ


フォトダイオード アンプ ハイブリッド (動作アンプ内蔵検出器)
応用: 多目的光検出、レーザーパワー モニタリング、医学分析、公害監視、ガイダンス装置、比色計
特徴: アンプ内蔵検出器、可変ゲイン/バンド幅、低ノイズ、DIPパッケージ

 

波長範囲 350 - 1100 nm 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Dark Current Capacitance Max Reverse Bias Input Bias Current Package Click Image to Zoom
UDT-451 5.1 mm²  2.54 Φ mm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 30 V ** 30 pA 29 / DIP Click to View Larger Image of (UDT-451)
UDT-455 5.1 mm²  2.54 F mm 0.65 A/W 0.25 nA 15 pF 30 V ** ±80 pA 30 / TO-5 No image found for (UDT-455)
OSI-515 5.1 mm² 2.54 Φ mm 0.65 A/W 0.25 nA 60 pF 30 V ** ±80 pA 30 / TO-5 No image found for (OSI-515)
UDT-020D 16 mm²  4.57 Φ mm 0.65 A/W 0.5 nA 60 pF 30 V ** ±80 pA 31 / TO-8 No image found for (UDT-020D)
UDT-555D 100 mm²  11.3 Φ mm 0.65 A/W 2 nA 300 pF 30 V ** ±40 pA 32 / Special No image found for (UDT-555D)

波長範囲 200 - 1100 nm 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Max Reverse Bias Package Click Image to Zoom
UDT-455UV 5.1 mm²  2.54 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 30 / TO-5 No image found for (UDT-455UV)
UDT-020UV 16 mm²  4.57 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 31 / TO-8 No image found for (UDT-020UV)
UDT-055UV 50 mm²  7.98 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special No image found for (UDT-055UV)
UDT-555UV 100 mm²  11.3 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special No image found for (UDT-555UV)
UDT-555UV / LN** 100 mm²  11.3 Φ mm 0.14 A/W 5 V ** 32 / Special No image found for (UDT-555UV / LN**)
** LN - Series Devices are to be used with a 0V Bias. 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment.

カタログ


1.25Gbps フォトダイオード アンプ ハイブリッド


シリコン フォトディテクター/トランスインピーダンス アンプ
応用: 高速光通信、ギガビット イーサネット、ファイバー チャンネル
特徴: シリコン フォトディテクター/低ノイズ トランスインピーダンス アンプ

 

電気-光学特性

Model Number Active Area Diameter Supply Voltage Supply Current Operating Wavelength Responsivity Transimpedence Sensitivity Bandwidth Differential Output Output Impedence Package Click Image to Zoom
FCI-H125G-010 250 µm +3 to +5.5 V 38 mA 850 nm 3000 V/W 
-19dBm; Differential
8300 Ω 
-19dBm; Differential
-23 dBm 
BER 10-10; PRBS27-1
1000 MHz 
-3dBm; Small Signal
200 mVp-p 50 Ω TO-18 No image found for (FCI-H125G-010)
FCI-H125G-010L 250 µm +3 to +5.5 V 38 mA 850 nm 3000 V/W -19dBm; Differential 8300 Ω -19dBm; Differential -23 dBm BER 10-10; PRBS27-1 1000 MHz -3dBm; Small Signal 200 mVp-p 50 Ω TO-18 No image found for (FCI-H125G-010L)
 

 

電気-光学特性 

Model Number Optical Overload (min) Storage Temp Operating Temp SupplyVoltage2 Input Optical Power Package Click Image to Zoom
FCI-H125G-010 -3 dBm -55 to 125 °C -40 to +75 °C --- to +6 V --- to +5 dBm TO-18 No image found for (FCI-H125G-010)
FCI-H125G-010L -3 dBm -55 to 125 °C -40 to +75 °C --- to +6 V --- to +5 dBm TO-18 No image found for (FCI-H125G-010L)


