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HOME > 赤外検出器 PV フォトボルテイック HgCdTe Vigo system

赤外検出器 PV フォトボルテイック HgCdTe Vigo system

   VIGO SYSTEM S.A.
  ヴィゴ システム
  HgCdTe赤外検出器

PV シリーズ HgCdTe フォトボルテイック 赤外検出器

カタログ ダウンロード


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PV シリーズ 3 - 8μm フォトボルテイック(光起電力型)HgCdTe 赤外検出器 室温動作


  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PVデータシート
·   TO39技術的図面
·   BNC 技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、IRフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 このシリーズは、使い方が簡単で冷却やヒートシンクは必要ありません。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。スタンダードの
HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
TO39またはBNCパッケージで提供します。他のウィンドウ、他のパッケージおよびコネクターは、ご要望に応じて提供可能です。
 
【特徴】Vigo system PVシリーズ HgCdTe赤外検出器
周囲環境温度(室温)動作
バイアス不要
・短い時定数
・ フリッカ雑音なし
・DC~VHF動作
・高速電子機器に完全にマッチ
・広いダイナミック・レンジ
・低価格
・要求に応じてカスタム設計

【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6

PV-8

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥8.0×109
≥6.5×109

 

≥7.0×109
≥5.0×109

 

≥5.0×109
≥3.0×109

 

≥2.0×109
≥1.0×109

 

≥1.0×109
≥5.0×108

 

≥8.0×107
≥4.0×107

Current Responsivity @ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1

≥1

≥0.3

Time Constant

τ

ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤80

≤4

Time Constant**)

τ

ns

 ≤3

 ≤2

 ≤1

 ≤0.7

 ≤0.7

 ≤0.7

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002

≥0.0001

Operating Temperature

T

K

~300

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

>90, 0.71

*)データシートは各検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。

【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-6

O

X

   X**)

O

 

O

 

 

 

 

PV-8

X

   X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV カタログ ダウンロード

TO39 図面 ダウンロード


BNC 図面 ダウンロード

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PV-2TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力)TE冷却 HgCdTe赤外検出器


  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-2TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-2TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、2ステージのTEを備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、
カスタムでもご要望を承ります。HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-2TE シリーズ HgCdTe赤外検出器
スペクトル域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納品
要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-2TE-3

PV-2TE-3.4

PV-2TE-4

PV-2TE-5

PV-2TE-6

PV-2TE-8

PV-2TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥1.0×1011
≥7.0×1010

 

≥6.0×1010
≥4.0×1010

 

≥4.0×1010
≥3.0×1010

 

≥1.5×1010
≥9.0×109

 

≥5.0×109
≥2.0×109

 

≥4.0×108
≥2.0×108

 

≥2.0×108
≥1.0×108

Current Responsivity @ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥0.8

≥0.4

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥150

≥3

≥2

≥0.1

≥0.02

≥0.0002

≥0.0001

Operating Temperature

T

K

~230

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87


*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-2TE-3

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-4

O

X

X

O

 

O

O

O

 

 

PV-2TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-2TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-2TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-2TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

 PV-2TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




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PV-3TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力) TE冷却 HgCdTe赤外検出器


3ステージ冷却

  

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-3TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-3TE-λopt  HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、3ステージのTE冷却を備えた光起電力型赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。

HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PV-3TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
・スペクトル域2~12μmで高性能
・高速応答
・フリッカ雑音なし
・取扱い容易
・広いダイナミック・レンジ
・コンパクトで頑丈、高い信頼性
・低価格
・要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-3TE-3

PV-3TE-3.4

PV-3TE-4

PV-3TE-5

PV-3TE-6

PV-3TE-8

PV-3TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥3.0×1011
≥1.0×1011

 

≥9.0×1010
≥7.0×1010

 

≥6.0×1010
≥4.0×1010

 

≥4.0×1010
≥1.0×1010

 

≥7.0×109
≥4.0×109

 

≥5.0×108
≥3.0×108

 

≥3.0×108
≥1.5×108

Current Responsivity

@ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥1

≥0.7

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥240

≥15

≥6

≥0.3

≥0.025

≥0.0004

≥0.0002

Operating Temperature

T

K

~210

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-3TE-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-3TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-3TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。



VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-3TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード




計測器専用サイトでご覧ください。


 

