InGaAs フォトダイオード OSI Optoelectronics

InGaAs フォトダイオード OSI Optoelectronics
InGaAsフォトダイオード
OSI社のInGaAsフォトダイオードは、800nm~1700nmの近赤外~赤外スペクトルで優れた感度を提供します。また、可視光、近赤外、近赤外の各波長域で、450nm~1700nmの感度を持つ、拡張型InGaAsフォトダイオードを提供しています。

10Gbpsフォトダイオード

10Gbps InGaAs フォトダイオード OSI
OSI社のFCI-InGaAs-36CはOC-192(SONET/SDH)対応の感光素子で、低暗電流と優れた性能安定性を示します。 陽極(アノード)と陰極(カソード)の両方の接点がチップの上面に表示されます。 また、910nm~1650nmの波長域に対応し、10Gbpsの高速光データ伝送アプリケーションに最適なコンポーネントです。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • OC-192
  • 光ネットワーキング
  • 光学測定


特徴

  • 高速・10Gbpsのデータレート
  • 低暗電流
  • フロントイルミネーション
  • 高い応答性・Typ. 0.8 A/W @1550nm
  • 光感知領域の直径:36μm
  • 低容量



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Image

Datasheet

Model Number

Dark Current

Capacitance

Package

Responsivity at 1310 nm

Responsivity at 1550 nm

Bandwidth

Breakdown Voltage

Chip Size

Active Area Diameter

10Gbps InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-36C

0.5 nA

0.16 pF

Bare Die

0.85 A/W

0.8 A/W

9 GHz

20 V

450 x 250 µm

36 µm

背面照射型アレイ

背面照射 アレイ InGaAs フォトダイオード OSI
FCI-InGaAs-300B1XXシリーズは多機能の背面照射型フォトダイオード/アレイです。
これらは単一素子ダイオードと4素子または8素子アレイで標準装備されており、アクティブエリアは300μmです。
これらの背面照射型InGaAsフォトダイオード/アレイは、前面または背面照射用の光学面にフリップチップがマウントするように設計されています。
従来の方法で取り付けることも (アクティブ エリアを上に向ける)、または全体の寸法を最小限に抑えて下向きに組み立てることもできます。
これらの低インダクタンス、低暗電流、および低キャパシタンスの背面照射型フォトダイオード/アレイは、セラミック基板の有無にかかわらず提供されます。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • マルチチャンネル光ファイバー受信機
  • 電力監視
  • シングル/マルチモード光ファイバー受信機
  • 高速イーサネット・SONET/SDH OC-3/STM-1・ATM
  • 計測器・アナログ受信機


特徴

  • 背面照射
  • 表裏ともに高い応答性
  • 低ノイズ
  • 波長範囲:900nm~1700nm



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Image

Datasheet

Model Number

Number of Elements

Active Area Diameter

Pitch

Responsivity at 1310 nm

Responsivity at 1550 nm

Dark Current

Capacitance

Bandwidth

Package

背面照射 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-300B1

1

300 µm

NA

0.8 A/W

0.85 A/W

0.05 nA

8 pF

100 MHz

Wraparound Ceramic

背面照射 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-300B1x4

4

300 µm

500 µm

0.8 A/W

0.85 A/W

0.05 nA

8 pF

100 MHz

Wraparound Ceramic

背面照射 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-300B1x8

8

300 µm

500 µm

0.8 A/W

0.85 A/W

0.05 nA

8 pF

100 MHz

Wraparound Ceramic

ブロードバンドARコーティングフォトダイオード

ブロードバンドARコーティングフォトダイオード OSI
OSI社の最新の製品ラインには、非常に低い反射率のフォトダイオードが含まれています。
通信アプリケーション向けに設計されたこのInGaAs/InPフォトダイオードは、1520nm~1620nmまでの光反射率が0.6%未満という代表的なものです。
この広波長域での超低反射率は、独自の多層反射防止コーティングをInGaAs/InPフォトダイオードの表面に直接蒸着することで実現しました。