カタログ
 

BPX65-100 光ファイバー レシーバー


BPX65-100レシーバーはBPX65ウルトラ ハイスピード ダイオードとNE5212(Signetics)トランスインピーダンス アンプが組み込まれています。スタンダード端子はSTとSMAです。

応用: 100Mbps 光通信、ファイバー パッチコードのカップリング、シリコン ベース 光レシーバー
特徴: バンド幅 140MHz、14kΩ差動トランスレジスタンス、スペクトル範囲400nmから1000nm、2.5pA トランスインピーダンス √Hz

電気-光学特性

Model Number Fiber Connector Power Supply Detector Responsivity Amplifier Gain Max Data Rate Package Click Image to Zoom
BPX65-100 --- 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100 No image found for (BPX65-100)
BPX65-100ST ST 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100ST No image found for (BPX65-100ST)
BPX65-100SMA SMA 5 V 0.5 A/W 14 KΩ 100 Mbps max BPX65-100SMA No image found for (BPX65-100SMA)

 

カタログ

 

フォトダイオード フィルター アセンブリー (フィルター付き検出器)

 

ディテクター フィルター コンビネーション シリーズ



応用: 分析化学、分光光度計、濃度計、フォトメトリー/ラジオメトリー(測光/放射測定)、医療機器、液体クロマトグラフィー
特徴: CIE (APシリーズ)、フラット バンド応答(DF)、254ナローバンドパス、アンプ付きハイブリッド、BNCパッケージ

 

検出器-フィルター コンビネーション シリーズ 

Model Number Active Area Active Area Dimensions Spectral Match Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
PIN-005D-254F 5.7 mm²  2.4 mm² --- 0.025 A/W at 254nm 300 MΩ 100 pF 18 / TO-5 No image found for (PIN-005D-254F)
PIN-005E-550F 5.7 mm²  2.4 mm² --- 0.23 A/W at 550 nm 500 MΩ 200 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-005E-550F)
PIN-10AP 100 mm² 11.28 Φ mm 4% *** 0.27 A/W at 550 nm --- 1500 pF 13 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10AP)
PIN-10DF 100 mm²  11.28 Φ mm ± 7% 0.15 A/W at 550 nm 20 MΩ 1500 pF 13 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10DF)
PIN-555AP 100 mm² 11.28 Φ mm 8%*** 0.27 A/W at 550 nm --- 1500 pF 33 / Special Click to View Larger Image of (PIN-555AP)

OSD-E シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
OSD15-E 15 mm²  3.8 x 3.8 mm 33 nA /Lux 80 MΩ 390 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD15-E)
OSD1-E 1 mm²  1.0 x 1.0 mm 2.2 nA /Lux 1000 MΩ 35 pF 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD1-E)
OSD3-E 3 mm²  2.5 x 1.2 mm 6.6 nA /Lux 700 MΩ 80 pF 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD3-E)
OSD5-E 5 mm²  2.5 dia. mm 11 nA /Lux 600 MΩ 130 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD5-E)
OSD60-E 100 mm²  11.3 dia. mm 56 nA /Lux 10 MΩ 2500 pF 72 / TO-8 No image found for (OSD60-E)
* ?=254nm 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. 

*** Area within CIE curve 


カタログ

 

ヒューマン アイ レスポンス ディテクター

特徴: フォトメトリー(測光)、ラジオメトリー(放射測定)、医療機器、分析化学
特徴: ヒューマン アイ レスポンス、TO- パッケージ

 