PV-4TE シリーズ 3 - 12μm IRフォトボルテイック(光起電力) TE冷却 HgCdTe赤外検出器


4ステージ冷却

  
 

http://www.vigo.com.pl/products/infrared-detectors 各項目のカタログ、図面などのpdfがダウンロード出来ます。

·   PV-4TEデータシート
·   TO8技術的図面
·   オーダーコード
 
【説明】
PV-4TE-λopt HgCdTe赤外検出器シリーズ(λopt -最適な波長、μm単位)は、4ステージのTE冷却を備えたフォトボルテイック(光起電力型)赤外検出器です。
 
デバイスは、λoptで最大のパフォーマンスが得られるように最適化されています。カットオン波長は、要求に応じて最適化することができます。逆バイアスは、応答およびダイナミック・レンジの速度を著しく増加させます。これは、高周波数で性能を改善させますが、バイアスが印加されたデバイスで見られる1/fノイズが低周波数での性能を低下させることがあります。
 
最高の性能と安定性は、可変ギャップのHgCdTe半導体の適用、最適化されたドーピング、洗練された表面処理によって達成されます。
 
四分割セル、マルチエレメントアレイ、異なるウィンドウ、レンズおよび光学フィルターは、カスタムでご要望を承ります。
HgCdTe赤外検出器ウインドウはサファイヤまたはZnSe (セレン化亜鉛)。
パッケージはTO8で提供されます。その他のパッケージ、ウィンドウおよびコネクターは、ご要望により承ります。
 
【特徴】PC-4TEシリーズ HgCdTe赤外検出器
波長域2~12μmで高性能
高速応答
フリッカ雑音なし
取扱い容易
広いダイナミック・レンジ
コンパクトで頑丈、高い信頼性
低価格
短納期
要求に応じてカスタム設計
 
【仕様】

Parameter

Symbol

Unit

PV-4TE-3

PV-4TE-3.4

PV-4TE-4

PV-4TE-5

PV-4TE-6

PV-4TE-8

PV-4TE-10.6

Optimal Wavelength

λopt

µm

3

3.4

4

5

6

8

10.6

Detectivity*):
@ λpeak
@ λopt

D*

cm⋅Hz1/2⋅W-1

 

≥3.0×1011
≥1.5×1011

 

≥2.0×1011
≥1.0×1011

 

≥1.0×1011
≥6.0×1010

 

≥4.0×1010
≥1.5×1010

 

≥9.0×109
≥5.0×109

 

≥5.0×108
≥4.0×108

 

≥4.0×108
≥2.0×108

Current Responsivity

@ λopt

Ri

A⋅W-1

≥0.5

≥0.8

≥1

≥1.3

≥1.5

≥1.5

≥0.7

Time Constant

τ

ns

≤280

≤200

≤100

≤80

≤50

≤30

≤10

Time Constant**)

τ

ns

≤3

≤2

≤1

≤0.7

≤0.5

≤0.4

≤0.4

Resistance - Optical Area Product

R⋅A

Ω⋅cm2

≥300

≥20

≥8

≥0.4

≥0.03

≥0.0006

≥0.0005

Operating Temperature

T

K

~195

Acceptance Angle, F/#

Φ, -

deg, -

70, 0.87

*)データシートは各赤外検出器モデルの最低保証D*値を記載。より高性能な検出器は、ご要望に応じて提供可能です。
**) 逆バイアスで達成することができる応答速度(ご要望に応じて検出器を選択)。高速応答を持つデバイスは、特別なリクエストで承ります。
 
【フォーマット】

Type

Optical Area*) [mm×mm]

0.025×0.025

0.05×0.05

0.1×0.1

0.2×0.2

0.25×0.25

0.5×0.5

1×1

2×2

3×3

4×4

PV-4TE-3

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-3.4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-4

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-5

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-6

O

X

X

O

 

O

O

 

 

 

PV-4TE-8

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 

PV-4TE-10.6

X

X**)

P

 

 

 

 

 

 

 


*)  円形光学領域(直径[mm])要求に応じて提供することができます。
**) カスタム赤外検出器は、周波数応答を改善させ動的抵抗を増加させるために、逆バイアスを必要とする場合があります。
X - スタンダード赤外検出器
P - 逆バイアスでデフォルト
O - ご要望による赤外検出器を承ります。パラメーターはデータシートと異なる場合があります。

 

VIGO system HgCdTe赤外検出器 ダウンロード

PV-4TE カタログ ダウンロード

TO8 図面 ダウンロード





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