アプリケーション

  • 波長ロッカー / 波長モニタリング
  • レーザーバックファセットモニタリング
  • DWDM(高密度波長分割多重)
  • 計装


特徴

  • 反射率:0.6%未満
  • 低ノイズ
  • 高い応答性
  • 高速
  • スペクトル範囲:900nm~1700nm



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Image

Datasheet

Model Number

Active Area

Responsivity at 1310 nm

Responsivity at 1550 nm

Reflectance at 1550nm

Dark Current

Capacitance

Package

フォトダイオード セラミック アセンブリー OSI

PDF

FCI-InGaAs-WCER-LR

250 x 500 µm

0.85 A/W

0.90 A/W

0.5 %

1 nA

15 pF

Wraparound Leadless Ceramic

ディテクターアンプ ハイブリッド

ディテクターアンプ ハイブリッド OSI
FCI-H125/250G-InGaAs-XXシリーズは高速InGaAsフォトディテクターと広ダイナミックレンジトランスインピーダンスアンプをコンパクトに一体化した製品です。
検出器とTIAを4ピンTO-46パッケージで密閉し、高速信号増幅のための理想的な条件を提供します。
高速かつ高感度であるため、LAN、MAN、WANなどの高速通信システムで使用される高ビットレート受信機に最適なデバイスです。
TOパッケージはカップリング効率を高めるレンズ付きキャップ、または広帯域両面ARコーティングフラットウィンドウを標準装備しています。
FCI-H125/250G-InGaAs-XXシリーズは、FC、SC、STおよびSMAレセプタクルも提供しています。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • ギガビットイーサネット
  • ファイバーチャネル
  • ATM
  • SONET OC-48 / SDH STM-16


特徴

  • InGaAsフォトディテクター / 低ノイズトランスインピーダンスアンプ
  • 高帯域幅 / 広いダイナミックレンジ
  • 密封型TO-46パッケージ
  • +3.3~+5Vの単一電源
  • スペクトル範囲:1100nm~1650nm
  • 差動出力



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Image

Datasheet

Model Number

Active Area Diameter

Supply Voltage

Supply Current

Operating Wavelength

Responsivity -17dBm (Differential)

Transimpedence -17dBm (Differential)

Sensitivity BER 10-10 (PRBS2-7-1)

Bandwdith -3dB

Low Frequency Cutoff -3dB

Differential Output -3dBm

Output Impedence

Transimpedence Linear Range

Package

フォトダイオード アンプ ハイブリッド OSI

PDF

FCI-H125G-InGaAs-75

75 µm

+3 to +5.5 V

26 mA

1100 – 1650 nm

2500 V/W

2800 Ω

-28 dBm

900 MHz

45 kHz

250 mV p-p

50 Ω

30 µW p-p

TO-46

フォトダイオード アンプ ハイブリッド OSI PDF

FCI-H250G-InGaAs-75

75 µm

+3 to +5.5 V

35 mA

1100 – 1650 nm

2500 V/W

2800 Ω

-24 dBm

1750 MHz

30 kHz

400 mV p-p

50 Ω

40 µW p-p

TO-46

フォトダイオード アンプ ハイブリッド OSI PDF

FCI-H622M-InGaAs-75

75 µm

+3 to +3.6 V

22 mA

1100 – 1650 nm

16V/mW@-23dBm

1800 Ω

-32 dBm

520 MHz

30KHz

240 mV p-p

75 Ω

 

TO-46

高速フォトダイオード (1.25Gbps)

GaAs フォトダイオード OSI
OSI社の大アクティブエリアと高速シリコンPINフォトダイオードシリーズは850 nmの短距離光データ通信アプリケーション向けに最適化された大きなセンシングエリアを備えています。
フォトディテクターは3.3Vで高い応答性、広い帯域幅、低い暗電流、および低い静電容量を示します。
これらは最も広く使用されているトランスインピーダンスアンプに適合するように設計されています。
フォトダイオードはすべての850nmトランシーバーと、ギガビットイーサネットやファイバーチャネルなどの最大1.25GbpsアプリケーションのGBICで使用できます。
チップはマイクロレンズキャップ、または ARコーティングされたフラットウィンドウのオプションを備えた3ピンTO-46パッケージで絶縁されています。
また、FC、ST、SC、SMA などの標準ファイバーレセプタクルでも利用できます。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
  • ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
  • SONET/SDH、ATM


特徴

  • シリコンフォトダイオード
  • 高い応答性
  • 広いセンシングエリア
  • 低静電容量 @3.3V



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Image

Datasheet

Active Area Diameter

Responsivity

Dark Current

Capacitance

Rise Time

Fall Time

Package

OSI 高速フォトダイオード (1.25Gbps)