検出器-フィルター コンビネーション シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Spectral Match Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
PIN-005D-254F 5.7 mm²  2.4 mm² --- 0.025 A/W at 254nm 300 MΩ 100 pF 18 / TO-5 No image found for (PIN-005D-254F)
PIN-005E-550F 5.7 mm²  2.4 mm² --- 0.23 A/W at 550 nm 500 MΩ 200 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (PIN-005E-550F)
PIN-10AP 100 mm² 11.28 Φ mm 4% *** 0.27 A/W at 550 nm --- 1500 pF 13 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10AP)
PIN-10DF 100 mm²  11.28 Φ mm ± 7% 0.15 A/W at 550 nm 20 MΩ 1500 pF 13 / BNC Click to View Larger Image of (PIN-10DF)
PIN-555AP 100 mm² 11.28 Φ mm 8%*** 0.27 A/W at 550 nm --- 1500 pF 33 / Special Click to View Larger Image of (PIN-555AP)

OSD-E シリーズ

Model Number Active Area Active Area Dimensions Responsivity Shunt Resistance Capacitance Package Click Image to Zoom
OSD15-E 15 mm²  3.8 x 3.8 mm 33 nA /Lux 80 MΩ 390 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD15-E)
OSD1-E 1 mm²  1.0 x 1.0 mm 2.2 nA /Lux 1000 MΩ 35 pF 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD1-E)
OSD3-E 3 mm²  2.5 x 1.2 mm 6.6 nA /Lux 700 MΩ 80 pF 7 / TO-18 Click to View Larger Image of (OSD3-E)
OSD5-E 5 mm²  2.5 dia. mm 11 nA /Lux 600 MΩ 130 pF 5 / TO-5 Click to View Larger Image of (OSD5-E)
OSD60-E 100 mm²  11.3 dia. mm 56 nA /Lux 10 MΩ 2500 pF 72 / TO-8 No image found for (OSD60-E)
* ?=254nm 
* Non-Condensing temperature and Storage Range, Non-Condensing Environment. 
*** Area within CIE curve

カタログ


半田付け可能なチップ フォトダイオード


半田付け可能なフォトコンダクティブ チップ


応用: ソーラーセル(太陽電池)、低価格光モニタリング、ダイオード レーザー モニタリング、低キャパシタンス
特徴: ラージ アクティブ エリア、豊富なサイズ、高いシャント抵抗、リード線無し/付き

 

フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Click Image to Zoom
S-4CL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 20 nA 15 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-4CL)
S-10CL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 40 nA 30 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-10CL)
S-25CL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-25CL)
S-25CRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-25CRL)
S-50CL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 300 nA 200 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-50CL)
S-80CL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 500 nA 300 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-80CL)
S-100CL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 600 nA 375 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-100CL)
S-120CL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 800 nA 450 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-120CL)
S-200CL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 1200 nA 750 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-200CL)

フォトボルテイック, VBIAS = 0V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Capacitance Click Image to Zoom
S-4VL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 370 pF @0V Click to View Larger Image of (S-4VL)
S-10VL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 750 pF @0V Click to View Larger Image of (S-10VL)
S-25VL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V Click to View Larger Image of (S-25VL)
S-25VRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V Click to View Larger Image of (S-25VRL)
S-50VL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 4000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-50VL)
S-80VL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 6000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-80VL)
S-100VL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 8500 pF @0V Click to View Larger Image of (S-100VL)
S-120VL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 10000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-120VL)
S-200VL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 17000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-200VL)
§ All of the above bare chips are provided with two 3" long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). 

They are also available without leads. For Ordering subtract suffix 'L' from the model number, i.e. S-100C.
 

カタログ

 

半田付け可能なフォトボルテイック(光起電力) チップ




フォトコンダクティブ, VBIAS = -5V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Dark Current Capacitance Click Image to Zoom
S-4CL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 20 nA 15 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-4CL)
S-10CL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 40 nA 30 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-10CL)
S-25CL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-25CL)
S-25CRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 100 nA 95 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-25CRL)
S-50CL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 300 nA 200 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-50CL)
S-80CL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 500 nA 300 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-80CL)
S-100CL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 600 nA 375 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-100CL)
S-120CL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 800 nA 450 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-120CL)
S-200CL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 1200 nA 750 pF @-5V Click to View Larger Image of (S-200CL)

フォトボルテイック VBIAS = 0V

Model Number Active Area Active Area Dimensions Chip Size Peak Wavelength Responsivity Capacitance Click Image to Zoom
S-4VL 4.7 mm² 
(0.007 in²)
1.7 x 2.8 mm 
(0.07 x 0.11 in)
1.9 x 4.1 mm 
(0.08 x 0.16 in)
970 nm 0.65 A/W 370 pF @0V Click to View Larger Image of (S-4VL)
S-10VL 9.6 mm² 
(0.015 in²)
2.3 x 4.2 mm 
(0.09 x 0.17 in)
2.5 x 5.1 mm 
(0.10 x 0.20 in)
970 nm 0.65 A/W 750 pF @0V Click to View Larger Image of (S-10VL)
S-25VL 25.8 mm² 
(0.04 in²)
5.1 x 5.1 mm 
(0.20 x 0.20 in)
5.5 x 6.0 mm 
(0.22 x 0.24 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V Click to View Larger Image of (S-25VL)
S-25VRL 25.4 mm² 
(0.039 in²)
2.5 x 10.1 mm 
(0.10 x 0.40 in)
3.4 x 10.5 mm 
(0.13 x 0.41 in)
970 nm 0.65 A/W 2100 pF @0V Click to View Larger Image of (S-25VRL)
S-50VL 51.0 mm² 
(0.079 in²)
2.5 x 20.3 mm 
(0.10 x 0.80 in)
3.4 x 20.6 mm 
(0.13 x 0.81 in)
970 nm 0.65 A/W 4000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-50VL)
S-80VL 82.6 mm² 
(0.128 in²)
4.1 x 20.1 mm 
(0.16 x 0.79 in)
5.2 x 20.4 mm 
(0.21 x 0.80 in)
970 nm 0.65 A/W 6000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-80VL)
S-100VL 93.4 mm² 
(0.145 in²)
9.7 x 9.7 mm 
(0.38 x 0.38 in)
10.5 x 11.00 mm 
(0.42 x 0.43 in)
970 nm 0.65 A/W 8500 pF @0V Click to View Larger Image of (S-100VL)
S-120VL 105.7 mm² 
(0.164 in²)
4.5 x 23.5 mm 
(0.18 x 0.93 in)
5.5 x 23.9 mm 
(0.22 x 0.94 in)
970 nm 0.65 A/W 10000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-120VL)
S-200VL 189.0 mm² 
(0.293 in²)
9.2 x 20.7 mm 
(0.36 x 0.81 in)
10.2 x 21.0 mm 
(0.40 x 0.83 in)
970 nm 0.65 A/W 17000 pF @0V Click to View Larger Image of (S-200VL)
§ All of the above bare chips are provided with two 3" long 29-30 AWG insulated color coded leads attached to the front for anode (RED) and to the back for cathode (BLACK). 
They are also available without leads. For Ordering subtract suffix 'L' from the model number, i.e. S-100C.

カタログ



ポジション センシング ディテクター 

 

セグメント フォトダイオード

2分割と4分割 フォトダイオード

特徴: パルス検出、光通信、バーコード リーダー、光リモート コントロール、医療機器、高速測光
特徴: 高速応答、低キャパシタンス、低暗電流、ワイド ダイナミック レンジ

 

デュアル セル フォトダイオード Dual Cell Photodiodes

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Shunt Resistance Dark Current Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
CD-25T 2.3 mm² 4.6 x 0.5 mm 0.2 mm 0.65 A/W --- 20 nA @-15V 50 pF @-15V 300 ns @-15V 2 / TO-5 Click to View Larger Image of (CD-25T)
SPOT-2DMI 0.7 mm² 0.6 x 1.2 mm 0.013 mm 0.65 A/W --- 0.05 nA 3 pF 11 ns 40 / TO-18 Click to View Larger Image of (SPOT-2DMI)
SPOT-2D 3.3 mm² 1.3 x 2.5 mm 0.127 mm 0.65 A/W --- 0.15 nA 11 pF 22 ns 41 / TO-5 Click to View Larger Image of (SPOT-2D)
SPOT-3D 2.8 mm² 0.6 x 4.6 mm 0.025 mm 0.65 A/W --- 0.13 nA 7 pF 25 ns 41 / TO-5 Click to View Larger Image of (SPOT-3D)