PDF

150 µm

0.36 A/W

20 pA

0.66 pF

38 ps

313 ps

TO-18

OSI 高速フォトダイオード (1.25Gbps)

PDF

250 µm

0.36 A/W

25 pA

0.96 pF

50 ps

429 ps

TO-18

OSI 高速フォトダイオード (1.25Gbps)

PDF

300 µm

0.36 A/W

30 pA

1.16 pF

69 ps

436 ps

TO-18

OSI 高速フォトダイオード (1.25Gbps)

PDF

400 µm

0.36 A/W

40 pA

1.73 pF

100 ps

449 ps

TO-18

高速フォトダイオード


FCI-InGaAs-XXXシリーズはアクティブエリアのサイズが75μm、120μm、300μm、500μmで、データコムやテレコムのアプリケーションに必要な特性とニーズを備えています。
低容量、低暗電流、1100nm~1620nmの高応答性により、LAN、MAN、WAN、その他の高速通信システムで使用される高ビットレート受信機に最適なデバイスです。
このフォトダイオードは3リードの絶縁型TO-46缶に収められ、また、カップリング効率を高めるためにARコーティングされたフラットウィンドウやマイクロレンズが付属しています。
FCI-InGaAs-XXXシリーズはFC、SC、STおよびSMAレセプタクルも提供しています。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
  • ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
  • SONET/SDH、ATM
  • 光タップ


特徴

  • 高速
  • 高い応答性
  • 低ノイズ
  • スペクトル範囲:900nm~1700nm



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Image

Datasheet

Model Number

Active Area Diameter

Responsivity at 1310 nm

Responsivity at 1550 nm

Dark Current

Capacitance

Rise Time

Package

GaAs フォトダイオード OSI

PDF

FCI-InGaAs-75

75 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.03 nA

1.5 pF

0.2 ns

TO-18

GaAs フォトダイオード OSI

PDF

FCI-InGaAs-120

120 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.05 nA

2 pF

0.3 ns

TO-18

GaAs フォトダイオード OSI

PDF

FCI-InGaAs-300

300 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.30 nA

10 pF

1.5 ns

TO-18

GaAs フォトダイオード OSI

PDF

FCI-InGaAs-500

500 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.5 nA

20 pF

10 ns

TO-18

大面積フォトダイオード

OSI FCI-InGaAS
アクティブエリアサイズが 1mm、1.5mm、および 3mmのFCI-InGaAs-XXX-X シリーズは、1100nm~1620nmまでの優れた応答性を示すOSI社の大アクティブエリア赤外感度ディテクターの一部であり、弱い信号に対して高い感度を実現します。
これらのアクティブエリアの広いデバイスは、赤外線計装および監視アプリケーションでの使用に最適です。
フォトダイオードチップはTO-46またはTO-5パッケージで絶縁されており、広帯域両面ARコーティングされたフラットウィンドウを備えています。
FCI-InGaAs-3000-Xには5、10、20、および40MΩのさまざまなシャント抵抗値が付属しています。

アプリケーション

  • 光学機器
  • 電力測定
  • 赤外センシング
  • 医療機器


特徴

  • 高い応答性
  • 大面積のアクティブエリア径
  • 低ノイズ
  • 波長範囲:900nm~1700nm



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Image

Datasheet

Model Number

Active Area Diameter

Responsivity at 1310 nm

Responsivity at 1550 nm

Shunt Resistance

Capacitance

Package

OSI FCI-InGaAS PDF

FCI-InGaAS-1000-X

1 mm

0.9 A/W

0.95 A/W

30 MΩ

80 pF

TO-18

OSI FCI-InGaAS PDF

FCI-InGaAs-1500-X

1.5 mm

0.9 A/W

0.95 A/W

20 MΩ

200 pF

TO-18

OSI FCI-InGaAS PDF

FCI-InGaAs-3000-X

3 mm

0.9 A/W

0.95 A/W

20 MΩ

750 pF

TO-5

リニアアレイ

FCI-InGaAs-8M OSI
FCI-InGaAs-XXMシリーズは4、8、12、16チャンネルで、OSI社の高速赤外感度フォトディテクターアレイの一部です。
ARコーティングされた各素子は、1100nm~1620nmの範囲で高い応答性を示し、2.5Gbpsのデータレートに対応しています。
FCI-InGaAs-XXMはラップアラウンドセラミックサブマウントに標準装備されており、標準的な250mmピッチファイバーリボンに基づくマルチチャンネルファイバーアプリケーション向けに設計されています。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • シングル/マルチモード光ファイバーレシーバー
  • ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
  • SONET/SDH、ATM
  • 光タップ