Quadrant フォトダイオード

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Dark Current Capacitance Rise Time Package Click Image to Zoom
SPOT-4D 1.61 mm² 1.3 mm² 0.127 mm 0.65 A/W 1 nA 5 pF 22 ns 41 / TO-5 Click to View Larger Image of (SPOT-4D)
SPOT-4DMI 0.25 mm² 0.5 mm² 0.013 mm 0.65 A/W 0.01 nA 1 pF 9 ns 41 / TO-5 Click to View Larger Image of (SPOT-4DMI)
SPOT-9D 19.6 mm² 10 Φ mm ‡ 0.102 mm 0.65 A/W .5 nA 60 pF 28 ns 43 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (SPOT-9D)
SPOT-9DMI 19.6 mm² 10 Φ mm ‡ 0.01 mm 0.65 A/W 10 nA 60 pF 28 ns 43 / Lo-Prof Click to View Larger Image of (SPOT-9DMI)
‡ Overall Diameter (All four Quads). 
Chip centering within ± 0.010".

カタログ
 

 

和と差 アンプ モジュール

ポジション センシング モジュール

応用: 位置測定、ビーム センタリング、ガイダンス システム
特徴: 10μm ギャップ可能 QD50-SD モジュール、QD7-XX またはQD50-XX のリクエストを承ります。

 

ポジション センシング モジュール Position Sensing Modules

Model Number Active Area Active Area Dimensions Element Gap Responsivity Capacitance Dark Current NEP Reverse Voltage Rise Time Package Click Image to Zoom
QD7-0 7 mm²  3.0 Φ mm ‡ 0.2 mm 0.54 A/W 20 pF 4 nA 9.0 e-14 30 V 10 ns 41 / TO-5 No image found for (QD7-0)
QD50-0 50 mm²  8.0 Φ mm ‡ 0.2 mm 0.54 A/W 125 pF 15 nA 1.3 e-13 30 V 10 ns 73 / TO-8 No image found for (QD50-0)
 

ポジション センシング モジュール Position Sensing Modules

Model Number Operating Temp Storage Temp Package Click Image to Zoom
QD7-0 -40 ~ +100 -55 ~ +125 41 / TO-5 No image found for (QD7-0)
QD50-0 -40 ~ +100 -55 ~ +125 73 / TO-8 No image found for (QD50-0)

カタログ


 

Duo Latral PSDs スーパー リニア ポジション センサー

Duo-Lateral, スーパー リニア PSDs
ポジション センシング ディテクター (PSD)
応用: ビーム アライメント、ポジション センシング、角度測定、表面プロファイル、高さ測定、ターゲット、ガイダンス システム、モーション分析
特徴: スーパーリニア、超高精度、ワイド ダイナミック レンジ、高信頼、デュオ ラテラル構造

 

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Metal Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
SL3-1 3 mm²  3 x 1 mm 3 µm 0.4 A/W 0.06 µm / °C  5 nA 3 pF 15 kΩ 80 kΩ 41 / TO-5 Click to View Larger Image of (SL3-1)
SL5-1 5 mm²  5 x 1 mm 5 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  10 nA 5 pF 20 kΩ 100 kΩ 42 / TO-8 Click to View Larger Image of (SL5-1)