特徴

  • 高速
  • 高い応答性
  • 低ノイズ
  • スペクトル範囲:900nm~1700nm



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Image Datasheet Model Number Active Area Diameter Per Element Number of Elements Pitch Responsivity at 1550 nm Dark Current Capacitance Bandwidth Breakdown Voltage
Electro-Optical Specifications per Element
FCI-InGaAs-4M OSI PDF

FCI-InGaAs-4M

75µm

4

250 µm

0.95 A/W

0.03 nA

0.65 pF

2 GHz

50 V

FCI-InGaAs-8M OSI PDF

FCI-InGaAs-8M

75µm

8

250 µm

0.95 A/W

0.03 nA

0.65 pF

2 GHz

50 V

FCI-InGaAs-12M OSI PDF

FCI-InGaAs-12M

75µm

12

250 µm

0.95 A/W

0.03 nA

0.65 pF

2 GHz

50 V

FCI-InGaAs-12M OSI PDF

FCI-InGaAs-16M

75µm

16

250 µm

0.95 A/W

0.03 nA

0.65 pF

2 GHz

50 V

モニターフォトダイオード

セラミック サブマウント OSI
OSI社はInGaAsモニターフォトダイオードを幅広く提供しています。
これらの製品は金属化セラミック基板に実装されたモニターフォトダイオードのラインの一部であり、70μm、120μm、300μm、500μmのアクティブエリアサイズで利用可能です。
これらのコンパクトなアセンブリは、一体化が容易なように設計されています。
OSI社は現在、以下の4種類のセラミックサブマウントのオプションを提供しています。

WCER: InGaAsモニターフォトダイオードを長方形のセラミックサブマウントに搭載。
ACER: InGaAsモニターフォトダイオードを5°の角度をつけたセラミックサブマウントに搭載。
LCER: InGaAsモニターフォトダイオードをリード付きガルウィングセラミックパッケージに搭載。
CCER: InGaAsモニターフォトダイオードをARコートウィンドウ付きガルウィングセラミックパッケージに搭載。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
  • SONET/SDH、ATM
  • ダイオードレーザーモニター
  • 計装


特徴

  • 低ノイズ
  • 高い応答性
  • 高速
  • スペクトル範囲:900nm~1700nm



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Image Datasheet Model Number Active Area Diameter Responsivity at 1310 nm Responsivity at 1550 nm Capacitance Dark Current Rise Time Reverse Voltage
 (max.)

Forward Curren
 (max.)

Package
セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-75-WCER

75 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.65 pF

0.03 nA

0.2 ns

20 V

5 mA

Wraparound Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-120-WCER

120 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

1 pF

0.05 nA

0.3 ns

20 V

5 mA

Wraparound Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-300-WCER

300 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

10 pF

0.3 nA

1.5 ns

15 V

8 mA

Wraparound Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-500-WCER

500 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

20 pF

0.5 nA

10 ns

15 V

8 mA

Wraparound Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-75-ACER

75 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.65 pF

0.03 nA

0.2 ns

20 V

5 mA

Wedge Angled Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-120-ACER

120 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

1 pF

0.05 nA

0.3 ns

20 V

5 mA

Wedge Angled Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-300-ACER

300 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

10 pF

0.3 nA

1.5 ns

15 V

8 mA

Wedge Angled Leadless Ceramic

セラミック サブマウント OSI PDF

FCI-InGaAs-500-ACER

500 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

20 pF

0.5 nA

10 ns

15 V

8 mA

Wedge Angled Leadless Ceramic

リード セラミック サブマウント 高速 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-75-LCER

75 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.65 pF

0.03 nA

0.2 ns

20 V

5 mA

Ceramic with two horizontal leads

リード セラミック サブマウント 高速 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-120-LCER

120 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

1 pF

0.05 nA

0.3 ns

20 V

5 mA

Ceramic with two horizontal leads

リード セラミック サブマウント 高速 InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-300-LCER