One-Dimensional Photodiodes (Vbias=-15V): Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
SL3-2 3 mm²  3 x 1 mm 3 µm 0.4 A/W 0.06 µm / °C 5 nA 3 pF 15 kΩ 80 kΩ 48 / 8-PIN DIP Click to View Larger Image of (SL3-2)
SL5-2 5 mm²  5 x 1 mm 5 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  10 nA 5 pF 20 kΩ 100 kΩ 48 / 8-PIN DIP Click to View Larger Image of (SL5-2)
SL15 15 mm²  15 x 1 mm 15 µm 0.4 A/W 0.1 µm / °C  150 nA 15 pF 60 kΩ 300 kΩ 49 / 25-PIN DIP Click to View Larger Image of (SL15)
SL30 120 mm²  30 x 4 mm 30 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  150 nA 125 pF 40 kΩ 80 kΩ 51 / Ceramic Click to View Larger Image of (SL30)
SL76-1 190 mm²  76 x 2.5 mm 76 µm 0.4 A/W 1.4 µm / °C  100 nA 190 pF 120 kΩ 600 kΩ 50 / Special Click to View Larger Image of (SL76-1)

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Metal Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DL-10 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  500 nA 175 pF 5 kΩ 25 kΩ 34 / Special Click to View Larger Image of (DL-10)
DL-2 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.2 µm / °C  30 nA 10 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8 Click to View Larger Image of (DL-2)
DL-20 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1 µm / °C  2000 nA 600 pF 5 kΩ 25 kΩ 35 / Special Click to View Larger Image of (DL-20)
DL-4 16 mm²  4 mm² 50 µm 0.4 A/W 0.25 µm / °C  50 nA 35 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8 Click to View Larger Image of (DL-4)
DLS-2 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.4 µm / °C  10 nA 8 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8 Click to View Larger Image of (DLS-2)
DLS-2S 4 mm²  2 mm² 30 µm 0.4 A/W 0.4 µm / °C  10 nA 8 pF 5 kΩ 25 kΩ 75 / TO-25 Click to View Larger Image of (DLS-2S)
DLS-4 16 mm²  4 mm² 50 µm 0.4 A/W 0.3 µm / °C  25 nA 30 pF 5 kΩ 25 kΩ 37 / TO-8 Click to View Larger Image of (DLS-4)

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DLS-10 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.7 µm / °C  50 nA 160 pF 5 kΩ 25 kΩ 36 / Ceramic Click to View Larger Image of (DLS-10)
DLS-20 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1.2 µm / °C  100 nA 580 pF 5 kΩ 25 kΩ 36 / Ceramic Click to View Larger Image of (DLS-20)

Two-Dimensional Photodiodes ß (Vbias=-5V): Low Cost Ceramic Package

Model Number Active Area Active Area Dimensions Position Detector Error Responsivity Position Detection Drift Dark Current Capacitance Inter-Electrode Resistance Min Inter-Electrode Resistance Max Package Click Image to Zoom
DL-10C 100 mm²  10 mm² 100 µm 0.4 A/W 0.6 µm / °C  500 nA 175 pF 5 kΩ 25 kΩ 38 / Ceramic Click to View Larger Image of (DL-10C)
DL-20C 400 mm²  20 mm² 200 µm 0.4 A/W 1 µm / °C  2000 nA 600 pF 5 kΩ 25 kΩ 39 / Ceramic Click to View Larger Image of (DL-20C)
§ The DLS Series are packaged with A/R coated windows and have a lower dark current than the DL Series. 
‡ Also available in the same package as DL-10. Specify DL-10-1.


カタログ

 

Tetra Lateral PSDs  テトラ ラテラル ポジション センシング ディテクター


応用: ツール アライメントとコントロール、レベリング測定、角度測定、3Dビジョン、位置測定
応用: シングル抵抗層、高速応答、高ダイナミック レンジ、高分解能、スポット サイズと形


 










 


 

波長405nmから1653nm。シングルモード ファイバーから良質のビームクオリティーの高出力レーザーを得ることができます。高安定、狭帯域、出力可変、2 MHzまでの変調が外部端子からできます。

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