300 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

10 pF

0.3 nA

1.5 ns

15 V

8 mA

Ceramic with two horizontal leads

キャビティー セラミック サブマウント高速InGaAs フォトダイオード OSI PDF FCI-InGaAs-75-CCER

75 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

0.65 pF

0.03 nA

0.2 ns

20 V

5 mA

Cavity Ceramic with two horizontal leads

キャビティー セラミック サブマウント高速InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-120-CCER

120 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

1 pF

0.05 nA

0.3 ns

20 V

5 mA

Cavity Ceramic with two horizontal leads

キャビティー セラミック サブマウント高速InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-300-CCER

300 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

10 pF

0.3 nA

1.5 ns

15 V

8 mA

Cavity Ceramic with two horizontal leads

キャビティー セラミック サブマウント高速InGaAs フォトダイオード OSI PDF

FCI-InGaAs-500-CCER

500 µm

0.9 A/W

0.95 A/W

20 pF

0.5 nA

10 ns

15 V

8 mA

Cavity Ceramic with two horizontal leads

ピッグテールフォトダイオードアセンブリ

フォトダイオード ピッグテール アセンブリー OSI
アクティブエリアが75μmと120μmのFCI-InGaAs-XX-XXはOSI社のファイバーピッグテールパッケージの高速IR感度検出器シリーズの一部です。
シングル/マルチモードファイバーはTO-46レンズキャップパッケージのハーメチックシールされたInGaAsダイオードに光学的に整列され、カップリング効率と安定性を高めますが、セラミック基板に取り付けられたInGaAsダイオードにも直接接続されます。
高い応答性と低い静電容量により、これらのデバイスはLAN、MAN、WAN、その他の高速通信や監視・計測システムで使用される超高ビットレート受信機に最適です。
アングル研磨コネクタやカスタムパッケージもご利用いただけます。

アプリケーション

  • 高速光通信
  • ギガビットイーサネット/ファイバー チャネル
  • SONET/SDH、ATM
  • 光パワー監視/計装


特徴

  • ハイスピード
  • 高い応答性
  • 波長範囲:900nm~1700nm
  • ローバックリフレクション


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Image Datasheet Model Number Active Area Diameter Responsivity at 1310 nm Responsivity at 1550 nm Capacitance Rise Time Dark Current
フォトダイオード ピッグテール アセンブリー OSI PDF FCI-InGaAs-70-XX-XX 75 µm 0.85 A/W 0.9 A/W 0.65 pF 0.2 nS 0.03 nA
フォトダイオード ピッグテール アセンブリー OSI PDF FCI-InGaAs-120-XX-XX 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 1 pF 0.3 nS 0.05 nA
フォトダイオード ピッグテール アセンブリー OSI PDF FCI-InGaAs-70C-XX-XX 75 µm 0.85 A/W 0.9 A/W 0.65 pF 0.2 nS 0.03 nA
フォトダイオード ピッグテール アセンブリー OSI PDF FCI-InGaAs-120C-XX-XX 120 µm 0.9 A/W 0.95 A/W 1 pF 0.3 nS 0.05 nA

クワドラントPSDS

クワドラントPSDS OSI
FCI-InGaAs-QXXXシリーズは4つのアクティブエリアに分割された大面積InGaAsフォトダイオードです。
直径1mmと3mmのアクティブエリアがあります。
InGaAs Quadシリーズは高い応答均一性と素子間の低いクロストークを持ち、正確なヌリングやセンタリングアプリケーション、ビームプロファイリングアプリケーションに理想的です。
1100nm~1620nmの範囲で優れた応答性を示し、時間や温度に対して安定で、高速動作やパルス動作に必要な高速応答が可能です。
広帯域両面ARコートフラットウィンドウを備えた絶縁型TO-5またはTO-8缶にパッケージされており、ご要望に応じてセラミック基板に搭載することも可能です。

アプリケーション

  • ポジションセンシング
  • ビームアライメント
  • ビームプロファイリング


特徴

  • 高い応答性
  • 低ノイズ
  • 波長範囲:900nm~1700nm
  • 低クロストーク
  • 広視野角


Image Datasheet Active Area Diameter Element Gap Responsivity at 1310 nm Responsivity at 1550 nm Crosstalk (max.) Dark Current Rise Time Package
クワドラントPSDS OSI PDF 1000 µm 0.045 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 1 % 0.5 nA 3 ns TO-5
クワドラントPSDS OSI PDF 3000 µm 0.045 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 1 % 2 nA 24 ns TO-8
osi
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